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多晶硅炉氩气导流系统设计与数值模拟优化 被引量：3
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作者 苏文佳 左然 +1 位作者 程晓农 狄晨莹 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1236-1242,共7页
在DSS法多晶硅生长中,为了降低氧碳含量,作者利用CGSim软件,分析了三种传统氩气导流系统的优缺点,以此为基础设计了一种中心和侧面双排气的新型导流系统,并对其进行了设计和数值模拟优化。模拟得出以下结论:多晶铸锭炉三种传统氩气导流... 在DSS法多晶硅生长中,为了降低氧碳含量,作者利用CGSim软件,分析了三种传统氩气导流系统的优缺点,以此为基础设计了一种中心和侧面双排气的新型导流系统,并对其进行了设计和数值模拟优化。模拟得出以下结论:多晶铸锭炉三种传统氩气导流系统中,石墨坩埚上部开大孔且有盖板时,有利于控制氧碳含量和固/液界面;新型多晶铸锭炉氩气导流系统中,中心氩气进口管伸入上盖板时,有利于降低多晶硅的氧碳含量;随着石墨坩埚上部开口高度h'逐渐增大,中心出口氩气流速逐渐减小,侧面出口氩气流速增大,当h'=20 mm时,有利于降低多晶硅的氧碳含量。研究结果为生长高质量的多晶硅提供了理论依据。 展开更多
关键词 多晶硅 数值模拟 氩气导流 固 液界面
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