期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到301篇文章
< 1 2 … 16 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
高性能模拟集成电路工艺技术 被引量：7
1
作者 何开全 谭开洲 李荣强 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期398-401,共4页
　介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。
关键词 模拟集成电路 BICMOS 互补双极工艺 SOI 深槽介质隔离
下载PDF
模拟集成电路的特点及设计平台 被引量：3
2
作者 李儒章 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期356-362,共7页
　讨论了常规和射频模拟集成电路(IC)设计和工艺的特点,介绍了模拟集成电路设计平台,着重论述了电子设计自动化的软件工具、硬件平台,以及设计与工艺接口的设计数据库。详细介绍了模拟IC及RFIC的设计流程和工艺设计包。
关键词 模拟集成电路 射频模拟集成电路 电子设计自动化 设计流程
下载PDF
模拟集成电路测试平台建设 被引量：3
3
作者 蒋和全 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期363-365,共3页
　简述了模拟集成电路(IC)测试平台的概念和特点、国内外模拟IC测试平台的发展动态及差距,对模拟IC测试平台的建设与发展提出了建议。
关键词 模拟集成电路 测试平台 测试软件 测试方法库
下载PDF
射频集成电路测试技术研究 被引量：5
4
作者 蒲林 任昶 蒋和全 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期110-113,共4页
　射频集成电路(RFIC)是无线通信、雷达等电子系统中非常关键的器件,由于其高频特点,准确评估RFIC的性能具有相当的难度。文章以射频低噪声放大器(LNA)为例,运用微波理论,分析了RFIC典型参数,如S参数、带宽、P1dB、OIP3以及噪声系数等... 　射频集成电路(RFIC)是无线通信、雷达等电子系统中非常关键的器件,由于其高频特点,准确评估RFIC的性能具有相当的难度。文章以射频低噪声放大器(LNA)为例,运用微波理论,分析了RFIC典型参数,如S参数、带宽、P1dB、OIP3以及噪声系数等的测试原理和测试方法,并对影响RFIC性能测试的主要因素进行了分析。最后,给出了一种LNA电路的测试结果。 展开更多
关键词 射频集成电路 低噪声放大器 微带线 阻抗匹配 集成电路测试
下载PDF
一种硅光电接收处理集成电路的技术研究 被引量：2
5
作者 杨卫东 张正璠 +2 位作者 李开成 欧红旗 黄文刚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期767-769,773,共4页
介绍了一种在硅衬底上集成光电二极管探测器和双极接收放大处理电路的单芯片光电集成电路OEIC。从理论上阐述了光电器件实现的原理;为实现光电探测二极管与单片双极集成电路的兼容,设计了光电探测器的专用结构,并研制了光电探测器的专... 介绍了一种在硅衬底上集成光电二极管探测器和双极接收放大处理电路的单芯片光电集成电路OEIC。从理论上阐述了光电器件实现的原理;为实现光电探测二极管与单片双极集成电路的兼容,设计了光电探测器的专用结构,并研制了光电探测器的专用模型。对接收处理电路进行了模拟仿真和优化设计。建立了与双极工艺兼容的制作光电二极管探测器的专用工艺;采用该工艺,对光电器件进行了版图设计、工艺制作和测试研究,给出了初步试验的方法和结果。 展开更多
关键词 双极兼容工艺 光电二极管 光电探测器 互阻放大电路 双极集成电路
下载PDF
混合集成电路内部气氛研究 被引量：6
6
作者 肖玲 徐学良 李伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期157-160,共4页
　文章介绍了混合集成电路内部气氛控制办法。由截断气氛来源入手,从材料的选用、工艺参数的设置、工艺过程的控制等三方面进行了分析,在控制混合电路内部气氛上取得了明显效果。
关键词 混合集成电路 内部气氛控制 聚合材料 可靠性
下载PDF
一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路
7
作者 谭开洲 石红 +4 位作者 杨国渝 胡刚毅 蒲大勇 冯健 毛儒炎 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期164-167,共4页
　介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在... 　介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成。 展开更多
关键词 智能功率集成电路 SOI CMOS LDMOS VDMOS
下载PDF
铁氧体驱动与双路功率MOS单片集成电路研究
8
作者 石红 谭开洲 +1 位作者 蒲大勇 冯建 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期19-22,29,共5页
介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路。其内建驱动器工作电压9 V,功率MOS管极限电压大于80 V,工作电流3 A。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路,以及过频过压保护等功能,采用键合SOI深槽的CMO... 介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路。其内建驱动器工作电压9 V,功率MOS管极限电压大于80 V,工作电流3 A。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路,以及过频过压保护等功能,采用键合SOI深槽的CMOS/LDMOS工艺制作。 展开更多
关键词 铁氧体驱动器 功率MOS管 专用集成电路 D/A转换器 SOI
下载PDF
军用射频集成电路技术发展趋势
9
作者 刘沛 王健安 赖凡 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期663-666,共4页
目前,美国仍然占据世界国防军事微电子科学技术的主导地位,是军用微电子发展战略思想的引领者。长期以来,美国国防高级研究计划局(DARPA)策划并成功组织实施了许多先进军用集成电路发展项目。射频集成电路(RFIC)是实现通信、雷达、电子... 目前,美国仍然占据世界国防军事微电子科学技术的主导地位,是军用微电子发展战略思想的引领者。长期以来,美国国防高级研究计划局(DARPA)策划并成功组织实施了许多先进军用集成电路发展项目。射频集成电路(RFIC)是实现通信、雷达、电子战系统的关键器件,是DARPA大力发展的重要技术之一。通过分析DARPA军用RFIC系列项目的现状和未来发展规划,提出了高速、高频、宽带、智能化的RFIC技术发展趋势。 展开更多
关键词 射频集成电路 DARPA 智能化
原文传递
基于GaN的高频高功率密度混合集成电源设计
10
作者 朱伟龙 王鹏 +1 位作者 郑辰雅 孙鹏飞 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第3期102-109,共8页
混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V... 混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V输入、5V/20A输出的混合集成DC-DC变换器。该变换器开关频率800kHz,峰值效率达92%。详细阐述了有源箝位功率电路设计、GaNHEMT驱动电路寄生参数与震荡电压控制、同步整流时序与死区时间优化、厚膜混合集成工艺及散热的设计方法和技术细节,并通过仿真与样机实验,验证和展示了GaNHEMT和混合集成电路在高功率密度和高效率方面的优势。 展开更多
关键词 混合集成电路 有源箝位正激 氮化镓 同步整流 高可靠
下载PDF
功率混合集成电路键合强度控制研究 被引量：4
11
作者 徐学良 肖玲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期279-282,共4页
通过引入铜过渡键合垫片,取消了金铝键合系统,改用铝铝键合,以提高功率混合集成电路内引线键合强度的可靠性等级,满足某些特殊领域的要求。运用SPC控制,对键合工艺进行了有效控制,使功率混合集成电路内引线键合强度和键合工序能力得到... 通过引入铜过渡键合垫片,取消了金铝键合系统,改用铝铝键合,以提高功率混合集成电路内引线键合强度的可靠性等级,满足某些特殊领域的要求。运用SPC控制,对键合工艺进行了有效控制,使功率混合集成电路内引线键合强度和键合工序能力得到了较大的提高。 展开更多
关键词 混合集成电路 功率集成电路 键合强度 铜过渡垫片 电镀 工序能力
下载PDF
一种单片集成压力传感器信号调理电路的设计 被引量：3
12
作者 李思颖 张正元 +2 位作者 汤洁 丁大胜 张皓博 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期78-80,100,共4页
针对单片集成压力传感器输出幅度较小、温度漂移会引起压力精度变化等难题，提出了一种新型的信号调理电路。该电路通过两个差分放大电路和四个D／A转换器来解决单片集成压力传感器的小输出和温度漂移问题。仿真结果表明，在5V电源电压... 针对单片集成压力传感器输出幅度较小、温度漂移会引起压力精度变化等难题，提出了一种新型的信号调理电路。该电路通过两个差分放大电路和四个D／A转换器来解决单片集成压力传感器的小输出和温度漂移问题。仿真结果表明，在5V电源电压下，在0℃～85℃温度范围内，信号调理电路的最大误差可以减少到满量程输出的1．8％。 展开更多
关键词 单片集成压力传感器 温度补偿 信号调理电路
原文传递
单片集成压力传感器及弱信号处理电路的设计 被引量：4
13
作者 周旭华 徐世六 张正元 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期672-675,680,共5页
通过分析硅压敏电阻与晶向的关系,找到力敏电阻在硅膜片上的最佳位置。经测量,在10～400kPa范围内,压阻电桥的灵敏度约为0.36mV/kPa。提出一种由惠斯登电桥双端输出和双级放大器组成的电路结构,以对称的输入结构和全摆幅输出,解决了传... 通过分析硅压敏电阻与晶向的关系,找到力敏电阻在硅膜片上的最佳位置。经测量,在10～400kPa范围内,压阻电桥的灵敏度约为0.36mV/kPa。提出一种由惠斯登电桥双端输出和双级放大器组成的电路结构,以对称的输入结构和全摆幅输出,解决了传感器输出小、易产生零点漂移的问题。用Cadence软件对电路进行模拟,在5V电源电压下,该放大电路的输出范围为0.036～4.953V,开环增益为110dB,CMRR为105.8dB,相位裕度为63.68°,可满足压力传感器的要求。 展开更多
关键词 压力传感器 压敏电阻 单片集成电路 弱信号处理电路
原文传递
一种单片集成硅压力传感器的放大控制电路设计 被引量：3
14
作者 曾鹏 张正元 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1826-1828,1831,共4页
针对单片集成压力传感器信号的识取和处理,提出了一种高增益、全摆幅的运算放大电路.电路采用两级放大,具有对称的输入结构和全摆幅输出结构.将电路通过计算机软件PSPICE进行模拟,在5V的电源电压下,放大电路开环增益可达到110dB,输出范... 针对单片集成压力传感器信号的识取和处理,提出了一种高增益、全摆幅的运算放大电路.电路采用两级放大,具有对称的输入结构和全摆幅输出结构.将电路通过计算机软件PSPICE进行模拟,在5V的电源电压下,放大电路开环增益可达到110dB,输出范围可达0.1V^4.9V.利用此电路可以构成仪表放大器,从而进一步设计出集成压力传感器. 展开更多
关键词 压力传感器 双极型放大器 仪表放大器
下载PDF
一种高压集成电容结构的可靠性研究
15
作者 王坤 谭开洲 +4 位作者 唐昭焕 殷万军 罗俊 黄磊 王斌 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期115-117,126,共4页
针对一种下极板独立的700V高压集成电容,进行了瞬态可靠性研究。研究表明,随着电容下极板尺寸的增加,电容的瞬态可靠性下降。用器件仿真软件MEDICI计算得出,在瞬态电压上升沿为200ns的情况下,电容下极板最大可靠宽度为124μm;同时,还得... 针对一种下极板独立的700V高压集成电容,进行了瞬态可靠性研究。研究表明,随着电容下极板尺寸的增加,电容的瞬态可靠性下降。用器件仿真软件MEDICI计算得出,在瞬态电压上升沿为200ns的情况下,电容下极板最大可靠宽度为124μm;同时,还得出一系列上升沿时间小于200ns的电容结构下极板最大可靠宽度。 展开更多
关键词 高压集成电路 电容 可靠性
原文传递
一种基于0.18μm CMOS工艺的上电复位电路 被引量：6
16
作者 张俊安 陈良 +3 位作者 杨毓军 张瑞涛 王友华 余金山 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期238-241,共4页
介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的上电复位电路。为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点;利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度;利用施密特触发器,增加了电路... 介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的上电复位电路。为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点;利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度;利用施密特触发器,增加了电路的迟滞效果。电路全部采用MOS管设计,大大缩小了版图面积。该上电复位电路用于一种数模混合信号芯片,采用0.18μm CMOS工艺进行流片。芯片样品电路测试表明,该上电复位电路工作状态正常。 展开更多
关键词 上电复位电路 低阈值电压 CMOS NMOS
原文传递
微纳米CMOS VLSI电路可靠性仿真与设计 被引量：5
17
作者 罗俊 郝跃 +8 位作者 秦国林 谭开洲 王健安 胡刚毅 许斌 刘凡 黄晓宗 唐昭焕 刘勇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期255-260,共6页
介绍了CMOS VLSI的可靠性建模和仿真技术的发展历史、相应的仿真工具、失效机理等效电路和算法,重点总结了当前最新的CMOS超大规模集成电路可靠性建模仿真技术,为促进我国集成电路可靠性设计水平起到积极的作用。
关键词 微纳米CMOS 超大规模集成电路 可靠性建模 可靠性仿真
原文传递
一种新型无运放CMOS带隙基准电路 被引量：14
18
作者 冯树 王永禄 张跃龙 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期336-339,共4页
介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传... 介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.18μm标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真。采用2.5V电源电压,在-40℃～125℃温度范围的温度系数为6.73×10-6/℃,电源抑制比为54.8dB,功耗仅有0.25mW。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 无运放基准源 启动电路
原文传递
硅各向异性浅槽腐蚀实验研究 被引量：4
19
作者 杨增涛 冷俊林 +4 位作者 梅勇 黄磊 杨正兵 李燕 刘晓莉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第4期513-516,519,共5页
通过实验分析,对比了异丙醇(IPA)和超声波对Si(100)面在KOH溶液和四甲基氢氧化氨(TMAH)溶液中的浅槽腐蚀速率及其表面形态的影响。实验结果表明,IPA能降低TMAH溶液的腐蚀速率,但IPA在KOH溶液中腐蚀速率降低不明显;IPA加入到较高浓度的KO... 通过实验分析,对比了异丙醇(IPA)和超声波对Si(100)面在KOH溶液和四甲基氢氧化氨(TMAH)溶液中的浅槽腐蚀速率及其表面形态的影响。实验结果表明,IPA能降低TMAH溶液的腐蚀速率,但IPA在KOH溶液中腐蚀速率降低不明显;IPA加入到较高浓度的KOH溶液中,会在Si表面产生较大小丘,恶化了Si腐蚀表面的质量,但在TMAH溶液中加入一定量的IPA会改善腐蚀表面的质量;超声波能加快腐蚀速率并能改善Si腐蚀表面质量,但对于加入IPA的较高浓度KOH溶液,超声波未能消除Si腐蚀表面的小丘,另外,超声波还能减弱腐蚀过程中微尺寸沟槽的尺寸效应;在腐蚀条件和配比一定情况下,TMAH溶液的腐蚀质量比KOH溶液好。 展开更多
关键词 各向异性腐蚀 Si浅槽 KOH 四甲基氢氧化氨(TMAH)
下载PDF
一种同步降压型DC-DC转换器驱动电路设计 被引量：4
20
作者 苏丹 胡永贵 徐辉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期709-712,717,共5页
设计了一种适用于同步整流降压型DC-DC转换器的驱动电路,包含电平移位、死区时间控制及过零检测等模块。分析了电路整体及各个模块的结构和工作原理,并基于0.35μm BCD工艺模型库,通过Cadence Spectre进行仿真验证。仿真结果表明,本电... 设计了一种适用于同步整流降压型DC-DC转换器的驱动电路,包含电平移位、死区时间控制及过零检测等模块。分析了电路整体及各个模块的结构和工作原理,并基于0.35μm BCD工艺模型库,通过Cadence Spectre进行仿真验证。仿真结果表明,本电路可以有效地控制死区时间,抑制反向电流,提高转换器的效率。 展开更多
关键词 同步整流 驱动电路 电平移位 死区时间 过零检测
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 16 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部