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一种适合于OLED电视电源应用的新型超级结MOSFET
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作者 王俊生 肖胜安 彭俊彪 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期948-956,共9页
提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容... 提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容随漏极电压的变化和开关过程,发现600 V新型超级结MOSFET比现有600 V超级结MOSFET的击穿电压提高了15 V、比导通电阻减小约3%,开关特性得到了大幅改善,器件关断时漏极电压尖峰降低41 V,栅极电压尖峰降低10 V。该新型超级结MOSFET在国内晶圆制造平台上成功制作,获得了优异的器件性能。在300 W有机发光二极管(OLED)电视电源板上进行替代纵向双扩散MOSFET(VDMOSFET)的对比测试,发现电源系统使用该新型超级结MOSFET比使用现有超级结MOSFET,其电磁干扰(EMI)性能改善了4.32~5.8 dB;与使用VDMOSFET相比,在保持EMI性能同等水平的同时,系统效率提高了0.52%。 展开更多
关键词 超级结MOSFET 纵向双扩散MOSFET(VDMOSFET) 电磁干扰(EMI) 有机发光二极管(OLED)电视电源
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深沟槽填充超结的电荷平衡对器件性能的影响 被引量：1
2
作者 姚亮 王飞 肖胜安 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期229-233,共5页
基于沟槽型超结器件结构,研究了超结MOSFET器件的P型杂质的分布对器件性能包括反向击穿电压和雪崩能量的影响。结果表明,通过P型杂质浓度和杂质浓度分布的优化,可以改善器件击穿电压的一致性,提高器件的雪崩击穿能量并改善其均匀性,从... 基于沟槽型超结器件结构,研究了超结MOSFET器件的P型杂质的分布对器件性能包括反向击穿电压和雪崩能量的影响。结果表明,通过P型杂质浓度和杂质浓度分布的优化,可以改善器件击穿电压的一致性,提高器件的雪崩击穿能量并改善其均匀性,从而给出了一种提高器件雪崩能量及改善雪崩能量一致性的方案。 展开更多
关键词 超结 沟槽填充 雪崩能量
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