超薄太阳能硅片线切割工艺中悬浮液特性研究 被引量：13

1

作者 任丽 李彦林 +2 位作者 羊建坤 刘晓平 王敏花 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期324-327,共4页

对硅片线切割工艺中悬浮液特性进行了理论与实验分析.测绘了悬浮液的粘度与温度特性曲线和pH值与温度特性曲线,为硅片的线切割工艺优化提供了理论和实验依据。

关键词 悬浮液 粘度 PH值 温度

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掺Ga高效单晶硅太阳电池抑制光衰研究 被引量：4

2

作者 任丽 李宁 +2 位作者 杨淑云 丰云恺 任丙彦 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期449-452,共4页

P型掺B单晶硅制作的太阳电池光照10h后产生3％～6％的效率衰减。该文制备常规掺B和不同掺Ga剂量的P〈100〉单晶硅并切片制备高效晶硅太阳电池，对硅片物理参数和电池光伏特性参数进行测试对比分析。用标准模拟光源对样品电池分别进行光... P型掺B单晶硅制作的太阳电池光照10h后产生3％～6％的效率衰减。该文制备常规掺B和不同掺Ga剂量的P〈100〉单晶硅并切片制备高效晶硅太阳电池，对硅片物理参数和电池光伏特性参数进行测试对比分析。用标准模拟光源对样品电池分别进行光衰实验对比，结果证实：掺Ga单晶硅太阳电池不仅能保持与掺B单晶电池相同的光电转换效率，而且能强烈地抑制光衰。 展开更多

关键词 掺Ga 单晶硅 太阳电池 光衰

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多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究 被引量：5

3

作者 勾宪芳 许颖 +1 位作者 任丙彦 马丽芬 《河北工业大学学报》 CAS 2005年第5期27-30,共4页

用等离子体化学气相沉积(PECVD)法,通过改变[SiH4∶N2]/[NH3]的流量比沉积SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱,测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含... 用等离子体化学气相沉积(PECVD)法,通过改变[SiH4∶N2]/[NH3]的流量比沉积SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱,测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能,结果发现:沉积温度350℃,沉积时间5min,[SiH4∶N2]/[NH3]=4∶1时,沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低. 展开更多

关键词 多晶硅 太阳电池 等离子体化学气相沉积 氮化硅 少子寿命

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S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究 被引量：2

4

作者 赵丽伟 刘彩池 +8 位作者 滕晓云 朱军山 郝秋艳 孙世龙 王海云 徐岳生 胡家辉 冯玉春 郭宝平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1079-1082,共4页

本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中... 本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高. 展开更多

关键词 GAN 湿法腐蚀 六角腐蚀坑 SEM

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大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展 被引量：1

5

作者 乔治 刘彩池 +1 位作者 史严 张彦立 《河北工业大学学报》 CAS 2005年第6期43-46,共4页

概要介绍了近年来国内外对大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和FPDs3种空洞型原生缺陷的基本性质、形成过程以及3种消除空洞型缺陷的方法.研究表明,利用高温快速退火(RTA)消除空洞型原生缺陷,是一种简单而... 概要介绍了近年来国内外对大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和FPDs3种空洞型原生缺陷的基本性质、形成过程以及3种消除空洞型缺陷的方法.研究表明,利用高温快速退火(RTA)消除空洞型原生缺陷,是一种简单而有效的方法. 展开更多

关键词 集成电路 CZ-Si单晶 大直径 空洞型原生缺陷 快速退火

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原子力显微镜在GaN研究中的应用 被引量：1

6

作者 王其民 赵丽伟 +2 位作者 滕晓云 张帷 刘彩池 《现代仪器》 2006年第4期25-27,共3页

本文采用原子力显微镜(AFM)对Si基外延GaN的形貌及出现的V缺陷进行研究。实验结果表明,GaN外延层厚度为0.5μm时粗糙度最低且没有裂纹出现;厚度为0.4μm的GaN表面出现小坑———V缺陷,密度约为108cm-2。

关键词 原子力显微镜 GAN 表面形貌 V缺陷

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离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究

7

作者 王娜 王丽华 +2 位作者 孙卫忠 郝秋艳 刘彩池 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期42-44,67,共4页

用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。... 用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。同时研究了离子注入前后样品电参数的径向分布规律。发现注入前后样品的电阻率均成U型分布,迁移率均成W型分布,而载流子浓度均成M型分布。离子注入及退火工艺并没有改变大直径GaAs电参数的径向分布规律,但注入后的高温热处理提高了晶体的电学均匀性。 展开更多

关键词 半绝缘砷化镓 离子注入 电特性 快速热退火

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氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究

8

作者 陈洪建 张维连 +1 位作者 陈贵峰 李养贤 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S2期87-90,共4页

目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等。各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术。氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方... 目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等。各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术。氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一。本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展。 展开更多

关键词 氮化镓(GaN) 氢化物汽相外延(HVPE) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 自支撑氮化镓(FSGaN)

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X射线衍射仪在研究砷化镓缺陷中的应用

9

作者 王海云 刘红艳 +1 位作者 徐岳生 刘彩池 《现代仪器》 2007年第4期60-62,共3页

本文采用X射线衍射仪(XRD),通过异常透射对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的形貌及缺陷进行研究。在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构。X射线形貌技术可... 本文采用X射线衍射仪(XRD),通过异常透射对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的形貌及缺陷进行研究。在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构。X射线形貌技术可以显示SI-GaAs中的高密度位错的结构与分布,从而评估其质量。 展开更多

关键词 X射线衍射仪 异常透射 小角度晶界 胞状结构

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酸腐多晶硅太阳电池表面织构的研究 被引量：4

10

作者 王立建 刘彩池 +3 位作者 陈玉武 辛国军 左云翔 章灵军 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期784-786,共3页

多晶硅太阳电池是目前光伏发展的主要趋势,而缺乏有效的表面织构的方法是多晶硅太阳电池发展的一个瓶颈。采用酸腐多晶硅片的方法获得各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液并用H2SO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱... 多晶硅太阳电池是目前光伏发展的主要趋势,而缺乏有效的表面织构的方法是多晶硅太阳电池发展的一个瓶颈。采用酸腐多晶硅片的方法获得各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液并用H2SO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统分析了腐蚀后多晶硅片的表面形貌和反射率。结果表明,酸腐多晶硅表面分布均匀的蠕虫状腐蚀坑,反射率很低,在PECVDSiNx减反射膜后反射率大大下降。 展开更多

关键词 表面织构 多晶硅 太阳电池

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半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究 被引量：2

11

作者 刘红艳 孙卫忠 +2 位作者 王娜 郝秋艳 刘彩池 《现代仪器》 2008年第3期38-40,共3页

本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）中本征缺陷的影响。实验结果表明，晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布。500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响；真空条件下，在850-930℃... 本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）中本征缺陷的影响。实验结果表明，晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布。500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响；真空条件下，在850-930℃范围内热处理AB腐蚀坑变浅，砷沉淀数量增加；真空条件下，高于1100℃热处理后，砷沉淀几乎消失。晶体中砷沉淀的密度会随热处理条件的不同而变化，本文对其机理进行探讨。 展开更多

关键词 半绝缘砷化镓 热处理 砷沉淀 光学显微技术

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离子注入制备的纳米Si光致发光特性研究

12

作者 董利菲 郝秋艳 刘彩池 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期276-279,共4页

将Si离子注入到热氧化生长的SiO2层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及其与退火温度的关系。实验结果表明,在900℃以上退火,可观察到纳米Si的发生;在1100℃下退火,纳米Si发光达到最强。... 将Si离子注入到热氧化生长的SiO2层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及其与退火温度的关系。实验结果表明,在900℃以上退火,可观察到纳米Si的发生;在1100℃下退火,纳米Si发光达到最强。由常规退火和快速退火样品的光致发光光谱的对比得出快速退火对纳米Si发光有增强的作用。对发光机制进行了探讨,认为其发光机理可归结为纳米Si/SiO2界面处Si=O键引起的发光。 展开更多

关键词 离子注入 纳米晶硅 光致发光

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高温熔体粘度仪在半导体熔体研究中应用

13

作者 石义情 张雯 +2 位作者 王海云 刘彩池 徐岳生 《现代仪器》 2006年第3期34-35,30,共3页

本文介绍带可调水平磁场的高精度高温熔体粘度测量仪在半导体熔体粘度测试中的应用。该仪器试验用料少、测试温度范围宽、磁场均匀可调、精度高。利用回转振动法对硅、锗等半导体熔体的粘度进行测试分析,获得许多有意义的结果。

关键词 粘度仪 硅 锗 半导体熔体 粘度

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TiCl_4水解法制备的阻挡层对染料敏化太阳能电池光电性能的影响 被引量：12

14

作者 陈东坡 张晓丹 +2 位作者 魏长春 刘彩池 赵颖 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期425-431,共7页

通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外... 通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计测试了阻挡层的形貌和对光的透过率,在AM1.5和暗环境下分别测试了染料敏化太阳能电池(DSSC)的光电性能.实验结果表明:用此方法可以获得由TiO2粒子组成的阻挡层薄膜;阻挡层薄膜的形貌随着TiCl4溶液浓度的增加而改变,它的厚度随着TiCl4溶液浓度的增加而增加;引入阻挡层后,FTO对光的透过率都会下降;这一薄膜的引入可以提高电池的光电性能,用0.04 mo·lL-1的TiCl4溶液制备的阻挡层对暗电流的抑制作用最为明显,电池在AM1.5的条件下测试,转换效率最高7.84%. 展开更多

关键词 染料敏化太阳能电池 阻挡层 TIO2薄膜 暗电流 TICL4

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大直径CZSi单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系 被引量：5

15

作者 任丙彦 郝秋艳 +2 位作者 刘彩池 王海云 张颖怀 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期21-24,共4页

通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响,并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度,通过高温退火可显著降低微缺陷的密度。

关键词 CZSi单晶 生微缺陷 间隙氧 集成电路 硅片 大直径 直拉硅单晶

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AFORS-HET软件模拟N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池 被引量：12

16

作者 任丙彦 王敏花 +6 位作者 刘晓平 李彦林 羊建坤 励旭东 许颖 李海玲 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期125-129,共5页

运用AFORS-HET程序模拟计算了不同本征层厚度、能隙宽度、发射层厚度、能带失配以及不同界面态密度等参数对N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明,在其它参数条件不变的情况下,插入较薄本征层,转换效率增加,但本... 运用AFORS-HET程序模拟计算了不同本征层厚度、能隙宽度、发射层厚度、能带失配以及不同界面态密度等参数对N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明,在其它参数条件不变的情况下,插入较薄本征层,转换效率增加,但本征层厚度继续增加时,短路电流密度减少、效率也随之降低。本征层能隙宽度的变化对短路电流影响很大,随能隙宽度增加,短路电流先增加,但当能隙宽度大于某一特定值时,短路电流开始下降。在不插入本征层的情况下,N型发射层的能带失配对短路电流几乎无影响,而开路电压随导带失配的增大逐渐增大,界面态密度会导致开压迅速下降。 展开更多

关键词 APORS-HET 异质结太阳电池 光伏性能

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工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响 被引量：7

17

作者 任丙彦 刘晓平 +3 位作者 李彦林 王敏花 羊建坤 许颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期798-801,共4页

工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45-1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜。研究了工作气压对其微... 工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45-1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜。研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响。在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04×10^-4Ω.cm、可见光波段（400-800 nm）透过率为91.9%,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜。 展开更多

关键词 磁控溅射 ITO薄膜 溅射气压 低温

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快速热处理工艺下金属杂质对铸造多晶硅少子寿命的影响 被引量：5

18

作者 陈玉武 郝秋艳 +3 位作者 刘彩池 赵建国 吴丹 王勇 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期611-614,共4页

利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响。研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少... 利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响。研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少子寿命值都会降低,下降幅度基本一致。原生硅片在低中温条件下,少子寿命值呈现先下降后上升的趋势;当硅片经高温RTP后,其少子寿命值得到明显改善。低中温RTP条件下,经铜、镍杂质玷污的硅片随着退火温度的升高,少子寿命变化不大。高温RTP条件下,经铜、铁、镍杂质玷污后硅片的少子寿命迅速下降。实验结果表明高温RTP能够提高杂质含量较低硅片的少子寿命,而对杂质含量较高硅片的少子寿命有负面影响。 展开更多

关键词 铸造多晶硅 RTP 少子寿命 杂质 缺陷

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快速热处理对铸造多晶硅性能的影响 被引量：4

19

作者 陈玉武 郝秋艳 +3 位作者 刘彩池 赵建国 王立建 吴丹 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期5-8,共4页

采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响。结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s... 采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响。结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s时硅片的少子寿命下降幅度最大;当硅片经高温1050℃RTP时,硅片的少子寿命急剧增大,最大幅度达到初始寿命值的4.3倍。另一方面,保温时间对硅片少子寿命也有很大影响,一定RTP温度下,随着保温时间的增加,硅片的少子寿命逐渐增大。 展开更多

关键词 铸造多晶硅 少子寿命 快速热处理(RTP) 缺陷

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不同形貌的金字塔结构对硅片表面钝化和异质结太阳电池的影响 被引量：4

20

作者 王利果 张晓丹 +6 位作者 王奉友 王宁 姜元建 郝秋艳 许盛之 魏长春 赵颖 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1758-1763,共6页

在晶体硅表面沉积本征非晶硅层的异质结(SHJ)太阳电池以其高效率、高稳定性、低成本和低温制备等诸多优势被人们广泛关注.在晶体硅衬底表面制绒,是提高太阳电池效率的有效途径之一.本文采用四甲基氢氧化铵(TMAH)在硅片表面制备了不同形... 在晶体硅表面沉积本征非晶硅层的异质结(SHJ)太阳电池以其高效率、高稳定性、低成本和低温制备等诸多优势被人们广泛关注.在晶体硅衬底表面制绒,是提高太阳电池效率的有效途径之一.本文采用四甲基氢氧化铵(TMAH)在硅片表面制备了不同形貌的金字塔结构的硅异质结电池衬底,并应用到电池中.通过研究不同金字塔的形貌,光学特性以及电学特性,找出提高硅片钝化效果,改善异质结电池的性能的优化的金字塔结构.结果表明:2%(w)TMAH,10%(w)异丙醇(IPA)可以在硅片表面制得标准四面体金字塔结构.和其它两种金字塔结构相比较,标准四面体金字塔结构绒面衬底反射率最低,可以提高太阳电池的短路电流密度(Jsc).同时,这种结构金字塔形貌可以提高钝化效果,改善电池各项性能参数. 展开更多

关键词 制绒 金字塔形貌 反射率 少子寿命 钝化 异质结电池

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