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半导体硅材料专利专题数据库建设——积极有效应对知识产权问题的有益尝试 被引量:1
1
作者 程凤伶 石瑛 孙媛 《新材料产业》 2009年第9期24-26,共3页
绝大部分硅材料相关专利掌握在其他国家手中,这对中国企业造成了很大的专利壁垒。为了在市场竞争或出口贸易中避免侵权问题、应对纠纷.了解竞争对手的专利壁垒.建立硅材料专利专题数据库、做到知己知彼,是一个非常有意义的尝试。
关键词 半导体硅材料 专题数据库 知识产权 数据库建设 产权问题 专利 基础材料 半导体产品
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半导体硅片清洗工艺发展方向 被引量:15
2
作者 闫志瑞 《电子工业专用设备》 2004年第9期23-26,共4页
对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,同时在此基础上,对新的清洗办法(改进的RCA清洗办法)进行了一定的说明,指出了硅片清洗工艺的发展方向。
关键词 硅片 RCA清洗 硅片清洗 硅片表面
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半导体工业的发展概况 被引量:5
3
作者 张厥宗 《电子工业专用设备》 2005年第3期5-12,共8页
关键词 半导体工业 硅集成电路 发展趋势 应变硅
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半导体工业的发展概况(续) 被引量:1
4
作者 张厥宗 《电子工业专用设备》 2005年第4期10-16,共7页
关键词 公司 半导体工业 日本 金属工业 发展概况 合并 生产供应 LG 抛光片 硅片
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硅材料及其电化学研究进展 被引量:7
5
作者 宋晓岚 杨海平 +2 位作者 史训达 何希 邱冠周 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期21-25,共5页
硅材料是现代信息科技的主要载体,而其电化学研究则是正确认识和应用硅材料的前提和基础。从硅的表面和界面特性出发,综述了硅的电化学方面的研究进展,阐述了硅电极的阳极和阴极反应行为,总结了硅的刻蚀以及多孔硅的电化学形成机制和影... 硅材料是现代信息科技的主要载体,而其电化学研究则是正确认识和应用硅材料的前提和基础。从硅的表面和界面特性出发,综述了硅的电化学方面的研究进展,阐述了硅电极的阳极和阴极反应行为,总结了硅的刻蚀以及多孔硅的电化学形成机制和影响因素,并进一步展望了硅材料电化学研究的未来发展方向。 展开更多
关键词 硅材料 电化学 电极反应 刻蚀 多孔硅 电化学研究 信息科技 界面特性 反应行为
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SOI材料的制备技术 被引量:3
6
作者 肖清华 屠海令 +3 位作者 周旗钢 王敬 常青 张果虎 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期460-467,共8页
SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SO... SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果。降低制造成本。 展开更多
关键词 SOI 注氧隔离 智能剥离 硅片键合 减薄 外延层转移
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溶胶-凝胶法制备ZrO_2-SiO_2功能材料的研究 被引量:9
7
作者 张华山 韩辉 +2 位作者 巨国贤 邵晶 苏春辉 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期269-272,共4页
采用正硅酸乙酯和氧氯化锆 ,通过溶胶 凝胶法 ,以有机改性硅酸盐技术和水置换法相结合在 80℃条件下制备ZrO2 SiO2 无开裂干凝胶。使用TG DTA研究了干凝胶在加热过程中的热量和质量变化 ,根据TG DTA曲线选择合适的温度对 10ZrO2 90Si... 采用正硅酸乙酯和氧氯化锆 ,通过溶胶 凝胶法 ,以有机改性硅酸盐技术和水置换法相结合在 80℃条件下制备ZrO2 SiO2 无开裂干凝胶。使用TG DTA研究了干凝胶在加热过程中的热量和质量变化 ,根据TG DTA曲线选择合适的温度对 10ZrO2 90SiO2 (质量分数 )干凝胶进行了热处理 ,并进行了XRD和IR分析 ,确定了干凝胶的析晶情况以及材料结构中各种基团的振动情况。采用有机改性硅酸盐技术和水置换法相结合可以减少凝胶在热处理过程中的开裂程度 ,ZrO2 的含量对胶凝时间和凝胶的颜色有很大的影响 ,当热处理温度升高时 ,析晶倾向越来越明显 ,达到 115 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 彩色显象管 功能材料 二氧化锆/二氧化硅
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面向订单的硅材料生产计划自动生成系统 被引量:2
8
作者 董森华 向采兰 +1 位作者 孔玮曼 郝玉清 《计算机应用与软件》 CSCD 北大核心 2004年第4期34-35,70,共3页
本文介绍一个面向订单的生产计划自动生成系统。作为我国自主开发的第一套半导体材料计算机辅助制造 (SM -CAM)系统的核心模块 ,该系统合理地解决了硅材料生产的订单管理、生产资源的综合分析和生产能力平衡的计算 ,并能自动生成生产计划。
关键词 硅材料 生产计划 自动生成系统 CAM 订单 半导体材料
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忆阻器材料的研究进展 被引量:4
9
作者 曲翔 徐文婷 +3 位作者 肖清华 刘斌 闫志瑞 周旗钢 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期31-35,共5页
忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型;综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如... 忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型;综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等;阐述了忆阻器的重要意义及面临的巨大挑战,提出了未来该领域需要加强研究的若干问题。 展开更多
关键词 忆阻器 薄膜材料 阻变机制 电激励
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中国硅材料产业现状分析 被引量:5
10
《中国集成电路》 2008年第3期55-63,69,共10页
硅材料是制造半导体器件和太阳能电池的关键材料,面对着两个发展着的产业,一个是半导体产业,一个是太阳能光伏产业。半导体产业已经从原来周期性大起大落,平均增速达17%左右,步入一个增速减缓、起伏不大的新时代;而光伏产业正处... 硅材料是制造半导体器件和太阳能电池的关键材料,面对着两个发展着的产业,一个是半导体产业,一个是太阳能光伏产业。半导体产业已经从原来周期性大起大落,平均增速达17%左右,步入一个增速减缓、起伏不大的新时代;而光伏产业正处在以平均30%的年增长速度迅猛发展的时代。作为这两大产业的主要原料,多晶硅紧缺的局面近期内仍将持续。 展开更多
关键词 产业现状 硅材料 太阳能电池 半导体产业 中国 光伏产业 半导体器件 增长速度
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中国硅材料生产和开发情况
11
作者 周旗钢 《中国集成电路》 2006年第3期27-31,共5页
关键词 材料生产 半导体市场 发情 中国 材料市场 电子器件 国内外 销售额 全球
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包装材料对硅片表面洁净度的影响
12
作者 曹孜 张大年 《世界有色金属》 2007年第7期57-60,共4页
前言 随着微电子技术突飞猛进的发展,90纳米线宽技术已得到了规模推广,一个芯片已集成至几十到上百亿个元器件。与此同时,图形的微细加工和以提高生产效率为目的的大直径硅片生产进程也在加快进行,电路特征尺寸已由微米级升级到亚... 前言 随着微电子技术突飞猛进的发展,90纳米线宽技术已得到了规模推广,一个芯片已集成至几十到上百亿个元器件。与此同时,图形的微细加工和以提高生产效率为目的的大直径硅片生产进程也在加快进行,电路特征尺寸已由微米级升级到亚微米及纳米级水平,这使得所有的IC造商对衬底硅片的要求越来越严格。 展开更多
关键词 硅片表面 包装材料 洁净度 微电子技术 生产效率 纳米线宽 微细加工 特征尺寸
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300mm硅片化学机械抛光技术分析 被引量:18
13
作者 闫志瑞 鲁进军 +2 位作者 李耀东 王继 林霖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期561-564,共4页
化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点... 化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析。 展开更多
关键词 化学机械抛光 超大规模集成电路 硅片 双面抛光
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300mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析 被引量:9
14
作者 库黎明 闫志瑞 +2 位作者 索思卓 常青 周旗钢 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期373-376,共4页
建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘... 建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘部分的局部平整度。优化四个转速,可以显著改善300mm硅片表面的平整度和局部平整度。 展开更多
关键词 300 mm硅片 双面抛光 数学模拟 轨迹 平整度
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混合表面活性剂分散纳米CeO_2颗粒的协同效应 被引量:12
15
作者 宋晓岚 邱冠周 +2 位作者 史训达 王海波 曲鹏 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期95-99,共5页
选用CTAB阳离子型和SDBS阴离子型分别与Tween 80非离子型表面活性剂进行复配,通过Zeta电位、吸附等温线以及沉降性能测定,研究了混合表面活性剂对水相介质中纳米CeO2颗粒分散稳定性能影响的协同效应。结果表明:不同混合表面活性剂体系... 选用CTAB阳离子型和SDBS阴离子型分别与Tween 80非离子型表面活性剂进行复配,通过Zeta电位、吸附等温线以及沉降性能测定,研究了混合表面活性剂对水相介质中纳米CeO2颗粒分散稳定性能影响的协同效应。结果表明:不同混合表面活性剂体系中纳米CeO2颗粒表现出不同的表面电性,从而影响其分散稳定行为;纳米CeO2颗粒对两种混合表面活性剂均有良好的吸附性能,但其吸附等温线形式有所不同;碱性条件下,混合表面活性剂能显著改善纳米CeO2颗粒的分散稳定性,其中SDBS与Tween 80的协同作用更为明显。 展开更多
关键词 纳米颗粒 CEO2 表面活性剂 分散稳定 协同效应
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HF/O_3在300mm硅片清洗中的应用 被引量:10
16
作者 闫志瑞 李俊峰 +2 位作者 刘红艳 张静 李莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期108-111,共4页
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上... 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF/O3槽式清洗法和HF/O3 单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述。 展开更多
关键词 硅片 RCA清洗 兆声波 HF/O3
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厚硅片的高速激光切片研究 被引量:10
17
作者 崔建丰 赵晶 +9 位作者 樊仲维 赵存华 张晶 牛岗 石朝晖 裴博 张国新 薛岩 毕勇 亓岩 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期829-834,共6页
基于激光切片原理的分析,给出了厚硅片的高速激光切片方法,采用平凸腔补偿工作物质的热透镜效应,利用Nd∶YAG棒本身的自孔径选模作用,获得了光束质量因子M2等于4.19的50 W 1.064μm激光输出。选取合适的扩束倍数、重复频率和出气孔直径... 基于激光切片原理的分析,给出了厚硅片的高速激光切片方法,采用平凸腔补偿工作物质的热透镜效应,利用Nd∶YAG棒本身的自孔径选模作用,获得了光束质量因子M2等于4.19的50 W 1.064μm激光输出。选取合适的扩束倍数、重复频率和出气孔直径,当切割0.75 mm厚的硅片时,切片速度达400 mm/min;当切割两层叠放的0.75 mm厚的硅片时,切片速度达到100 mm/min。切片的切口光滑,切缝较窄,重复精度高,切片质量好,达到用传统方法难以达到的切片效果。 展开更多
关键词 激光技术 全固体激光器 声光调Q 激光切片 硅片
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硅片清洗及最新发展 被引量:28
18
作者 刘红艳 万关良 闫志瑞 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期144-149,共6页
对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术,... 对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术,指出了硅片清洗工艺的发展趋势。 展开更多
关键词 硅片 硅片清洗 硅片表面微观状态
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双面抛光工艺中压力对300mm硅片表面形貌的影响 被引量:8
19
作者 库黎明 李耀东 +1 位作者 周旗钢 王敬 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期134-137,共4页
利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化,并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明,双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同,从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间... 利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化,并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明,双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同,从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固-液混合接触区时,协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系,使之达到平衡,可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值。 展开更多
关键词 硅片 双面抛光 非接触式光学轮廓仪 表面形貌
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热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟 被引量:13
20
作者 滕冉 戴小林 +2 位作者 徐文婷 肖清华 周旗钢 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期238-242,252,共6页
通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案。数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使... 通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案。数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使用单一石墨材料,优化后采用辐射率较高的内壁材料结合反射率较高的外壁材料组成复合式热屏)的优化可以减少主加热器对晶体的热辐射使得固液界面更加平坦,藉此增加结晶速率,减小晶体内热应力和熔体中氧含量。 展开更多
关键词 硅单晶 数值模拟 热屏 固液界面
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