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子阵级自适应单脉冲的四通道主瓣干扰抑制
被引量：
26
1
作者
胡航
张皓
+1 位作者
宗成阁
徐颖
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2009年第5期820-825,984,共7页
子阵级自适应单脉冲是将单脉冲估计应用于相控阵雷达必需采用的方法,而主瓣干扰抑制是其关键技术。针对平面相控阵,应用四通道单脉冲系统(其中双差通道作为辅助通道),提出子阵级四通道系统的信号模型。给出子阵级自适应单脉冲的主瓣干...
子阵级自适应单脉冲是将单脉冲估计应用于相控阵雷达必需采用的方法,而主瓣干扰抑制是其关键技术。针对平面相控阵,应用四通道单脉冲系统(其中双差通道作为辅助通道),提出子阵级四通道系统的信号模型。给出子阵级自适应单脉冲的主瓣干扰抑制方法;在对一个方向(俯仰或方位)的主瓣干扰进行抑制的同时,可使其正交方向(方位或俯仰)的单脉冲比保持不变(与静态单脉冲比相同)。该方法无需对自适应和、差波束的输出进行校正。仿真结果证明了其有效性。
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关键词
自适应单脉冲
子阵级相控阵
主瓣干扰
四通道系统
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职称材料
相控阵的两级子阵级加权方法研究
被引量：
8
2
作者
胡航
王泽勋
+1 位作者
刘伟会
朱淮城
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2009年第6期1038-1043,共6页
研究相控阵雷达的两级子阵级加权方法。其中第1级子阵级加权用于抑制差波束旁瓣,与Bayliss加权相比,降低了硬件成本与复杂度。第2级子阵级加权用于对和、差波束进行自适应干扰抑制。给出基于修正导向向量的方法,可有效抑制自适应方向图...
研究相控阵雷达的两级子阵级加权方法。其中第1级子阵级加权用于抑制差波束旁瓣,与Bayliss加权相比,降低了硬件成本与复杂度。第2级子阵级加权用于对和、差波束进行自适应干扰抑制。给出基于修正导向向量的方法,可有效抑制自适应方向图的旁瓣;且具有实现简单的优点,与基于预处理的方法相比有效降低了运算代价。采用修正导向向量与最优波束形成器的结合方法,提高了旁瓣抑制的灵活性;可在较好抑制旁瓣的同时,得到与最优波束形成器非常接近的SINR。仿真结果证明了所提出方法的有效性。
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关键词
子阵级相控阵
子阵级加权
旁瓣抑制
和
差波束
自适应方向图
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职称材料
一种有效的子阵级波束扫描旁瓣抑制方法
被引量：
3
3
作者
胡航
刘伟会
+1 位作者
吴群
肖勇
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2009年第4期593-597,666,共6页
在子阵级数字波束扫描中,方向图的旁瓣抑制是一个重要问题。分析了子阵级波束扫描的方向图特性。基于正态分布的期望子阵方向图来构造加权网络,得到了旁瓣很低的新子阵方向图,较好地抑制了子阵级波束扫描的方向图旁瓣;与基于理想空域滤...
在子阵级数字波束扫描中,方向图的旁瓣抑制是一个重要问题。分析了子阵级波束扫描的方向图特性。基于正态分布的期望子阵方向图来构造加权网络,得到了旁瓣很低的新子阵方向图,较好地抑制了子阵级波束扫描的方向图旁瓣;与基于理想空域滤波器的期望子阵方向图方法相比,显著改善了旁瓣抑制效果。仿真结果证明了所提出方法的有效性。
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关键词
子阵级波束扫描
旁瓣抑制
正态分布子阵方向图
加权网络
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职称材料
基于Ka波段分布式MEMS移相器芯片微封装研究(英文)
被引量：
2
4
作者
贺训军
吴群
+1 位作者
朱淮城
Lee Jongchul
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期23-28,共6页
本文提出一种适用于Ka波段分布式MEMS移相器的新型封装结构——具有垂直互连线的薄硅作为分布式MEMS移相器衬底,并用芯片微封装方法对移相器进行封装。采用CST模拟软件研究封装结构对移相器射频性能影响,模拟结构表明:当封装结构衬底厚...
本文提出一种适用于Ka波段分布式MEMS移相器的新型封装结构——具有垂直互连线的薄硅作为分布式MEMS移相器衬底,并用芯片微封装方法对移相器进行封装。采用CST模拟软件研究封装结构对移相器射频性能影响,模拟结构表明:当封装结构衬底厚度、垂直互连线半径和空腔高度分别为450μm、50μm和80μm时,Ka波段分布式MEMS移相器的插入损耗小于0．55 dB,回波损耗优于12 dB,相移量具有很好的线性关系,说明该新型封装结构非常适合RF MEMS器件低成本批量封装。
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关键词
KA波段
MEMS移相器
芯片微封装
薄衬底
垂直互连线
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职称材料
题名
子阵级自适应单脉冲的四通道主瓣干扰抑制
被引量：
26
1
作者
胡航
张皓
宗成阁
徐颖
机构
哈尔滨工业大学电子与信息
技术
研究院
毫米波/亚毫米波末制导技术国防科技重点实验室
出处
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2009年第5期820-825,984,共7页
基金
中国博士后科学基金面上资助项目(20080430905)
中国博士后科学基金特别资助项目(200902412)
+1 种基金
航空科学基金资助项目(20092077010)
航天支撑基金项目
文摘
子阵级自适应单脉冲是将单脉冲估计应用于相控阵雷达必需采用的方法,而主瓣干扰抑制是其关键技术。针对平面相控阵,应用四通道单脉冲系统(其中双差通道作为辅助通道),提出子阵级四通道系统的信号模型。给出子阵级自适应单脉冲的主瓣干扰抑制方法;在对一个方向(俯仰或方位)的主瓣干扰进行抑制的同时,可使其正交方向(方位或俯仰)的单脉冲比保持不变(与静态单脉冲比相同)。该方法无需对自适应和、差波束的输出进行校正。仿真结果证明了其有效性。
关键词
自适应单脉冲
子阵级相控阵
主瓣干扰
四通道系统
Keywords
adaptive monopulse
phased array at subarray level
mainlobe jamming
four-channel system
分类号
TN957.51 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
相控阵的两级子阵级加权方法研究
被引量：
8
2
作者
胡航
王泽勋
刘伟会
朱淮城
机构
哈尔滨工业大学电子与信息
技术
研究院
毫米波/亚毫米波末制导技术国防科技重点实验室
出处
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2009年第6期1038-1043,共6页
基金
中国博士后科学基金资助项目(20080430905)
中国博士后科学基金特别资助项目(200902412)
+1 种基金
航空科学基金资助项目(20092077010)
航天支撑基金项目
文摘
研究相控阵雷达的两级子阵级加权方法。其中第1级子阵级加权用于抑制差波束旁瓣,与Bayliss加权相比,降低了硬件成本与复杂度。第2级子阵级加权用于对和、差波束进行自适应干扰抑制。给出基于修正导向向量的方法,可有效抑制自适应方向图的旁瓣;且具有实现简单的优点,与基于预处理的方法相比有效降低了运算代价。采用修正导向向量与最优波束形成器的结合方法,提高了旁瓣抑制的灵活性;可在较好抑制旁瓣的同时,得到与最优波束形成器非常接近的SINR。仿真结果证明了所提出方法的有效性。
关键词
子阵级相控阵
子阵级加权
旁瓣抑制
和
差波束
自适应方向图
Keywords
phased array at subarray level
weighting at subarray level
sidelobe suppression
sum and difference beam
adaptive pattern
分类号
TN957.51 [电子电信—信号与信息处理]
TN911.7 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
一种有效的子阵级波束扫描旁瓣抑制方法
被引量：
3
3
作者
胡航
刘伟会
吴群
肖勇
机构
哈尔滨工业大学电子与信息
技术
研究院
毫米波/亚毫米波末制导技术国防科技重点实验室
出处
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2009年第4期593-597,666,共6页
基金
中国博士后科学基金资助项目(20080430905)
航天支撑基金项目
文摘
在子阵级数字波束扫描中,方向图的旁瓣抑制是一个重要问题。分析了子阵级波束扫描的方向图特性。基于正态分布的期望子阵方向图来构造加权网络,得到了旁瓣很低的新子阵方向图,较好地抑制了子阵级波束扫描的方向图旁瓣;与基于理想空域滤波器的期望子阵方向图方法相比,显著改善了旁瓣抑制效果。仿真结果证明了所提出方法的有效性。
关键词
子阵级波束扫描
旁瓣抑制
正态分布子阵方向图
加权网络
Keywords
beam scanning at sub-array level
side lobe suppression
sub-array pattern with normal distribution
weighting network
分类号
TN957.51 [电子电信—信号与信息处理]
TN911.7 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
基于Ka波段分布式MEMS移相器芯片微封装研究(英文)
被引量：
2
4
作者
贺训军
吴群
朱淮城
Lee Jongchul
机构
哈尔滨工业大学电子与信息
技术
研究院
哈尔滨理工大学应用科学学院 哈尔滨
毫米波
毫米波/亚毫米波末制导技术国防科技重点实验室
韩国光云大学无线电科学与工程系
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期23-28,共6页
文摘
本文提出一种适用于Ka波段分布式MEMS移相器的新型封装结构——具有垂直互连线的薄硅作为分布式MEMS移相器衬底,并用芯片微封装方法对移相器进行封装。采用CST模拟软件研究封装结构对移相器射频性能影响,模拟结构表明:当封装结构衬底厚度、垂直互连线半径和空腔高度分别为450μm、50μm和80μm时,Ka波段分布式MEMS移相器的插入损耗小于0．55 dB,回波损耗优于12 dB,相移量具有很好的线性关系,说明该新型封装结构非常适合RF MEMS器件低成本批量封装。
关键词
KA波段
MEMS移相器
芯片微封装
薄衬底
垂直互连线
Keywords
Ka band
MEMS phase shifter
wafer level micropackaging
thin substrate
vertical feedthrough
分类号
TH-39 [机械工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
子阵级自适应单脉冲的四通道主瓣干扰抑制
胡航
张皓
宗成阁
徐颖
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2009
26
下载PDF
职称材料
2
相控阵的两级子阵级加权方法研究
胡航
王泽勋
刘伟会
朱淮城
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2009
8
下载PDF
职称材料
3
一种有效的子阵级波束扫描旁瓣抑制方法
胡航
刘伟会
吴群
肖勇
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2009
3
下载PDF
职称材料
4
基于Ka波段分布式MEMS移相器芯片微封装研究(英文)
贺训军
吴群
朱淮城
Lee Jongchul
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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职称材料
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