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缓冲层提高有机聚合物光伏电池性能研究 被引量：2
1
作者 李卫民 郭金川 +1 位作者 孙秀泉 周彬 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1621-1625,共5页
在分析有机聚合物复合体光伏电池机理及等效电路模型基础上,研究了界面旋涂缓冲层对聚合物给体/受体复合体结构光伏器件性能的影响.制备了基于P3HT/PCBM的给体-受体复合体薄膜有机光伏电池,并分别在有机活性层和ITO基底之间以及有机活... 在分析有机聚合物复合体光伏电池机理及等效电路模型基础上,研究了界面旋涂缓冲层对聚合物给体/受体复合体结构光伏器件性能的影响.制备了基于P3HT/PCBM的给体-受体复合体薄膜有机光伏电池,并分别在有机活性层和ITO基底之间以及有机活性层和电极之间插入TFB和F8BT缓冲层.实验证明:在ITO和活性层之间旋涂TFB作为阳极缓冲层,可增加有机聚合物光伏器件的短路电流,在活性层和电极之间插入F8BT作为阴极缓冲层,可增大光伏器件的开路电压,提高器件的转换效率. 展开更多
关键词 有机光伏电池 缓冲层 聚合物 器件性能
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一种平面标靶的校正方法 被引量：1
2
作者 刘晓利 殷永凯 +1 位作者 何懂 彭翔 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期7-11,共5页
提出一种新的标靶校正方法。首先,用一台数码相机从不同角度拍摄标靶,获取多幅图像。分别提取各图像中标志点的中心作为特征点,根据标靶图案的拓扑关系,建立各幅图像间同名标志点的对应关系,并结合光束平差计算特征点的三维坐标,该特征... 提出一种新的标靶校正方法。首先,用一台数码相机从不同角度拍摄标靶,获取多幅图像。分别提取各图像中标志点的中心作为特征点,根据标靶图案的拓扑关系,建立各幅图像间同名标志点的对应关系,并结合光束平差计算特征点的三维坐标,该特征点的三维坐标由尺度因子所约束。最后,根据任意两个特征点的实际距离来获取尺度因子,并将各特征点的三维坐标缩放至实际尺寸。经实验验证,本方法校正的标靶具有较高的精度,操作简易,成本低,可广泛适用于视觉测量及系统标定。 展开更多
关键词 平面标靶 光束平差 标定
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腐蚀溶液对石墨烯转移质量和GFET性能的影响
3
作者 蒋月 彭冬生 +2 位作者 陈祖军 张茂贤 彭争春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期305-309,320,共6页
对比分析了过硫酸铵（APS）与三氯化铁（FeCl3）两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响。结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质。将两种转移到Si O2/Si基底上... 对比分析了过硫酸铵（APS）与三氯化铁（FeCl3）两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响。结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质。将两种转移到Si O2/Si基底上的石墨烯样品蒸镀100 nm厚的金的源漏电极后分别制成了石墨烯场效应晶体管（GFET）,并在室温下对其进行了电学性能测试。测试结果表明,相对于FeCl3腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成的器件,采用APS腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成器件的狄拉克点从75 V左右降低到了0 V左右,载流子迁移率从823 cm^2/（V·s）提升到了1 324 cm^2/（V·s）。因此,采用APS腐蚀溶液转移石墨烯引入杂质更少,制备的器件性能更优越。 展开更多
关键词 石墨烯 腐蚀溶液 石墨烯场效应晶体管(GFET) 电学性能 狄拉克点
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基于CuPc…C_(60)的混合层异质结光伏器件性能研究
4
作者 李卫民 郭金川 周彬 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2012年第7期162-166,共5页
制备了基于CuPc…C60混合层异质结有机光伏器件,将其与CuPc-C60双层结构光伏器件进行对比研究。结果表明混合层结构器件性能得到改善,其开路电压、短路电流密度、填充因子和光电转换效率都有提高,分别从CuPc-C60双层结构器件的0.39V、1.... 制备了基于CuPc…C60混合层异质结有机光伏器件,将其与CuPc-C60双层结构光伏器件进行对比研究。结果表明混合层结构器件性能得到改善,其开路电压、短路电流密度、填充因子和光电转换效率都有提高,分别从CuPc-C60双层结构器件的0.39V、1.92mA/cm2、0.36%、0.48依次提高到CuPc…C60混合层结构器件的0.48V、2.21mA/cm2、0.54%、0.51。根据整数电荷转移模型来分析光伏器件D/A界面及有机材料-ITO衬底界面特性,认为混合层异质结有机光伏器件给体材料HOMO与受体材料LUMO的能级差增加使得器件开路电压提高。混合层异质结有机光伏器件D/A界面面积增加和给体材料HOMO与受体材料LUMO的能级差增加都提高了激子的分离效率,所以器件的短路电流密度增加。 展开更多
关键词 光学器件 混合层 双层 性能
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不同Ⅴ/Ⅲ族元素比对m面GaN薄膜性能的影响
5
作者 谭聪聪 彭冬生 +2 位作者 陈志刚 刘毅 冯哲川 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第1期14-17,共4页
采用分子束外延(MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面Ga N薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07nm。利用光谱型椭偏... 采用分子束外延(MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面Ga N薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07nm。利用光谱型椭偏仪研究m面Ga N薄膜,得到了m面Ga N薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,Ga N样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。 展开更多
关键词 m面GaN 光学性能 分子束外延 表面形貌
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深度图像匹配的两种方法及比较 被引量：2
6
作者 刘晓利 彭翔 +1 位作者 殷永凯 李阿蒙 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2010年第12期50-55,共6页
深度图像匹配在三维数字成像与造型、三维光学检测领域中,具有重要的作用及研究价值。其匹配精度的高低、速度的快慢直接影响到最终三维模型的测量精度与速度。目前应用较为广泛的匹配方法主要有基于迭代最近点和基于标志点两种方法。... 深度图像匹配在三维数字成像与造型、三维光学检测领域中,具有重要的作用及研究价值。其匹配精度的高低、速度的快慢直接影响到最终三维模型的测量精度与速度。目前应用较为广泛的匹配方法主要有基于迭代最近点和基于标志点两种方法。简要论述了各种深度图像匹配的方法,着重介绍迭代最近点与借助标志点两种方法的理论与发展,并结合实验数据,阐述两种方法优缺点、匹配精度、误差来源、时间复杂度、应用前景等。 展开更多
关键词 图像处理 深度图像匹配 标志点 迭代最近点
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