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静电屏蔽晶体管GAT的特点与制造
1
作者 陈福元 金文新 吴忠龙 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第4期52-55,共4页
介绍静电屏蔽晶体管（ＧＡＴ）的结构、器件性能及制造工艺．利用ＧＡＴ的基区静电屏蔽效应改善了晶体管的工作可靠性．研制成的ＧＡＴ器件呈现出高耐压、快速开关和低饱和压降等优良特性．
关键词 静电屏蔽 晶体管 制造
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晶闸管挖槽法制造工艺
2
作者 陈福元 吴忠龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期9-11,共3页
介绍一种挖槽法制造晶闸管新工艺,它具有简化制作工序、提高器件芯片成品率的特点,适合批量生产.
关键词 晶闸管 挖槽 制造 工艺
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腐蚀挖槽和P、N型杂质一步掺杂制造晶闸管
3
作者 陈福元 金文新 吴忠龙 《微细加工技术》 EI 1993年第4期63-66,共4页
本文介绍了腐蚀挖槽和硅中P、N型杂质一步扩散掺杂的晶闸管制造工艺,应用该技术提高了产品的性能/价格比。
关键词 晶闸管 掺杂 杂质 腐蚀挖槽 制造
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