二维过渡金属硫属化合物相变方法的研究进展 被引量：2

1

作者 张浩哲 徐春燕 +2 位作者 南海燕 肖少庆 顾晓峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第24期27-41,共15页

近些年来,二维过渡金属硫属化合物因其具有独特的原子结构和能带特征而备受关注.过渡金属硫属化合物不仅存在稳定相,也存在一些亚稳相,这些亚稳相因其独特的电学和光学特性逐渐成为研究的热点.为了获得这些亚稳相,一种能够使过渡金属硫... 近些年来,二维过渡金属硫属化合物因其具有独特的原子结构和能带特征而备受关注.过渡金属硫属化合物不仅存在稳定相,也存在一些亚稳相,这些亚稳相因其独特的电学和光学特性逐渐成为研究的热点.为了获得这些亚稳相,一种能够使过渡金属硫属化合物在两种晶相之间可控相变的方法必不可少.本文首先对过渡金属硫属化合物的电学、力学和光学特性进行了总结,然后介绍了其不同的晶相结构特征,接着列举了目前报道的过渡金属硫属化合物的八种相变方法:化学气相沉积法、掺杂法、分子插层法、应力法、高温热处理法、激光引导法、等离子体处理法以及电场引导法,并且介绍了各自的研究进展,最后对本文涉及的相变方法进行了总结并列举了这些方法迄今为止所存在的一些问题.该文详细阐述了过渡金属硫属化合物的相变方法,为未来过渡金属硫属化合物的相变研究提供了一个很好的参考方向. 展开更多

关键词 二维硫属化合物 晶相结构 相变方法

下载PDF 职称材料

氮化镓基高电子迁移率晶体管Kink效应研究 被引量：1

2

作者 朱培敏 陈雷雷 +6 位作者 金宁 吴静 姜玉德 田葵葵 黄宜明 闫大为 顾晓峰 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第6期858-861,867,共5页

研究了氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)发生Kink效应的物理机制,并进行了实验测试。测试结果表明,当第一次扫描、漏极电压较大时,扩散进入耗尽区的电子在高场作用下形成热电子,碰撞电离出深能级施主态中的非平衡电子,第二次扫描... 研究了氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)发生Kink效应的物理机制,并进行了实验测试。测试结果表明,当第一次扫描、漏极电压较大时,扩散进入耗尽区的电子在高场作用下形成热电子,碰撞电离出深能级施主态中的非平衡电子,第二次扫描的Kink效应减弱。当第一次扫描、漏极电压较小时,扩散进入耗尽区的电子被浅能级缺陷态捕获,第二次扫描的Kink效应增强。在开态下,增大反向栅极电压,可减小沟道电子浓度,进而减小电子捕获效应,Kink效应减弱。在半开态和闭态下,Kink效应不显著。最终得出,GaN缓冲层内类施主型缺陷态对沟道电子的捕获和热电子辅助去捕获,是Kink效应发生的主要原因。 展开更多

关键词 氮化镓器件 高电子迁移率晶体管 KINK效应 热电子

原文传递

高速高精度ADC动态参数评估系统的设计与实现 被引量：5

3

作者 黄朴 冯洋 +2 位作者 虞致国 何芹 顾晓峰 《计算机测量与控制》 2016年第6期294-297,301,共5页

高速高精度模数转换器(ADC)广泛应用于信号处理领域,其动态性能直接决定系统性能的优劣;由于实际使用的芯片与设计的额定指标间会存在偏差,有必要评估ADC的实际动态性能;基于FPGA及Labview实现了一个低成本、高可靠性的高速高精度ADC性... 高速高精度模数转换器(ADC)广泛应用于信号处理领域,其动态性能直接决定系统性能的优劣;由于实际使用的芯片与设计的额定指标间会存在偏差,有必要评估ADC的实际动态性能;基于FPGA及Labview实现了一个低成本、高可靠性的高速高精度ADC性能评估系统;系统由底层控制待评估ADC子卡,提供精确的采样样本;采用异步FIFO进行数据缓存,DMA方式优化数据存储;Labview定义通信模块,结合Matlab测试脚本完成动态参数测试;最后使用ADI公司的AD9467进行了测试验证;实验结果表明,该系统运行稳定,与datasheet相比,参数误差不超过1.89%,达到了IEEE Std 1241-2000的测试标准,降低了测试系统构建难度和成本。 展开更多

关键词 模数转换器 动态参数 模块化 数据采集

下载PDF 职称材料

温和氢气等离子体对薄层二硫化钼的影响研究 被引量：2

4

作者 张学成 肖少庆 +3 位作者 南海燕 张秀梅 闫大为 顾晓峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期550-554,561,共6页

薄层二硫化钼(MoS_2)作为一种二维过渡金属硫属化合物(TMDC)具有较好的光学和电学特性,在目前的半导体光电功能器件领域中具有良好的应用前景。本文主要采用一种温和等离子体技术并在以氢气作为先驱气体的环境下对薄层二硫化钼进行处理... 薄层二硫化钼(MoS_2)作为一种二维过渡金属硫属化合物(TMDC)具有较好的光学和电学特性,在目前的半导体光电功能器件领域中具有良好的应用前景。本文主要采用一种温和等离子体技术并在以氢气作为先驱气体的环境下对薄层二硫化钼进行处理,研究处理前后以及后续退火后薄层二硫化钼的光学与电学特性的变化。研究表明,氢原子在温和等离子体的作用下会渗入薄层MoS_2,从而改变原始的晶格结构并影响MoS_2的晶格振动,导致荧光淬灭,同时使薄层MoS_2趋于本征或者p型。后续退火会引起极少数MoS_2分子与氢原子的重新键合,从而改变其带隙。 展开更多

关键词 薄层二硫化钼 温和等离子体 拉曼光谱 荧光 场效应晶体管

下载PDF 职称材料

基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究 被引量：2

5

作者 周晶晶 肖少庆 +1 位作者 姚尧 顾晓峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期623-628,共6页

本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(Si H_4)、氮气(N_2)和氢气(H_2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(Si Nx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X... 本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(Si H_4)、氮气(N_2)和氢气(H_2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(Si Nx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征。采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果。结果表明,氮硅原子比为0.4的Si N0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29%,而且其钝化效果最好。最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 m V。 展开更多

关键词 SINX 等离子体化学气相沉积 表面钝化 容性放电

下载PDF 职称材料

组份渐变电子阻挡层对InGaN/GaN LED光电特性的影响 被引量：1

6

作者 管婕 翟阳 +3 位作者 闫大为 罗俊 肖少庆 顾晓峰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期711-715,共5页

利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层(EBL)对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响。结果表明,三角形组份渐变EBL结构能有效减小器件的开启电压,提高光输出功率,改善高注入电流水平下发光效率的下降情况。能带模拟结果进一步表... 利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层(EBL)对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响。结果表明,三角形组份渐变EBL结构能有效减小器件的开启电压,提高光输出功率,改善高注入电流水平下发光效率的下降情况。能带模拟结果进一步表明,三角形组份渐变EBL结构显著提高了导带底的电子势垒,可有效限制电子向P型GaN层的泄露,同时减小了价带顶的空穴势垒,可增强P型GaN层的空穴向有源区的注入效率,改善其在量子阱内的浓度分布。 展开更多

关键词 InGaN/GaN发光二极管 组份渐变电子阻挡层 空穴注入效率

原文传递

基于In_(2)O_(3)纳米纤维的高响应及快速恢复的室温NO_(2)气体传感器研究 被引量：4

7

作者 包楠 张博 倪屹 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期168-174,共7页

由于暴露于NO_(2)气氛的高危害性,种类繁多的NO2气体传感器得以被开发。近年来,室温气体传感器引起了研究者的广泛关注,并且已经成为该领域一个流行的发展方向。然而,在低温下,传感器的响应值很低。此外,敏感材料表面的气体分子很难脱附... 由于暴露于NO_(2)气氛的高危害性,种类繁多的NO2气体传感器得以被开发。近年来,室温气体传感器引起了研究者的广泛关注,并且已经成为该领域一个流行的发展方向。然而,在低温下,传感器的响应值很低。此外,敏感材料表面的气体分子很难脱附,这会导致其恢复过程很慢。利用静电纺丝法和随后的煅烧工艺成功合成了In_(2)O_(3)纳米纤维,通过X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜证实了其成分和微结构。气敏测试结果表明,基于制备的In_(2)O_(3)纳米纤维气体传感器在室温下对NO_(2)表现出高响应。更重要的是,引入了一种有效的可见光照射法对所制备的传感器的恢复过程进行了加速。基于所有的实验数据,最后提出了一些合理的机理和解释。 展开更多

关键词 气体传感器 室温NO_(2)检测 静电纺丝法 In_(2)O_(3) 可见光照射

下载PDF 职称材料

基于RISC-V处理器的固件更新系统设计 被引量：3

8

作者 郭俊 虞致国 +1 位作者 洪广伟 顾晓峰 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2022年第4期298-303,共6页

为简化嵌入式开发人员更新RISC-V处理器固件的操作流程,提出了一种易操作、高效且稳定的固件更新系统设计方法,包括BootROM引导流程设计和在应用中编程(in-application programming,IAP)设计。在BootROM引导流程设计中,通过启动参数再... 为简化嵌入式开发人员更新RISC-V处理器固件的操作流程,提出了一种易操作、高效且稳定的固件更新系统设计方法,包括BootROM引导流程设计和在应用中编程(in-application programming,IAP)设计。在BootROM引导流程设计中,通过启动参数再配置的方法,可使此引导流程兼容多种启动模式,如SRAM启动、主内存启动。在IAP设计中,处理器先通过通用异步收发传输器(universal asynchronous receiver/transmitter,UART)接收从上位机发送过来的新固件,该固件采用Ymodem协议发送,再通过串行外设接口(serial peripheral interface,SPI)进行片外Flash的重新烧写,以完成对系统固件的更新,同时,为保证接收新固件的可靠性,加入了循环冗余校验(cyclic redundancy check,CRC)算法。在现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)上对该系统进行了多次测试,均完成了对系统固件的更新,验证了该设计的可行性与稳定性。 展开更多

关键词 RISC-V处理器 BootROM设计 在应用中编程(IAP) Ymodem协议 现场可编程门阵列(FPGA)

下载PDF 职称材料

基于金担载氧化钨纳米线的高性能三乙胺气体传感器研究 被引量：2

9

作者 王涛 张博 倪屹 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第9期1157-1166,共10页

作为一种有害性气体,三乙胺的检测备受关注。实际上,研究人员近年来已开发出基于多种敏感材料的三乙胺传感器。然而,梳理发现,现有三乙胺传感器的工作温度普遍偏高,且对低浓度三乙胺的检测潜力有限。借助静电纺丝法和高温煅烧工艺,成功... 作为一种有害性气体,三乙胺的检测备受关注。实际上,研究人员近年来已开发出基于多种敏感材料的三乙胺传感器。然而,梳理发现,现有三乙胺传感器的工作温度普遍偏高,且对低浓度三乙胺的检测潜力有限。借助静电纺丝法和高温煅烧工艺,成功制备出金担载的氧化钨纳米线。利用X射线粉末衍射、X射线光电子能谱、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜等手段对样品的微观结构和形貌进行了详尽表征。气敏测试表明,金担载的氧化钨对20×10^(-6)三乙胺的最佳检测温度较纯氧化钨降低了40℃,响应值却提升了4倍。最后给出了相应的敏感机理。 展开更多

关键词 气体传感器 三乙胺检测 静电纺丝 氧化钨 金担载

下载PDF 职称材料

一种具有子沟槽结构的屏蔽栅MOSFET的研究 被引量：2

10

作者 朱晨凯 赵琳娜 +2 位作者 顾晓峰 周锦程 杨卓 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期621-626,共6页

为了降低屏蔽栅沟槽型(SGT,Shield Gate Trench)MOSFET的导通电阻、提高器件的品质因数,通常使用增加屏蔽栅沟槽深度和密度的方法,但是在刻蚀高密度深沟槽时会使晶圆产生严重的翘曲现象。因此,提出一种100 V具有子沟槽(ST,Sub-Trench)的... 为了降低屏蔽栅沟槽型(SGT,Shield Gate Trench)MOSFET的导通电阻、提高器件的品质因数,通常使用增加屏蔽栅沟槽深度和密度的方法,但是在刻蚀高密度深沟槽时会使晶圆产生严重的翘曲现象。因此,提出一种100 V具有子沟槽(ST,Sub-Trench)的SGT(ST-SGT)器件结构。在相邻的主沟槽间插入子沟槽后,显著降低了器件栅极附近的电场峰值,避免栅氧化层出现过早击穿,同时较浅的子沟槽提升了外延层纵向电场分布的均匀性,改善了高密度深沟槽带来的晶圆翘曲问题。通过使用Sentaurus TCAD仿真软件,调节子沟槽深度和上层外延层电阻率两个重要参数,对ST-SGT进行优化设计。结果表明,当子沟槽深度为2.5μm、上层外延电阻率为0.23Ω·cm时,对应的ST-SGT的品质因数(FOM,Figure of Merit)最大,此时击穿电压为135.8 V,特征导通电阻为41.4 mΩ·mm^(2)。优化后的ST-SGT与传统SGT相比,其FOM提高了19.6%。 展开更多

关键词 屏蔽栅沟槽型MOSFET 电荷平衡 击穿电压 特征导通电阻 品质因数

下载PDF 职称材料

黑磷-二硫化钼异质结光电流特性的研究 被引量：2

11

作者 王潇雅 葛飞洋 +1 位作者 南海燕 肖少庆 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第11期2025-2031,共7页

黑磷是一种近年来新兴的二维材料,具有可调控窄带隙及宽光吸收谱、高载流子迁移率等优异光电特性,可用于实现中红外波段高速光电探测器。但是黑磷样品在空气中的不稳定性也是制约其应用的主要因素。二硫化钼作为二维层状过渡金属硫属化... 黑磷是一种近年来新兴的二维材料,具有可调控窄带隙及宽光吸收谱、高载流子迁移率等优异光电特性,可用于实现中红外波段高速光电探测器。但是黑磷样品在空气中的不稳定性也是制约其应用的主要因素。二硫化钼作为二维层状过渡金属硫属化物(TMDCs)中的典型代表,单层为直接带隙,双层及厚层为间接带隙,在可见光范围内有着较好的光电响应,但由于带隙范围的限制,在近红外的吸收较弱,几乎没有探测能力。基于此,本文通过构建二硫化钼在上,黑磷在下的垂直异质结构,通过硫化钼的保护作用实现了黑磷稳定性的提升,在空气环境中能够保持两个月之久;同时利用黑磷在近红外的吸收,增强了器件在近红外(940 nm)的响应。该异质结构对二维材料实现红外高性能的稳定探测有重要意义。 展开更多

关键词 黑磷 二硫化钼 异质结 光电流

下载PDF 职称材料

二维MoS_(2)/WSe_(2)异质结的光电性能研究 被引量：2

12

作者 皇甫路遥 戴梦德 +2 位作者 南海燕 顾晓峰 肖少庆 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第11期2075-2080,共6页

近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS_(2)的光电晶体管被广泛研究。虽然基于单层MoS_(2)的光电探测器表现出较高的响应度,但是其较低的载流子迁移率也限制了响应时间,约在秒量级。二维半导体的相互堆垛可以形成具有低缺陷态且... 近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS_(2)的光电晶体管被广泛研究。虽然基于单层MoS_(2)的光电探测器表现出较高的响应度,但是其较低的载流子迁移率也限制了响应时间,约在秒量级。二维半导体的相互堆垛可以形成具有低缺陷态且空间均匀的范德华异质结构,是提高二维光电探测器性能的有效途径。基于此本文通过机械剥离转移法构筑MoS_(2)/WSe_(2)垂直pn异质结,其较强的空间电荷区能有效地分离光生载流子,所以在自驱动状态下仍具有较好的光电探测能力,光响应度和探测率分别达到2.12×10^(3) A/W和2.33×10^(11) Jones,同时极大地缩短了响应时间,响应时间达到40 ms。这种二维异质结器件制备方法简易,性能优异,在光电子领域具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 MoS_(2)/WSe_(2) PN结 机械剥离转移法 二维范德华异质结构 光电探测器 过渡金属硫族化合物

下载PDF 职称材料

GaN基HEMT失效热点行为研究 被引量：1

13

作者 廖周林 区炳显 +2 位作者 王燕平 李金晓 闫大为 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第1期170-174,共5页

研究了GaN基HEMT器件的失效热点行为。当V_(GS)>V_(th)时,漏极电流I_(D)主要为漏-源导通电流I_(DS),输运机制为漂移;当V_(GS)<V_(th)时,I_(D)主要为反向栅-漏电流I_(GD),输运机制为与可导位错有关的Fowler-Nordheim隧穿。通过分析... 研究了GaN基HEMT器件的失效热点行为。当V_(GS)>V_(th)时,漏极电流I_(D)主要为漏-源导通电流I_(DS),输运机制为漂移;当V_(GS)<V_(th)时,I_(D)主要为反向栅-漏电流I_(GD),输运机制为与可导位错有关的Fowler-Nordheim隧穿。通过分析V_(GS)和I_(DS)变化对热点分布的影响,表明栅极边界耗尽沟道内形成的强横向电场与势垒层内的强垂直电场分别是I_(DS)和I_(GD)电流形成热点的主要原因;同时,还测量了热点的微光光谱,并根据临界电场与最大光子能量得到了电子的平均自由程,约为60 nm。 展开更多

关键词 GAN基HEMT 失效热点 高场区 热电子

原文传递

JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性研究 被引量：1

14

作者 姜玉德 周慧芳 +3 位作者 赵琳娜 甘新慧 顾晓峰 计建新 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第6期918-922,共5页

研究了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性。首先,理论模拟了JTE终端横向长度、离子注入剂量和界面电荷对击穿电压的影响。对工艺条件进行优化,制作了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管。测试结果表明,器件的正向电压为1.52 V,特征导通... 研究了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性。首先,理论模拟了JTE终端横向长度、离子注入剂量和界面电荷对击穿电压的影响。对工艺条件进行优化,制作了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管。测试结果表明,器件的正向电压为1.52 V,特征导通电阻为2.12 mΩ·cm^(2),击穿电压为1 650 V。接着,研究器件的变温电流-电压特性发现,正向电流主要为热发射机制,而反向电流与电压、温度有很强的依赖关系。最后进行了高温反偏应力老化测试,结果表明,击穿电压呈下降趋势。 展开更多

关键词 SiC结势垒肖特基二极管 JTE终端结构 击穿电压 高温反偏

原文传递

晶格匹配InAlN/GaN HEMT沟道温度评估方法研究

15

作者 金宁 陈雷雷 +3 位作者 曹艳荣 梁海莲 闫大为 顾晓峰 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第6期903-909,共7页

首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各类评估方法的准确性。结果表明:直流电学法获得的温度值远低于拉曼光谱法,严重低估了HEMT工作时的沟道温... 首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各类评估方法的准确性。结果表明:直流电学法获得的温度值远低于拉曼光谱法,严重低估了HEMT工作时的沟道温度;脉冲电学法获得的温度值有所提升,但受限于水平空间分辨率,平均了源极-漏极之间的温度;微区拉曼光谱法能够准确获得沟道最高温度,但测量过程复杂,不适合评估封装器件。最后,提出了一种基于微光显微镜(EMMI)技术的微光电学法,获得了沟道温度的三角分布关系,得到了与拉曼光谱法一致的实验结果。该评估方法适合于实际生产。 展开更多

关键词 GAN基HEMT 沟道温度 拉曼光谱 微光显微镜

原文传递

晶格匹配InAlN/GaN异质结肖特基接触反向电流的电压与温度依赖关系

16

作者 闫大为 吴静 +4 位作者 闫晓红 李伟然 俞道欣 曹艳荣 顾晓峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期293-299,共7页

测量了晶格匹配InAlN/GaN异质结肖特基接触的反向变温电流-电压特性曲线,研究了反向漏电流的偏压与温度依赖关系.结果表明:1)电流是电压和温度的强函数,饱和电流远大于理论值,无法采用经典热发射模型解释;2)在低偏压区,数据满足ln(I/E)-... 测量了晶格匹配InAlN/GaN异质结肖特基接触的反向变温电流-电压特性曲线,研究了反向漏电流的偏压与温度依赖关系.结果表明:1)电流是电压和温度的强函数,饱和电流远大于理论值,无法采用经典热发射模型解释;2)在低偏压区,数据满足ln(I/E)-E^(1/2)线性依赖关系,电流斜率和激活能与Frenkel-Poole模型的理论值接近,表明电流应该为FP机制占主导;3)在高偏压区,数据满足ln(I/E)-E^(1/2)线性依赖关系,电流斜率不随温度改变,表明Fowler-Nordheim隧穿机制占主导;4)反向电流势垒高度约为0.60 eV,远低于热发射势垒高度2.91 eV,表明可导位错应是反向漏电流的主要输运通道,局域势垒由于潜能级施主态电离而被极大降低. 展开更多

关键词 反向漏电流 偏压与温度 可导位错 浅能级施主态

下载PDF 职称材料

湿度传感元件制备、封装及检测电路设计的研究进展 被引量：3

17

作者 丁书聪 黄宜明 +2 位作者 王晓 梁峻阁 顾晓峰 《电子与封装》 2021年第1期24-32,共9页

湿度传感器是一种用于感知环境湿度参数的器件,在气象探测、农业种植、工业制造、馆藏存储等领域应用广泛。湿度传感器的检测特性主要由湿敏材料、检测电极、封装及检测电路共同决定,其中湿敏材料的材料特性和结构特征对传感性能的影响... 湿度传感器是一种用于感知环境湿度参数的器件,在气象探测、农业种植、工业制造、馆藏存储等领域应用广泛。湿度传感器的检测特性主要由湿敏材料、检测电极、封装及检测电路共同决定,其中湿敏材料的材料特性和结构特征对传感性能的影响最为显著,也是该领域的研究热点。讨论了湿度传感元件的感湿机理和湿敏材料的分类,介绍了湿度传感器的检测参数及优化,阐述了纳米湿敏材料在湿度传感器中的应用,对常用的湿度传感器封装方案和检测电路设计进行了综述。 展开更多

关键词 湿度传感器 湿敏材料 封装 检测电路

下载PDF 职称材料

氮化镓基LED结温测量方法研究

18

作者 冯慧玮 荣玉 +4 位作者 叶斯灿 刘震 卢澳 李金晓 闫大为 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第6期1096-1100,共5页

分别研究了脉冲电流法、微小电流法和光学成像法测量氮化镓基LED结温的基本原理,并对比了不同方法的结果可靠性。结果表明:在大脉冲电流下,串联电阻效应不可忽略,脉冲电流法得到的平均结温偏低;微小电流法能够减小加热电流和测试电流的... 分别研究了脉冲电流法、微小电流法和光学成像法测量氮化镓基LED结温的基本原理,并对比了不同方法的结果可靠性。结果表明:在大脉冲电流下,串联电阻效应不可忽略,脉冲电流法得到的平均结温偏低;微小电流法能够减小加热电流和测试电流的切换时间和串联电阻效应,提高测量准确性;光学成像法基于发光强度与结温的依赖关系,能够获得器件温度的空间分布,有助于制备高性能的LED。 展开更多

关键词 氮化镓基LED 结温 脉冲电流法 微小电流法 光学成像法

原文传递

1200 V SiC MOSFET重复非钳位感性开关测试的退化机制研究

19

作者 谈威 鹿存莉 +2 位作者 季颖 赵琳娜 顾晓峰 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第3期329-333,共5页

为了研究1200 V SiC MOSFET在重复非钳位感性开关(Unclamped-Inductive-Switching,UIS)应力下的电学参数退化机制,基于自行搭建的UIS实验平台以及Sentaurus仿真设计工具,首先深入分析了重复UIS测试后器件静态参数与动态参数的退化;接着... 为了研究1200 V SiC MOSFET在重复非钳位感性开关(Unclamped-Inductive-Switching,UIS)应力下的电学参数退化机制,基于自行搭建的UIS实验平台以及Sentaurus仿真设计工具,首先深入分析了重复UIS测试后器件静态参数与动态参数的退化;接着基于FN隧穿公式对栅极漏电流数据进行拟合,得到随着UIS测试次数增加SiC/SiO2界面的势垒高度从2.52 eV逐渐降低到2.06 eV;最后解释了SiC MOSFET在重复UIS测试后的电流输运过程。结果表明,在重复雪崩应力的作用下,大量的正电荷注入至结型场效应管区域上方的栅极氧化层中,影响了该区域的电场分布以及耗尽层厚度,导致被测器件(Device Under Test,DUT)的导通电阻、漏源泄漏电流、电容特性等电学参数呈现出不同程度的退化,并且氧化物中的正电荷的积累也使电子隧穿通过栅介质的电流得到了抬升。 展开更多

关键词 非钳位感性开关 静态参数 动态参数 退化 电荷注入

下载PDF 职称材料

基于温和氧等离子体实现硫化钼Ｐ型掺杂的研究

20

作者 刘明雪 冯少朋 +3 位作者 肖少庆 南海燕 张秀梅 顾晓峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1778-1783,1797,共7页

采用一种处于电容放电模式(E-mode)的温和氧气电容耦合等离子体技术对薄层MoS_2进行处理,实现了P型掺杂。通过光学显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱和场效应晶体管的转移曲线测试,对MoS_2的掺杂机理进行了分析,发现温和氧气等离子体... 采用一种处于电容放电模式(E-mode)的温和氧气电容耦合等离子体技术对薄层MoS_2进行处理,实现了P型掺杂。通过光学显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱和场效应晶体管的转移曲线测试,对MoS_2的掺杂机理进行了分析,发现温和氧气等离子体处理过程中氧和钼能形成Mo-O键,从而提供额外的空穴使其电子浓度下降,最终导致其开启电压变高、输出电流下降,同时氧气的化学吸附诱导在MoS_2层中引入了P型掺杂。此研究为实现MoS_2的P型掺杂提供了新途径。 展开更多

关键词 二硫化钼 温和等离子体 P型掺杂 场效应晶体管

下载PDF 职称材料