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电工类课程能力培养型教学模式探讨
被引量：
2
1
作者
郭英彪
杨德增
《电气电子教学学报》
1998年第1期73-76,共4页
本文介绍的电工类课程“能力培养型”教学模式是紧紧围绕“提高课堂教学效益和加强学生的能力培养”全面系统地改进电工类课程教学方式方法，从理论和实践上为技术基础课教学如何提高课堂教学效益和加强学生的能力培养提供了一个新的方法。
关键词
电工课程
能力培养
研究与实践
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职称材料
Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及快速退火工艺的研究
被引量：
1
2
作者
苏学军
李岩
张金春
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
2002年第3期41-43,50,共4页
采用MOCVD工艺在Ts=4 4 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.4 4的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi4Ti3 O12 铁电薄膜 ,在Ts=4 0 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.11的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi2 Ti2 O...
采用MOCVD工艺在Ts=4 4 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.4 4的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi4Ti3 O12 铁电薄膜 ,在Ts=4 0 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.11的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi2 Ti2 O7薄膜 ,较好的退火温度为 6 30℃、时间为 6 0s ;快速退火对薄膜组分的影响不大 ,在相同的退火温度下 ,生成 4 3相还是 2 2相取决于退火前薄膜材料的组分。
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关键词
Bi4Ti3O12薄膜
快速退火工艺
MOCVD
XRD
EDAX
铁电薄膜
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职称材料
基于SX52BD单片机的语音卡控制系统设计
3
作者
廉德亮
林国华
+1 位作者
张莹
李岩
《测控技术》
CSCD
2001年第8期60-61,64,共3页
通过简单介绍SX52BD单片机、PBL387、NW10 34及RTL80 19AS芯片的基本性能 ,系统地阐述了SX52BD单片机在电话应答中的控制作用 。
关键词
电话机
语音卡
控制系统
设计
单片机
SX52BD
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职称材料
钛酸铋薄膜退火时间的研究
4
作者
苏学军
李岩
张金春
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
2002年第5期37-39,51,共4页
采用金属有机化学气相沉积工艺和快速退火工艺 ,在硅 (10 0 )基片上制备高度择优取向的Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜 ,运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构 ,通过测量材料的电滞回线和漏电流密度 ,研究快速退火对Bi4 Ti3 O12 薄膜电性能的影响...
采用金属有机化学气相沉积工艺和快速退火工艺 ,在硅 (10 0 )基片上制备高度择优取向的Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜 ,运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构 ,通过测量材料的电滞回线和漏电流密度 ,研究快速退火对Bi4 Ti3 O12 薄膜电性能的影响。在优化的工艺条件下 ,Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜的剩余极化强度 (Pr)为 8μC/cm2 ,漏电流密度为 10 -11A/cm2 。
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关键词
钛酸铋薄膜
退火时间
铁电薄膜
金属有机化学气相沉积
X射线衍射
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职称材料
用MOCVD和快速热处理工艺制备钛酸铋铁电薄膜
被引量：
1
5
作者
苏学军
李岩
《微电子技术》
2002年第1期16-19,28,共5页
采用MOCVD工艺 ,制备非晶态Bi4 Ti3O12 薄膜 ,然后经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi4 Ti3O12 铁电薄膜 ,运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构 ,X射线显微分析仪测量薄膜材料的组份 ,并通过电滞回线的测量 ,研究快速退火对Bi4 Ti3O12
关键词
MOCVD
快速热处理工艺
制备
钛酸铋
铁电薄膜
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职称材料
快速退火对钛酸铋薄膜微结构和铁电性的影响
6
作者
苏学军
李岩
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期13-17,共5页
采用MOCVD与快速退火工艺,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。运用x射线衍射术分析薄膜材料的结构,x射线显微分析仪测量薄膜材料的组分,并通过电滞回线的测量,研究快速退火对BiTiO薄膜结构和铁电性的影响。
关键词
钛酸铋薄膜
微结构
铁电性
MOCVD
快速退火
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职称材料
应用C-V测量研究铁电薄膜材料的电特性
7
作者
李岩
苏学军
刘新彦
《测控技术》
CSCD
2001年第6期64-65,共2页
通过分析钛酸铋铁电薄膜材料MFS结构的C V特性曲线 ,发现经过快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜的剩余极化强度Pr 提高 ,界面上固定电荷的分布和性质发生了变化。
关键词
C-V曲线
铁电薄膜材料
C-V测量
电特性
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职称材料
快速退火工艺对钛酸铋薄膜电学性能影响的研究
8
作者
苏学军
李岩
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
2002年第1期35-37,共3页
采用快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜 ,矫顽场Ec=9kV/cm ,在室温下剩余极化强度Pr=8μC/cm2 ;退火提高了钛酸铋薄膜的介电常数和材料的绝缘性 ,0 .1MHz附近薄膜材料的介电损耗tgδ<0 .
关键词
极化强度
C-V特性
矫顽场
快速退火
介电
钛酸铋铁电薄膜
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职称材料
题名
电工类课程能力培养型教学模式探讨
被引量：
2
1
作者
郭英彪
杨德增
机构
烟台
海军航空工程学院电工教研室
出处
《电气电子教学学报》
1998年第1期73-76,共4页
文摘
本文介绍的电工类课程“能力培养型”教学模式是紧紧围绕“提高课堂教学效益和加强学生的能力培养”全面系统地改进电工类课程教学方式方法，从理论和实践上为技术基础课教学如何提高课堂教学效益和加强学生的能力培养提供了一个新的方法。
关键词
电工课程
能力培养
研究与实践
分类号
TN-4 [电子电信]
下载PDF
职称材料
题名
Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及快速退火工艺的研究
被引量：
1
2
作者
苏学军
李岩
张金春
机构
海军航空工程学院
理化
教研室
海军航空工程学院电工教研室
出处
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
2002年第3期41-43,50,共4页
文摘
采用MOCVD工艺在Ts=4 4 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.4 4的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi4Ti3 O12 铁电薄膜 ,在Ts=4 0 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.11的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi2 Ti2 O7薄膜 ,较好的退火温度为 6 30℃、时间为 6 0s ;快速退火对薄膜组分的影响不大 ,在相同的退火温度下 ,生成 4 3相还是 2 2相取决于退火前薄膜材料的组分。
关键词
Bi4Ti3O12薄膜
快速退火工艺
MOCVD
XRD
EDAX
铁电薄膜
Keywords
MOCVD
XRD
RTA
EDAX
分类号
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
基于SX52BD单片机的语音卡控制系统设计
3
作者
廉德亮
林国华
张莹
李岩
机构
深圳大学信息
工程学
院EDA中心
山东科技大学信息与电气
工程学
院
海军航空工程学院电工教研室
出处
《测控技术》
CSCD
2001年第8期60-61,64,共3页
文摘
通过简单介绍SX52BD单片机、PBL387、NW10 34及RTL80 19AS芯片的基本性能 ,系统地阐述了SX52BD单片机在电话应答中的控制作用 。
关键词
电话机
语音卡
控制系统
设计
单片机
SX52BD
Keywords
SX52BD单片机
NW1034
PBL387
RTL8019AS
分类号
TN916.3 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
钛酸铋薄膜退火时间的研究
4
作者
苏学军
李岩
张金春
机构
海军航空工程学院
理化
教研室
海军航空工程学院电工教研室
出处
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
2002年第5期37-39,51,共4页
文摘
采用金属有机化学气相沉积工艺和快速退火工艺 ,在硅 (10 0 )基片上制备高度择优取向的Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜 ,运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构 ,通过测量材料的电滞回线和漏电流密度 ,研究快速退火对Bi4 Ti3 O12 薄膜电性能的影响。在优化的工艺条件下 ,Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜的剩余极化强度 (Pr)为 8μC/cm2 ,漏电流密度为 10 -11A/cm2 。
关键词
钛酸铋薄膜
退火时间
铁电薄膜
金属有机化学气相沉积
X射线衍射
Keywords
rapid thermal annealing
ferroelectrics thin film
MOCVD
XRD
分类号
TM223 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
用MOCVD和快速热处理工艺制备钛酸铋铁电薄膜
被引量：
1
5
作者
苏学军
李岩
机构
海军航空工程学院
理化
教研室
海军航空工程学院电工教研室
出处
《微电子技术》
2002年第1期16-19,28,共5页
文摘
采用MOCVD工艺 ,制备非晶态Bi4 Ti3O12 薄膜 ,然后经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi4 Ti3O12 铁电薄膜 ,运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构 ,X射线显微分析仪测量薄膜材料的组份 ,并通过电滞回线的测量 ,研究快速退火对Bi4 Ti3O12
关键词
MOCVD
快速热处理工艺
制备
钛酸铋
铁电薄膜
Keywords
MOCVD
XRD
RAT
Ferroelectric thin films
分类号
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
快速退火对钛酸铋薄膜微结构和铁电性的影响
6
作者
苏学军
李岩
机构
海军航空工程学院
理化
教研室
海军航空工程学院电工教研室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期13-17,共5页
文摘
采用MOCVD与快速退火工艺,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。运用x射线衍射术分析薄膜材料的结构,x射线显微分析仪测量薄膜材料的组分,并通过电滞回线的测量,研究快速退火对BiTiO薄膜结构和铁电性的影响。
关键词
钛酸铋薄膜
微结构
铁电性
MOCVD
快速退火
Keywords
MOCVD
XRD
RAT
ferroelectrics thin films
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
应用C-V测量研究铁电薄膜材料的电特性
7
作者
李岩
苏学军
刘新彦
机构
海军航空工程学院电工教研室
海军航空工程学院
理化
教研室
河北工业职业技术
学院
基础部
出处
《测控技术》
CSCD
2001年第6期64-65,共2页
文摘
通过分析钛酸铋铁电薄膜材料MFS结构的C V特性曲线 ,发现经过快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜的剩余极化强度Pr 提高 ,界面上固定电荷的分布和性质发生了变化。
关键词
C-V曲线
铁电薄膜材料
C-V测量
电特性
Keywords
C V curve
remnant polarization
RTA
charge density
分类号
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
快速退火工艺对钛酸铋薄膜电学性能影响的研究
8
作者
苏学军
李岩
机构
海军航空工程学院
理化
教研室
海军航空工程学院电工教研室
出处
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
2002年第1期35-37,共3页
基金
国家自然科学基金项目
文摘
采用快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜 ,矫顽场Ec=9kV/cm ,在室温下剩余极化强度Pr=8μC/cm2 ;退火提高了钛酸铋薄膜的介电常数和材料的绝缘性 ,0 .1MHz附近薄膜材料的介电损耗tgδ<0 .
关键词
极化强度
C-V特性
矫顽场
快速退火
介电
钛酸铋铁电薄膜
Keywords
polarization
C-V characteristic
coercive field
RTA
dielectric constant
分类号
TM223 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电工类课程能力培养型教学模式探讨
郭英彪
杨德增
《电气电子教学学报》
1998
2
下载PDF
职称材料
2
Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及快速退火工艺的研究
苏学军
李岩
张金春
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
2002
1
下载PDF
职称材料
3
基于SX52BD单片机的语音卡控制系统设计
廉德亮
林国华
张莹
李岩
《测控技术》
CSCD
2001
0
下载PDF
职称材料
4
钛酸铋薄膜退火时间的研究
苏学军
李岩
张金春
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
2002
0
下载PDF
职称材料
5
用MOCVD和快速热处理工艺制备钛酸铋铁电薄膜
苏学军
李岩
《微电子技术》
2002
1
下载PDF
职称材料
6
快速退火对钛酸铋薄膜微结构和铁电性的影响
苏学军
李岩
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
7
应用C-V测量研究铁电薄膜材料的电特性
李岩
苏学军
刘新彦
《测控技术》
CSCD
2001
0
下载PDF
职称材料
8
快速退火工艺对钛酸铋薄膜电学性能影响的研究
苏学军
李岩
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
2002
0
下载PDF
职称材料
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