新型科研机构打造融通创新生态环境研究——以材料科学姑苏实验室为例 被引量：1

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作者 吕爽 许景瑶 张凯 《中国科技人才》 2022年第2期65-73,共9页

生态环境的构建在科研机构中越发被重视,创新生态环境的内外部融通对于新型科研机构的可持续发展具有重要意义。本文以材料科学姑苏实验室为例,介绍其以需求为牵引,面向国家战略需求,产业未来需求和产业链安全需求的融通创新生态模式,... 生态环境的构建在科研机构中越发被重视,创新生态环境的内外部融通对于新型科研机构的可持续发展具有重要意义。本文以材料科学姑苏实验室为例,介绍其以需求为牵引,面向国家战略需求,产业未来需求和产业链安全需求的融通创新生态模式,分析该模式下面临的挑战,提出未来发展建议,对相关科研机构的生态环境搭建具有一定的参考意义。 展开更多

关键词 姑苏实验室 融通创新 生态环境

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倒装芯片凸块制备工艺 被引量：1

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作者 丁增千 李圣贤 《电子工艺技术》 2024年第3期1-5,共5页

倒装芯片是先进封装中的主流技术之一,而凸块制备工艺又是倒装芯片关键技术之一,随着消费类电子产品朝着轻薄短小的趋势发展、芯片集成度越来越高、引脚数越来越密集,凸块制备工艺也在随之发展。凸块制备工艺包括UBM、蒸发、C4NP、模板... 倒装芯片是先进封装中的主流技术之一,而凸块制备工艺又是倒装芯片关键技术之一,随着消费类电子产品朝着轻薄短小的趋势发展、芯片集成度越来越高、引脚数越来越密集,凸块制备工艺也在随之发展。凸块制备工艺包括UBM、蒸发、C4NP、模板印刷和电镀工艺。随着芯片尺寸的减小,焊球凸块逐步向铜柱凸块发展。同时还要应对细间距铜柱带来的共面性问题、应力问题和金属间化合物生长等可靠性问题。 展开更多

关键词 倒装芯片 焊球凸块 综述 铜柱凸块 制备工艺

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双有源区结构4.7μm中波红外量子级联激光器

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作者 王渝沛 章宇航 +8 位作者 罗晓玥 钱晨灏 程洋 赵武 魏志祥 韩迪仪 孙方圆 王俊 周大勇 《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1042-1049,共8页

本文报道了一种基于双有源区的4.7μm中波红外量子级联激光器,脊宽为9.5μm,可实现室温连续基横模工作。通过在单有源区中心插入0.8μm InP间隔层,将原有的单有源区转变成双有源区结构,可显著降低器件有源区的峰值温度,同时抑制高阶横... 本文报道了一种基于双有源区的4.7μm中波红外量子级联激光器,脊宽为9.5μm,可实现室温连续基横模工作。通过在单有源区中心插入0.8μm InP间隔层,将原有的单有源区转变成双有源区结构,可显著降低器件有源区的峰值温度,同时抑制高阶横模的产生。在288 K温度下,腔长为5 mm的双有源区器件的阈值电流密度为1.14 kA/cm2,连续输出功率为0.71 W,快轴发散角为27.3°,慢轴发散角为18.1°。同采用常规单有源区结构器件相比,采用双有源区结构的器件,其最大光输出功率未出现退化,同时器件慢轴方向由多模变化为基横模,光束质量得到了显著改善。本工作为改善高功率中波量子级联激光器的慢轴光束质量提供了一种解决思路。 展开更多

关键词 中红外 量子级联激光器 双有源区 金属有机物化学气相沉积 连续输出

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碲化镉多晶合成工艺研究

4

作者 陈成 朱蓉辉 +1 位作者 穆怀慈 卢王威 《电子工业专用设备》 2024年第3期4-8,共5页

使用多温区摇摆炉摇摆法制备了Ф52 mm的碲化镉多晶,深入研究了不同装料方式、温度工艺对晶体样品表面状态的影响规律。碲化镉晶体属于立方晶系,为闪锌矿结构。随着装料层数的增加,第一反应温度波动区温度升幅由172℃增加至278℃,温度... 使用多温区摇摆炉摇摆法制备了Ф52 mm的碲化镉多晶,深入研究了不同装料方式、温度工艺对晶体样品表面状态的影响规律。碲化镉晶体属于立方晶系,为闪锌矿结构。随着装料层数的增加,第一反应温度波动区温度升幅由172℃增加至278℃,温度变化速率由27.6℃/min增加至75.9℃/min。表明随着装料层数的增加,碲和镉之间的反应速率也显著提升,二者反应放热导致出现第一反应温度波动区。而随着降温由0.35℃/min降低至0.2℃/min,样品表面状态显著改善,表面孔洞数量大幅减少甚至消失,有利于碲化镉多晶后续的进一步加工。 展开更多

关键词 碲化镉 温度工艺 装料方式 表面状态 摇摆法

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倒装芯片的底部填充工艺研究

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作者 李圣贤 丁增千 《电子与封装》 2024年第7期50-56,共7页

倒装芯片技术被广泛应用于先进封装技术领域,可以有效解决芯片与基板之间因应力不匹配产生的可靠性问题。底部填充工艺通过在芯片和基板的间隙填充有机胶,使得应力可以被重新分配,进而起到保护焊点的作用,提升封装可靠性。随着芯片不断... 倒装芯片技术被广泛应用于先进封装技术领域,可以有效解决芯片与基板之间因应力不匹配产生的可靠性问题。底部填充工艺通过在芯片和基板的间隙填充有机胶,使得应力可以被重新分配,进而起到保护焊点的作用,提升封装可靠性。随着芯片不断向轻薄化方向发展,芯片尺寸的缩减和结构的精细化导致对填充材料的性能及封装可靠性的要求不断提高,底部填充工艺面临着更大的挑战。材料设计、工艺优化等措施是应对潜在挑战的有效方式。 展开更多

关键词 封装技术 倒装芯片 底部填充工艺

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迈向效率大于30%的钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池技术的研究进展 被引量：3

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作者 张美荣 祝曾伟 +6 位作者 杨晓琴 于同旭 郁骁琦 卢荻 李顺峰 周大勇 杨辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期445-459,共15页

双结叠层太阳能电池由两个具有不同带隙吸收体的电池组成,通过差异化吸收更宽范围波长的太阳光,降低光子热化损失,已展现出打破单结太阳能电池Shockley-Queisser极限效率的巨大优势.获益于钙钛矿电池带隙可调和制备成本低的优点以及晶... 双结叠层太阳能电池由两个具有不同带隙吸收体的电池组成,通过差异化吸收更宽范围波长的太阳光,降低光子热化损失,已展现出打破单结太阳能电池Shockley-Queisser极限效率的巨大优势.获益于钙钛矿电池带隙可调和制备成本低的优点以及晶硅电池产业化的优势,钙钛矿/晶硅叠层太阳电池成为光伏领域的研究热点.本文系统的梳理了钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的最新研究进展,重点从钙钛矿顶电池、中间互联层和晶硅底电池的结构出发,总结出高效叠层器件在光学和电学方面的设计原则.本文还详细地分析了限制钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池继续提效的关键因素及解决措施,这对于钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的产业化之路是非常重要的.最后,对下一代更高效率的低成本叠层太阳能电池进行了展望.我们认为随着对光伏器件效率要求越来越高,基于钙钛矿/晶硅叠层结构的三结电池将会成为下一代低成本高效电池的研究热点. 展开更多

关键词 叠层太阳能电池 宽带隙钙钛矿 晶硅 互联层

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230 nm远紫外LED封装器件制备与应用研究

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作者 李文博 李文涛 +3 位作者 汤乐明 杨勇 许奇明 沈雁伟 《光电子技术》 CAS 2023年第3期233-237,共5页

制备了230 nm远紫外LED封装器件,并研究了氟树脂材料应用于封装器件对光电性能与可靠性的影响,结果表明氟树脂材料封装可使230 nm远紫外LED封装器件光功率提升13%,可达1 mW以上,并未对器件老化性能造成影响。但测试也发现当前230 nm远紫... 制备了230 nm远紫外LED封装器件,并研究了氟树脂材料应用于封装器件对光电性能与可靠性的影响,结果表明氟树脂材料封装可使230 nm远紫外LED封装器件光功率提升13%,可达1 mW以上,并未对器件老化性能造成影响。但测试也发现当前230 nm远紫外LED封装器件性能还有所不足,光电转换效率小于0.1%,常温老化216 h光维持率为45%。以230 nm远紫外LED封装器件作为光源进行吸光度检测,测试结果显示当光程为1 cm时硝酸盐氮浓度在0~15 mg/L范围与吸光度成线性相关,可用于水质中硝酸盐氮浓度的检测。 展开更多

关键词 远紫外 氟树脂材料 光电转换效率 硝酸盐氮检测

原文传递

一种应用于MIPI D-PHY的高速SLVS驱动电路

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作者 孟令硕 胡友德 +2 位作者 韦援丰 蔡刚 黄志洪 《微电子学与计算机》 2023年第7期89-96,共8页

介绍了一种采用SMIC 14nm FinFET工艺制造的应用于MIPI D-PHY的高速SLVS驱动电路.分析了传统电平提升结构下拉网络延迟较大的问题,通过使用中和电容降低回馈噪声影响,同时交叉耦合结构中加入调整支路以平衡上拉网络与下拉网络,实现了输... 介绍了一种采用SMIC 14nm FinFET工艺制造的应用于MIPI D-PHY的高速SLVS驱动电路.分析了传统电平提升结构下拉网络延迟较大的问题,通过使用中和电容降低回馈噪声影响,同时交叉耦合结构中加入调整支路以平衡上拉网络与下拉网络,实现了输出节点更快速率的充放电.针对驱动电路转换期间寄生电容造成的信号过冲问题,通过加入耦合电容减弱转换期间流经晶体管的电流,降低输出信号超调量,减少开关管在转换期间造成的共模扰动.传统驱动方案中开关管和尾电流管源漏电压过低导致面积开销过大,通过将开关控制路径与共模反馈调节路径并联以节省晶体管面积.为了补偿信道对信号高频分量的衰减,通过检测信号跳变并生成脉冲信号驱动预加重电路来增加信号高频分量,从而提高眼图质量,实现更高频率的数据传输.测试结果表明,在1.8 V电源电压下,输出共模电平200 mV,电压摆幅200 mV,工作速度高达4 Gbps,总功耗约4.25 mW,能量效率1.0625 mW/Gb/s.在3.6 Gbps和4 Gbps速率下结构优化后输出眼图水平张开度分别提高了0.08 UI、0.07 UI. 展开更多

关键词 SLVS 共模噪声 预加重 低电压差分信号

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约瑟夫森结工艺系统

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作者 熊康林 冯加贵 +4 位作者 夏慧枝 杨慧永 赵宇坤 陆书龙 张永红 《真空》 CAS 2022年第2期1-5,共5页

超导电子学和超导量子信息等领域的核心元器件是约瑟夫森结,这是一种超导体/介质层/超导体三层结构的非线性器件。超导量子比特常用铝/氧化铝/铝结构的结,在量子芯片上制备这种约瑟夫森结,需要在衬底不离开真空环境的条件下,实施离子束... 超导电子学和超导量子信息等领域的核心元器件是约瑟夫森结,这是一种超导体/介质层/超导体三层结构的非线性器件。超导量子比特常用铝/氧化铝/铝结构的结,在量子芯片上制备这种约瑟夫森结,需要在衬底不离开真空环境的条件下,实施离子束刻蚀、样品方位角可调的电子束蒸发、气氛可控氧化等工艺过程。自主研发的约瑟夫森结工艺系统是一套集成了三个工艺腔室的超高真空系统,样品可以自动在不同腔室中传输并完成三种工艺过程,系统的工艺性能经过了验证。 展开更多

关键词 超导电路 约瑟夫森结 离子刻蚀 电子束蒸发

原文传递

基于超导铝的低损耗共面波导谐振器 被引量：2

10

作者 郑煜臻 朱博杰 +9 位作者 武彪 黄永丹 陈建 黄荣 孙骏逸 贾浩林 顾俊 熊康林 冯加贵 杨辉(导师) 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期428-435,共8页

研制具有实用价值的超导量子系统需要进一步提高量子比特的质量,目前材料及核心表界面缺陷是限制量子比特相干时间的重要因素。微波谐振器作为超导量子芯片的重要组成部分,可用于表征材料质量及相关器件制备工艺优劣。利用分子束外延(M... 研制具有实用价值的超导量子系统需要进一步提高量子比特的质量,目前材料及核心表界面缺陷是限制量子比特相干时间的重要因素。微波谐振器作为超导量子芯片的重要组成部分,可用于表征材料质量及相关器件制备工艺优劣。利用分子束外延(MBE)技术在本征硅(111)衬底上生长铝膜,制备λ/4共面波导谐振器。通过硅衬底的处理和高质量铝薄膜的制备,在20 mK的温度和近单光子探测功率下将谐振器本征品质因子提升到10^(6)。 展开更多

关键词 量子电子学 共面波导谐振器 低损耗 品质因子 单光子

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超高真空磁控溅射生长铌薄膜 被引量：1

11

作者 杨丽娜 丁增千 +4 位作者 李睿颖 周博艺 熊康林 冯加贵 张永红 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期607-612,共6页

金属铌的超导转变温度高,在超导电子学和超导量子电路中有着广泛的应用。铌膜通常采用常规磁控溅射设备进行制备。为了改善铌膜的质量,利用超高背景真空的磁控溅射设备进行铌膜制备工艺的研究非常重要。结合真空分析表征、低温输运测量... 金属铌的超导转变温度高,在超导电子学和超导量子电路中有着广泛的应用。铌膜通常采用常规磁控溅射设备进行制备。为了改善铌膜的质量,利用超高背景真空的磁控溅射设备进行铌膜制备工艺的研究非常重要。结合真空分析表征、低温输运测量等技术系统性地研究了溅射参数对铌膜表面粗糙度和晶粒大小的调控,并分析了生长条件对铌膜超导转变温度和剩余电阻比的影响。利用硅上铌膜制备的共面波导谐振器,在10 mK温度,单光子激励下,本征品质因子超过一百万,表明超高真空磁控溅射生长的铌膜微波损耗极低。 展开更多

关键词 超高真空磁控溅射 铌膜 表面粗糙度 剩余电阻比 微波谐振器

原文传递

超导量子芯片集成技术概述 被引量：3

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作者 郑伟文 李晓伟 +1 位作者 熊康林 冯加贵 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1143-1148,共6页

超导量子与传统半导体技术兼容性好,具有微纳制造工艺成熟、系统集成度高、可扩展性好等优点,是最有可能实现通用量子计算的方案之一。经过近几十年的快速发展,超导量子在退相干时间、门保真度、比特规模化集成等方面都取得了很大的进... 超导量子与传统半导体技术兼容性好,具有微纳制造工艺成熟、系统集成度高、可扩展性好等优点,是最有可能实现通用量子计算的方案之一。经过近几十年的快速发展,超导量子在退相干时间、门保真度、比特规模化集成等方面都取得了很大的进展。然而要实现超导量子计算机的商业化应用,比特数量至少需要突破1000量级,而要实现通用量子计算则需要百万量级。因此,量子比特的大规模集成技术将成为未来10年内的重点发展方向之一。文章基于传统半导体封装技术的发展历程以及世界前沿的超导量子封装集成技术路线,对超导量子比特从10量级到1000量级,再到通用化量子计算集成技术进行阐述和分析。 展开更多

关键词 超导 封装集成技术 综述 量子比特 半导体

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化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 被引量：7

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作者 韩跃斌 蒲勇 施建新 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1300-1308,共9页

碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体... 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体产业不同,碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据承上启下的重要位置,而且也是整个产业链中最复杂、最难开发的设备。本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应室设计和材料科学的发展,介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展,最后分析了CVD法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。 展开更多

关键词 碳化硅 外延生长设备 化学气相沉积 外延生长机理 反应室 第三代半导体 宽禁带半导体

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基于Te-PEDOT:PSS复合热电材料的柔性压力/温度传感系统 被引量：1

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作者 杨林 李玥 +3 位作者 伏雷 石晓琴 李铁 张珽 《中国科学：技术科学》 EI CSCD 北大核心 2023年第4期487-498,共12页

随着人工智能技术的快速发展,面向人机交互技术的新型柔性传感器的需求与日俱增.柔性传感器作为智能机械手、仿生假肢手等仿生智能系统获取外界信息的重要媒介,对实现仿生触觉感知能力以及提升系统智能化具有重要意义.当前,如何通过材... 随着人工智能技术的快速发展,面向人机交互技术的新型柔性传感器的需求与日俱增.柔性传感器作为智能机械手、仿生假肢手等仿生智能系统获取外界信息的重要媒介,对实现仿生触觉感知能力以及提升系统智能化具有重要意义.当前,如何通过材料与结构设计,研制具有多模态感知能力的柔性触觉传感器,已成为柔性电子领域关键挑战之一.本文采用水热法制备了Te-聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Te-PEDOT:PSS)复合热电材料.通过将其与三维多孔密胺泡沫骨架复合,并浸涂聚乙烯醇(PVA)薄层进行封装,实现了具有高界面稳定性的复合敏感材料体系可控制备.由此所组装的柔性触觉传感器件兼具Te-PEDOT:PSS的热电性能与三维泡沫电极板的电容性能,实现了压力/温度在接触/非接触模式下的双模态感知能力.进一步将其与智能机械手联用构建了感知反馈系统,对其在触觉感知方面应用性能进行了探索. 展开更多

关键词 智能机械手 人机交互 柔性传感器 双模态感知 非接触式 接触式 温度 压力

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基于MOCVD生长的4.6μm中红外量子级联激光器 被引量：5

15

作者 庞磊 程洋 +5 位作者 赵武 谭少阳 郭银涛 李波 王俊 周大勇 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第6期179-184,共6页

中红外量子级联激光器在红外对抗、痕量气体检测、自由空间光通信等领域具有广阔的应用前景,采用MOCVD生长量子级联激光器的方法具有生产效率高、可做再生长、便于多组分生长等优点。报道了可室温连续波工作的中红外量子级联激光器,波长... 中红外量子级联激光器在红外对抗、痕量气体检测、自由空间光通信等领域具有广阔的应用前景,采用MOCVD生长量子级联激光器的方法具有生产效率高、可做再生长、便于多组分生长等优点。报道了可室温连续波工作的中红外量子级联激光器,波长4.6μm,采用MOCVD生长应变补偿的InGaAs/InAlAs材料。实验探究了不同掺杂对芯片性能的影响,通过优化掺杂浓度提升了器件性能。腔长3 mm,脊宽13μm的芯片在288 K的温度下,脉冲模式下最大峰值功率达到722 mW,电光转换效率和阈值电流密度分别为6.3%和1.04 kA/cm^(2),在连续模式下功率输出达到364 mW。文中成功实现了用MOCVD生长中红外量子级联激光器,为中红外波段的激光应用提供了技术支撑。 展开更多

关键词 中红外 量子级联激光器 金属有机物化学气相沉积 掺杂优化 连续波工作

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单层硅烯表面的CoPc分子吸附研究

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作者 陈建 熊康林 冯加贵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期8-14,共7页

由于低维材料表面上的单原子和分子具有丰富的物理化学性质,现已经成为量子器件及催化科学等领域的研究热点.单层硅烯在不同的衬底制备温度下,表现出丰富的超结构,这些超结构为实现有序的单原子或分子吸附提供了可靠的模板.利用原位硅... 由于低维材料表面上的单原子和分子具有丰富的物理化学性质,现已经成为量子器件及催化科学等领域的研究热点.单层硅烯在不同的衬底制备温度下,表现出丰富的超结构,这些超结构为实现有序的单原子或分子吸附提供了可靠的模板.利用原位硅烯薄膜制备,分子沉积,超高真空扫描隧道显微镜以及扫描隧道谱,本文研究了Ag(111)衬底上3种硅烯超结构((4×4),(√13×√13),(2√3×2√3))的电子态结构,表面功函数随超结构的变化,以及CoPc分子在这3种超结构硅烯上的吸附行为.研究结果表明,这3种超结构的硅烯具有类似的电子能带结构,且存在电子从Ag(111)衬底转移到硅烯上的可能性,从而导致硅烯的表面功函数增大,表面功函数在原子级尺度上的变化对分子的选择性吸附起着重要作用.此外,还观察到分子与硅烯的相互作用导致CoPc分子的电子结构发生对称性破缺. 展开更多

关键词 硅烯 电子结构 分子吸附 对称性破缺

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面向分子科学的数据智能 被引量：2

17

作者 李淹博 江俊 罗毅 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第17期2184-2196,共13页

分子科学是化学的核心,也是生物、材料、药学等学科的基础.传统的分子科学研究通过实验或理论手段进行,研究成本高、周期长,难以处理高复杂度体系.随着大数据时代的到来,数据驱动的人工智能研究已成为继实验、理论和模拟之后的第4种科... 分子科学是化学的核心,也是生物、材料、药学等学科的基础.传统的分子科学研究通过实验或理论手段进行,研究成本高、周期长,难以处理高复杂度体系.随着大数据时代的到来,数据驱动的人工智能研究已成为继实验、理论和模拟之后的第4种科学研究范式.数据驱动的机器学习凭借其快速高效的数据处理能力,在分子科学领域展现出巨大的发展潜力.尤其是在分子性质预测、分子设计、化学反应预测及逆合成、量子化学计算、自动化合成等领域获得了广泛应用.本文首先介绍面向分子科学数据智能研究过程中的3个关键部分,即分子科学开放数据集、分子描述符和机器学习算法;然后,列举机器学习在不同分子科学研究方向中的重要应用案例;最后,分析讨论该研究领域可能存在的挑战及潜在发展方向. 展开更多

关键词 分子科学 数据智能 分子性质预测 化学反应预测 自动化合成

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量子电路设计软件的框架与实现

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作者 郑煜臻 冯加贵 熊康林 《软件导刊》 2021年第8期134-139,共6页

超导量子电路被认为是量子计算领域最有前景的物理实现方法之一。随着超导量子比特数量的增加,目前急需一款量子电路自动化设计软件提高设计效率、增强可靠性。介绍基于Wolfram语言的cQED软件框架与实现方案,从几何图案中提取器件的电参... 超导量子电路被认为是量子计算领域最有前景的物理实现方法之一。随着超导量子比特数量的增加,目前急需一款量子电路自动化设计软件提高设计效率、增强可靠性。介绍基于Wolfram语言的cQED软件框架与实现方案,从几何图案中提取器件的电参数,为给定的电路网络生成哈密顿量,然后通过求解薛定谔方程研究电路动力学。该软件还可以完成量子比特的放置与布线,将产生的图形保存为半导体物理版图,优化量子电路设计流程。 展开更多

关键词 超导量子电路 量子计算 电路设计工具

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基于RISCV架构的CORDIC指令集设计与实现

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作者 郑添 蔡刚 黄志洪 《单片机与嵌入式系统应用》 2022年第8期20-23,共4页

本文提出了一种基于RISCV架构的CORDIC指令集及实现方法,可直接减少执行的指令数量,通过采用独热码编码来减少译码逻辑资源的消耗,通过复用处理器算术逻辑单元来减少算术逻辑资源的消耗,通过预存特殊角度结果来减少计算时间,通过优化选... 本文提出了一种基于RISCV架构的CORDIC指令集及实现方法,可直接减少执行的指令数量,通过采用独热码编码来减少译码逻辑资源的消耗,通过复用处理器算术逻辑单元来减少算术逻辑资源的消耗,通过预存特殊角度结果来减少计算时间,通过优化选择电路来提高工作频率。该方法在Zynq 7020平台上进行了实现。结果表明,相较于使用基础处理器指令计算的方法,指令数量压缩了97%,计算时间减少了43%;相较于传统CORDIC电路进行计算的方法,寄存器资源减少了79%,工作频率提升了65%,计算时间减少了39%。 展开更多

关键词 RISCV CORDIC指令集 处理器 FPGA

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超导量子电路材料 被引量：5

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作者 熊康林 冯加贵 +5 位作者 郑亚锐 崔江煜 翁文康 张胜誉 李顺峰 杨辉 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期143-162,共20页

超导量子电路由超导的电容、电感、约瑟夫森结、传输线构成,在超低温下表现出宏观量子效应.由于超导体自身的耗散极低,超导量子电路的一个重要应用研究方向是具有长相干时间的超导量子比特.超导量子电路沿用了传统集成电路的微纳米制造... 超导量子电路由超导的电容、电感、约瑟夫森结、传输线构成,在超低温下表现出宏观量子效应.由于超导体自身的耗散极低,超导量子电路的一个重要应用研究方向是具有长相干时间的超导量子比特.超导量子电路沿用了传统集成电路的微纳米制造工艺,包含多个超导量子比特的芯片也能进行规模化加工和封装.但是,在超导量子电路的结构设计、材料制备、芯片制造、工作环境等各个环节都会引入耗散通道,限制了超导量子比特的相干性.从微观机理上分析,这其中大部分通道都与量子电路材料及表界面相关,因此从材料和工艺出发,全方位探索高质量超导量子电路的制备是进一步推进其应用的必然趋势. 展开更多

关键词 超导量子比特 退相干 二能级系统 准粒子 约瑟夫森结

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