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SOI高温压力传感器研究进展及应用
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作者 刘沁 李新 唐惠 《世界仪表与自动化》 2008年第4期24-26,共3页
常规扩散硅压阻式压力传感器依靠PN结实现敏感电阻间的电学隔离，基于单晶硅良好的弹性形变性能和显著的压阻效应进行压力测试，以其特有的体积小、灵敏度高、工艺成熟等优点，成为应用最广泛的压力传感器。不过，当工作温度超过125℃... 常规扩散硅压阻式压力传感器依靠PN结实现敏感电阻间的电学隔离，基于单晶硅良好的弹性形变性能和显著的压阻效应进行压力测试，以其特有的体积小、灵敏度高、工艺成熟等优点，成为应用最广泛的压力传感器。不过，当工作温度超过125℃时，电阻与衬底间的PN结漏电加剧，使传感器特性严重恶化以至失效，不能准确测量压力。因此，把能在高于125℃条件下工作的硅压阻式压力传感器，称为扩散硅高温压力传感器。 展开更多
关键词 压力传感器 高温 SOI
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