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超低介电常数材料和多孔SiOCH薄膜 被引量：2
1
作者 宁兆元 叶超 《世界科技研究与发展》 CSCD 2004年第6期15-23,共9页
集成电路的特征尺寸将降低到 0 .1μm ,这时器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容造成的延时、串扰、功耗已经成为限制器件性能的主要因素。目前集成电路的金属连线 /介质层材料为铝 /二氧化硅配置 ,用电阻更小的铜取... 集成电路的特征尺寸将降低到 0 .1μm ,这时器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容造成的延时、串扰、功耗已经成为限制器件性能的主要因素。目前集成电路的金属连线 /介质层材料为铝 /二氧化硅配置 ,用电阻更小的铜取代铝作金属连线 ,用低介电常数 (低K)材料取代二氧化硅作介质层成为科学意义重要、应用价值巨大的研究课题 ,微电子器件正经历着一场材料的重大变革中。本文着重评述了纳米尺度微电子器件对低介电常数 (低k)薄膜材料的要求 ,介绍了多孔硅基低k薄膜的研究进展。 展开更多
关键词 低介电常数 微电子器件 集成电路 特征尺寸 器件性能 串扰 多孔 取代 二氧化硅 薄膜
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溶胶-凝胶法制备钛酸锶铅薄膜和多层膜及其介电性质 被引量：4
2
作者 王季魁 沈明荣 +1 位作者 方亮 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期231-233,237,共4页
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质。发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.02... 采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质。发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.029。在与均匀薄膜相同的条件下分别制备了PST45/PST55,PST50/PST60,PST55/PST65 3种多层膜。发现PST50/PST60多层膜的介电常数得到了明显的增强,在频率为10kHz时相对于同厚度的PST55均匀薄膜从879增加到1008,而损耗依然保持较低(0.027)。研究同时表明,PST多层膜在电容-电压可调谐性和介电击穿等性质方面也较均匀薄膜有不同程度提高。与其它两种多层膜比较后发现,在PST50/PST60多层膜中处于PST55左右组分的界面层对介电性质有比较大的影响。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 钛酸锶铅 多层膜 介电性质
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TiN/NbN纳米多层薄膜的交变应力场和超硬效应 被引量：6
3
作者 赖倩茜 虞晓江 +2 位作者 戴嘉维 李戈扬 宁兆元 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期313-316,共4页
为了研究纳米多层薄膜的超硬效应 ,采用反应溅射法制备从 1 4nm至 2 7nm不同调制周期的一系列TiN/NbN纳米多层膜。高分辨电子显微镜对薄膜的调制结构和界面生长方式的观察发现 ,TiN/NbN膜具有很好的调制结构 ,并呈现以面心立方晶体结构... 为了研究纳米多层薄膜的超硬效应 ,采用反应溅射法制备从 1 4nm至 2 7nm不同调制周期的一系列TiN/NbN纳米多层膜。高分辨电子显微镜对薄膜的调制结构和界面生长方式的观察发现 ,TiN/NbN膜具有很好的调制结构 ,并呈现以面心立方晶体结构穿过调制界面外延生长的多晶超晶格结构特征。显微硬度测量表明 ,TiN/NbN纳米多层膜存在随调制周期变化的超硬效应。薄膜在调制周期为 8 3nm时达到HK39 0GPa的最高硬度。分析认为 ,两种不同晶格常数的晶体外延生长形成的交变应力场 ,对材料有强化作用 。 展开更多
关键词 纳米多层薄膜 超硬效应 TiN/NbN超晶格薄膜 调制结构 超硬度 交变应力场 氮化钛 氮化铌
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低温氧等离子体对有机薄膜改性的研究 被引量：3
4
作者 程珊华 宁兆元 +3 位作者 葛水兵 徐冬梅 张可达 张雪梅 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期96-98,共3页
在氧等离子体中对聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂等有机薄膜进行表面处理。研究了处理时间、放电电流和气压对膜的亲水性的影响。结果表明，经氧等离子体处理后，薄膜表面的含氧极性基团增加了，亲水性得到了改善。... 在氧等离子体中对聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂等有机薄膜进行表面处理。研究了处理时间、放电电流和气压对膜的亲水性的影响。结果表明，经氧等离子体处理后，薄膜表面的含氧极性基团增加了，亲水性得到了改善。但是４种薄膜经等离子体处理后其亲水性变化的程度并不相同，按照接触角减小的程度来排序依次为聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂。这意味着，等离子体辐照有机薄膜对其亲水性改善的效果依赖于薄膜本身的表面结构。 展开更多
关键词 有机高分子膜 等离子体 表面改性 薄膜 低湿氧
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尖晶石型铁氧体薄膜的研究现状 被引量：7
5
作者 陈亚杰 狄国庆 杨莉玲 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 1999年第2期1-9,8,共10页
综述了近十年来国内外有关尖晶石型铁氧体的研究和应用状况，着重介绍了１９９６～１９９８年期间国外有关软磁铁氧体多晶薄膜的成膜技术、物性分析、应用领域、发展前景等方面的最新研究成果。
关键词 尖晶石铁氧体 薄膜 成膜技术 铁氧体
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高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究 被引量：1
6
作者 陈息林 余涛 +2 位作者 吴雪梅 董尧君 诸葛兰剑 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1335-1338,1341,共5页
利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面... 利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。 展开更多
关键词 高K栅介质 TA2O5 MOSFET器件 微结构 电学性质
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高自旋极化氧化物材料的颗粒边界磁电阻效应 被引量：3
7
作者 孙华 李振亚 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2005年第4期407-429,共23页
颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况... 颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况;所涉及的材料包括高自旋极化氧化物多晶、压缩粉末和各种复合材料等。对颗粒边界磁电阻效应的研究,不仅有助于人们进一步理解高自旋极化氧化物磁输运性质的基本机制,并为寻求具有高磁电阻效应的新型自旋电子学器件提供理论基础。本文综述了高自旋极化氧化物颗粒边界磁电阻研究的主要背景和发展现状,介绍了该领域中主要的实验发现和理论模型,展望了未来的发展。 展开更多
关键词 自旋极化 颗粒边界 磁电阻 半金属
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高K栅介质材料的研究现状与前景 被引量：1
8
作者 余涛 吴雪梅 +1 位作者 诸葛兰剑 葛水兵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第21期25-29,共5页
论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性... 论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题。针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用。 展开更多
关键词 高K栅介质 HFO2 Hf基高K栅介质材料 MOSFET器件
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厚度对掺铝氧化锌薄膜性能的影响 被引量：2
9
作者 王岩岩 吴明智 +3 位作者 俞友明 王飞 吴雪梅 诸葛兰剑 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2012年第2期54-58,共5页
室温下,采用射频磁控溅射法在单晶硅及石英片上沉积掺铝氧化锌(AZO)薄膜,所用靶材为掺杂Al2 O3的ZnO多晶烧结靶,其中Al2 O3所占质量百分数为2%,分别采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、霍尔效应测试系统和紫外可见分光光度计来研究不同... 室温下,采用射频磁控溅射法在单晶硅及石英片上沉积掺铝氧化锌(AZO)薄膜,所用靶材为掺杂Al2 O3的ZnO多晶烧结靶,其中Al2 O3所占质量百分数为2%,分别采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、霍尔效应测试系统和紫外可见分光光度计来研究不同的薄膜厚度对AZO薄膜结构、表面形貌、电学和光学性质的影响.结果表明:制备的AZO薄膜具有良好的c轴择优取向,同时随着薄膜厚度的增加,薄膜结晶性能变好,电阻率降低,可见光透过率减小.薄膜厚度为1 420 nm时具有最佳的光、电特性,其电阻率可降至4.2×10-3Ω.cm,可见光范围的平均透过率大于82%,且在600 nm波段的透过率高达92%. 展开更多
关键词 AZO 磁控溅射 膜厚
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钛酸镧铅薄膜的介电、铁电性能研究 被引量：5
10
作者 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期403-404,共2页
采用溶胶 凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试 ,研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响 ,结果发现在 60 0℃下退火 1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构 ;常温下 ,薄膜的矫顽场和剩余极化强度都... 采用溶胶 凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试 ,研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响 ,结果发现在 60 0℃下退火 1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构 ;常温下 ,薄膜的矫顽场和剩余极化强度都随着掺镧量的增加而降低 。 展开更多
关键词 铁电薄膜 钛酸镧铅 溶胶-凝胶法 铁电性能 介电性能
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射频磁控反应溅射制备TiO_2薄膜 被引量：1
11
作者 陈浩 李金泽 +1 位作者 厉以宇 苏晓东 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2010年第2期51-55,共5页
研究采用射频磁控溅射的方法在石英玻璃基片上制备TiO2薄膜的最佳工艺条件.薄膜的相组成和微观组织分别采用XRD、SEM和AFM来分析.实验表明:在450℃的基片温度下,使用0.8 Pa的工作气压和20∶2的Ar∶O2流量比可以获得单一锐钛矿相的TiO2薄... 研究采用射频磁控溅射的方法在石英玻璃基片上制备TiO2薄膜的最佳工艺条件.薄膜的相组成和微观组织分别采用XRD、SEM和AFM来分析.实验表明:在450℃的基片温度下,使用0.8 Pa的工作气压和20∶2的Ar∶O2流量比可以获得单一锐钛矿相的TiO2薄膜.紫外光照射分解甲基橙的实验表明具有单一锐钛矿相的TiO2薄膜具有较好的光催化能力,可以有效降解有机分子. 展开更多
关键词 TIO2薄膜 射频磁控溅射 光催化
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逾渗驱动的高自旋极化氧化物材料磁电阻增强效应——网络效应与调控
12
作者 蔡田怡 雎胜 +1 位作者 孙华 李振亚 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2008年第1期50-71,共22页
锰氧化物具有内禀的多尺度非均匀性,这与同时活跃的多个自由度——自旋、电荷、晶格和轨道——非线性耦合,以及多种相互作用的共存密切相关。更重要的是,这种极为特殊的物理现象可能是庞磁电阻效应的微观起源——铁磁金属相在磁场作用... 锰氧化物具有内禀的多尺度非均匀性,这与同时活跃的多个自由度——自旋、电荷、晶格和轨道——非线性耦合,以及多种相互作用的共存密切相关。更重要的是,这种极为特殊的物理现象可能是庞磁电阻效应的微观起源——铁磁金属相在磁场作用下的逾渗而驱动的磁电阻效应。另一方面,在某组分导电逾渗阈值附近的磁电阻显著增强效应,是高自旋极化氧化物颗粒体系所具有的普遍现象之一。因此,针对各种高自旋极化氧化物的非均匀和颗粒复合体系,逾渗驱动磁电阻增强效应的研究具有重要的学术意义和应用价值,其中输运网络理论为重要的理论研究。在充分认识电磁输运微观机制的基础之上,通过调控输运网络的结构,探讨逾渗驱动磁电阻增强的必要条件,可以找出实现可控性高且幅值较大的磁电阻的新途径、新方法。本文主要基于电阻网络模型,综述高自旋极化氧化物材料中多相共存体系的磁输运性质研究的主要背景和发展现状,充分结合相关的实验结果,介绍逾渗驱动磁电阻效应增强的物理机制,以及各类电输运网络的构建,并展望未来的发展。 展开更多
关键词 自旋极化 磁电阻 网络效应 半金属 逾渗
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SiNx薄膜的制备、结构及其光学性能表征
13
作者 辛煜 鲁涛 +4 位作者 黄壮雄 濮林 施毅 宁兆元 郑有炓 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期36-38,42,共4页
本文使用电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法制备了非化学计量比的SiNx薄膜,使用红外光谱、拉曼光谱和紫外可见光谱等对SiNx薄膜的结构和光学性质进行了研究.结果表明,SiNx薄膜中随着Si:N原子比的增加,Si-N的红外伸缩振动从890cm-1... 本文使用电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法制备了非化学计量比的SiNx薄膜,使用红外光谱、拉曼光谱和紫外可见光谱等对SiNx薄膜的结构和光学性质进行了研究.结果表明,SiNx薄膜中随着Si:N原子比的增加,Si-N的红外伸缩振动从890cm-1波数向820 cm-1波数移动,拉曼光谱中出现了较明显的波数为480 cm-1的非晶硅的TO声子峰;实验发现,使用NH3作为前驱体所制备的膜中较N2具有更低的H含量;SiNx薄膜的光学带隙和折射率可以通过前驱体的流量比进行调制,实验结果表明光学带隙随着Si:N比率的增加而明显降低,从5.0 eV变化到2.5eV,而折射率则从1.9变化到2.2左右. 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体 a-薄膜 红外光谱 光学性能
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低掺铝TiN薄膜的XPS，XRD分析研究
14
作者 辛煜 宁兆元 +2 位作者 金宗明 薛青 范叔平 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第4期377-380,共4页
本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果... 本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。 展开更多
关键词 薄膜 择优取向 XPS XRD 钛铝薄膜
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氧、氮掺杂非晶硅基薄膜的荧光
15
作者 石旺舟 欧阳艳东 +1 位作者 吴雪梅 姚伟国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期71-74,共4页
采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0～ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立... 采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0～ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立峰结构。在SiOxNy∶H薄膜中 ,荧光谱由 2 50～ 4 0 0nm、50 0～ 70 0nm两个荧光带和 3 70nm、73 0nm两组分立荧光峰组成。分立峰强度随薄膜中的氮含量增加而升高 ;荧光带中心位置受到沉积过程中氢的流量调制 ,当氢流量增加时 ,发射带的中心位置产生蓝移。 展开更多
关键词 非晶硅基薄膜 荧光 PECVD SiDx:H SiOxNy:H 发光材料
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C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究
16
作者 辛煜 范叔平 +2 位作者 吴建新 金宗明 杨礼富 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第5期351-354,共4页
以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该... 以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该取向与流量比r＝C2H2／N2有关、薄膜的主要构成是Ti（C，N），但膜中有石墨相存在。 展开更多
关键词 多弧离子法 高速钢 薄膜
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Ge量子点材料的制备工艺研究
17
作者 陈静 吴雪梅 +1 位作者 金宗明 诸葛兰剑 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 1998年第3期39-43,共5页
采用射频磁控技术,用Ge、SiO_2的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜.作为量子点的Ge纳米晶粒的尺寸是决定这类材料物性的关键,因而研究对镶嵌在SiO_2中的Ge晶粒尺寸调制的工艺十分重要.本文研究了制备过程中各种工艺参数与... 采用射频磁控技术,用Ge、SiO_2的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜.作为量子点的Ge纳米晶粒的尺寸是决定这类材料物性的关键,因而研究对镶嵌在SiO_2中的Ge晶粒尺寸调制的工艺十分重要.本文研究了制备过程中各种工艺参数与薄膜中Ge晶粒尺寸的关系.结果表明通过溅射时控制基片温度能有效地对锗晶粒尺寸进行调制. 展开更多
关键词 锗 量子点 射频磁控溅射 制备 半导体
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沉积气压对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构与光学性能影响 被引量：8
18
作者 蒋平 吴雪梅 +1 位作者 诸葛兰剑 吴兆丰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期560-563,共4页
采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si（111）和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜，分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质。实验表明，采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的（002）... 采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si（111）和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜，分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质。实验表明，采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的（002）峰和（101）峰的两种取向。在沉积气压〉1．0Pa时所制备的ZnO薄膜具有（002）择优取向，并且十分稳定。SEM图表明，ZnO薄膜颗粒大小较为均匀，晶粒尺寸随着气压升高而变小，沉积气压不同时，薄膜样品的生长方式有所差异。在400～1000nm范围内，可以看出除0．5Pa下制备的ZnO薄膜外，其余ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80％，吸收边在380nm附近，所对应的光学带隙约为3．23～3．27eV，并随着沉积气压上升而变大。ZnO薄膜的PL谱上观察到了392nm的近紫外峰和419nm的蓝峰；沉积气压对ZnO薄膜的发光峰位和峰强有影响。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ZNO薄膜 透射率 光学带隙 PL谱
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多铁性材料BiFeO_3的掺杂改性研究进展 被引量：4
19
作者 卢岩 解振海 +1 位作者 何剑 李建康 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期76-80,共5页
同时具有铁电、铁磁、铁弹特性的多铁性材料在功能器件中具有潜在的应用前景。BiFeO3是唯一居里温度和尼尔温度均在室温以上的多铁性材料。综述了多铁性材料BiFeO3的结构、制备、掺杂改性研究进展,指出了BiFeO3材料存在的问题,提出了BiF... 同时具有铁电、铁磁、铁弹特性的多铁性材料在功能器件中具有潜在的应用前景。BiFeO3是唯一居里温度和尼尔温度均在室温以上的多铁性材料。综述了多铁性材料BiFeO3的结构、制备、掺杂改性研究进展,指出了BiFeO3材料存在的问题,提出了BiFeO3材料今后可能的研究方向。 展开更多
关键词 多铁性 BIFEO3 综述 制备 掺杂改性
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绒面掺铝氧化锌透明导电薄膜研究进展 被引量：3
20
作者 何晶晶 吴雪梅 +1 位作者 诸葛兰剑 葛水兵 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第5期290-296,共7页
绒面掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜由于电阻率低、在可见光区域透过率高、绒面结构能有效散射入射光,提高太阳电池光电转换效率,被广泛应用于太阳电池前电极。概述了绒面AZO薄膜的制备方法,重点介绍了磁控溅射技术沉积AZO薄膜后再进行湿... 绒面掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜由于电阻率低、在可见光区域透过率高、绒面结构能有效散射入射光,提高太阳电池光电转换效率,被广泛应用于太阳电池前电极。概述了绒面AZO薄膜的制备方法,重点介绍了磁控溅射技术沉积AZO薄膜后再进行湿法刻蚀制绒面方法,制备的样品呈现"坑状"或"类月球地貌"的绒面,并讨论了工艺对薄膜结构、光电性能和刻蚀行为的影响,最后介绍了绒面AZO薄膜在硅薄膜太阳电池中的应用,进一步降低生产成本和实现大规模产业化生产是绒面AZO薄膜的发展趋势。 展开更多
关键词 绒面掺铝氧化锌 透明导电薄膜 磁控溅射 湿法刻蚀 太阳电池
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