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侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
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作者 康亚茹 董慧 +4 位作者 刘晶 黄镇 李兆峰 颜伟 王晓东 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期526-532,共7页
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的... 针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的接触问题,最终获得了不同栅宽(200 nm、800 nm和1400 nm)的侧栅GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器。通过直流测试表征发现,不同器件的栅宽与其阈值电压之间呈现出明显的线性关系,验证了侧栅结构HEMT太赫兹探测器的直流输运模型。上述结果为完整的侧栅HEMT太赫兹探测器的理论模型提供了实验验证和指导,为侧栅HEMT太赫兹探测器的发展提供了重要支持。 展开更多
关键词 氮化镓 太赫兹探测器 侧栅 高电子迁移率晶体管
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场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(上)
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作者 靳晨阳 康亚茹 +5 位作者 黄镇 赵永梅 颜伟 李兆峰 王晓东 杨富华 《红外》 CAS 2024年第7期1-8,共8页
太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于... 太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于具备可室温工作、易大面积集成、响应速度快等特性,场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)THz探测器在成像应用中潜力巨大。综述了近年来FET THz探测器在THz成像领域的研究进展(包括成像阵列、材料选择等方面),分析了设计和制造中存在的问题;指出天线和像素间距是限制大规模阵列化的重要因素,并在此基础上对未来的研究方向进行了展望;指出新的材料和结构设计将进一步改善器件性能,从而实现更快速、更清晰的THz成像。 展开更多
关键词 太赫兹成像 场效应晶体管 太赫兹探测器 HEMT CMOS 低维材料
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场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(下)
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作者 靳晨阳 康亚茹 +5 位作者 黄镇 赵永梅 颜伟 李兆峰 王晓东 杨富华 《红外》 CAS 2024年第8期1-12,共12页
太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于... 太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于具备可室温工作、易大面积集成、响应速度快等特性,场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)THz探测器在成像应用中潜力巨大。综述了近年来FET THz探测器在THz成像领域的研究进展(包括成像阵列、材料选择等方面),分析了设计和制造中存在的问题;指出天线和像素间距是限制大规模阵列化的重要因素,并在此基础上对未来的研究方向进行了展望;指出新的材料和结构设计将进一步改善器件性能,从而实现更快速、更清晰的THz成像。 展开更多
关键词 太赫兹成像 场效应晶体管 太赫兹探测器 HEMT CMOS 低维材料
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原子层/分子层沉积技术及其在半导体先进工艺中的应用
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作者 赵波 柳俊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第20期55-66,共12页
原子层沉积是一种气相沉积薄膜的技术,基于表面化学饱和吸附的连续自限反应的机理,薄膜沉积过程可以在各式各样的基底上实现原子级的保形性生长。凭借这一优势,原子层沉积成为半导体先进工艺制程中的重要技术,为实现原子级尺寸和精度的... 原子层沉积是一种气相沉积薄膜的技术,基于表面化学饱和吸附的连续自限反应的机理,薄膜沉积过程可以在各式各样的基底上实现原子级的保形性生长。凭借这一优势,原子层沉积成为半导体先进工艺制程中的重要技术,为实现原子级尺寸和精度的器件工艺提供了重要技术支撑。与传统的化学气相沉积和物理气相沉积不同,原子层沉积在低生长温度下制备的薄膜具有良好的台阶覆盖率、原子尺度上厚度的精准可控性和成分均匀性。分子层沉积是一种类似于原子层沉积的气相沉积技术,它可以精确控制所制备聚合物薄膜的厚度和组成,且同样具有优异的保形性,是一种制备聚合物薄膜的新兴技术。本文首先介绍了原子层沉积的技术原理和特征,然后结合原子层沉积的特征优势列举了原子层沉积在半导体先进工艺制程中应用的例子,包括用于制备高k介质层材料、籽晶层材料、扩散阻挡层材料、间隔层材料、水汽阻隔层材料。后续介绍了分子层沉积技术原理和原子层/分子层沉积组合技术制备的无机-有机杂化薄膜在介电材料和水汽阻隔材料中的应用,最后进行了总结并指出原子层沉积和分子层沉积技术将在芯片器件高端工艺中扮演越来越重要的角色。 展开更多
关键词 原子层沉积 分子层沉积 半导体 先进工艺 薄膜
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硬X射线光电子能谱在半导体材料和器件中的应用
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作者 宋华平 杨安丽 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期505-513,共9页
与常规X射线光电子能谱(XPS,能量E<2 keV))相比,硬X射线光电子能谱(HAXPES)由于采用较高能量的X射线(E>2 keV),具有更大的探测深度,已经成为研究复杂材料体系的体性质,以及多层薄膜结构和纳米复合结构界面性质的重要分析工具。简... 与常规X射线光电子能谱(XPS,能量E<2 keV))相比,硬X射线光电子能谱(HAXPES)由于采用较高能量的X射线(E>2 keV),具有更大的探测深度,已经成为研究复杂材料体系的体性质,以及多层薄膜结构和纳米复合结构界面性质的重要分析工具。简要论述了HAXPES的主要特点及其发展现状,重点介绍其在半导体材料和器件研究中的典型应用,包含亚表面性质、极性判定、异质结能带结构、掺杂原子空间位置信息、器件层中界面态、介质层厚度评估等方面。随着硬X射线光源技术的不断发展,HAXPES的性能将进一步提高,其应用范围也会快速拓展,这将极大地促进功能材料的发展和应用。 展开更多
关键词 硬X射线光电子能谱(HAXPES) 硬X射线光电子衍射 半导体材料和器件 能带结构 亚表面性质
原文传递
Buck变换器的状态离散时间模型及其极限电压响应控制策略研究
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作者 张明 邹谦 +3 位作者 罗雷明 刘宁宇 张凡武 雷鹏 《微电子学与计算机》 2023年第6期100-108,共9页
为了提高开关电源变换器的建模精度和控制性能,提出了一种状态切换离散时间模型(State Switching Discrete time Model,SSDM).该模型在建模时考虑的是每个开关周期内的状态,而不是变换器的平均状态,故在高频下其精度比传统的状态平均模... 为了提高开关电源变换器的建模精度和控制性能,提出了一种状态切换离散时间模型(State Switching Discrete time Model,SSDM).该模型在建模时考虑的是每个开关周期内的状态,而不是变换器的平均状态,故在高频下其精度比传统的状态平均模型更高.基于开关持续时间的全微分方程,精确计算一个周期内的电感电流和输出电压,从而推导出SSDM.此外,通过SSDM推导出极限电压响应(Limiting Voltage Response,LVR)控制策略.该策略通过电压预测计算出合适的占空比,以在最小开关周期内将输出电压调节为参考值.通过这种策略,变换器不仅实现了非常快的负载/线路瞬态响应和参考跟踪速度,而且在偏差电感下表现出很高的稳定性.最后,通过频率响应分析和实验验证了SSDM的准确性和系统的稳定性.实验结果表明,在不同工况下,LVR控制策略下的输出电压瞬态响应时间相比传统控制策略下的输出电压瞬态响应时间缩短了70%以上;当电感值偏离23%时,在LVR控制策略下的输出电压仍然保持稳定. 展开更多
关键词 BUCK DC-DC 离散时间模型 极限响应控制
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转角双层-双层石墨烯中同位旋极化的C=4陈绝缘态
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作者 刘义俊 陈以威 +21 位作者 朱雨剑 黄焱 安冬冬 李庆鑫 甘祺康 朱旺 宋珺威 王开元 魏凌楠 宗其军 刘硕涵 李世伟 刘芝 张琪 徐瑛海 曹新宇 杨奥 王浩林 杨冰 Andy Shen 于葛亮 王雷 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第14期1-8,共8页
范德瓦耳斯材料相对扭转到特定角度时,会出现几乎零色散的莫尔平带,从而产生一系列关联电子物态,例如非常规超导、关联绝缘态和轨道磁性等.在转角双层-双层石墨烯(TDBG)体系中,能带带宽和拓扑性质可以通过栅极施加的电位移场原位调控,... 范德瓦耳斯材料相对扭转到特定角度时,会出现几乎零色散的莫尔平带,从而产生一系列关联电子物态,例如非常规超导、关联绝缘态和轨道磁性等.在转角双层-双层石墨烯(TDBG)体系中,能带带宽和拓扑性质可以通过栅极施加的电位移场原位调控,使该体系成为良好的研究拓扑相变和强关联物理的量子模拟平台.在一定的电位移场作用下,TDBG中C_(2x)对称性破缺,中性点附近的导带和价带会获得有限的陈数.能带的拓扑性质与强相互作用驱动的对称性破缺使得可以在低磁场下实现并调控陈绝缘态.本工作通过制备高质量TDBG器件,在有限磁场下,在莫尔原胞填充因子ν=1处发现了陈数为4的陈绝缘态.同时还发现纵向电阻出现电阻峰并随平行磁场或温度升高而增强的现象,这类似于^(3)He中的Pomeranchuk效应,推测ν=1处的陈绝缘态或许源于同位旋的极化. 展开更多
关键词 转角双层-双层石墨烯 陈绝缘态 电子关联
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二维范德瓦耳斯材料的超导物性研究及性能调控
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作者 黄佳贝 廉富镯 +9 位作者 汪致远 孙世涛 李明 张棣 蔡晓凡 马国栋 麦志洪 Andy Shen 王雷 于葛亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第18期27-45,共19页
超导现象自从1911年被发现以来一直是凝聚态物理领域的热门研究方向.近年来,二维范德瓦耳斯材料在超导领域中备受瞩目,展现出多种新的物理现象,如伊辛超导体、拓扑超导等,可以为探索丰富多彩的物理效应和新奇物理现象提供一个非常广阔... 超导现象自从1911年被发现以来一直是凝聚态物理领域的热门研究方向.近年来,二维范德瓦耳斯材料在超导领域中备受瞩目,展现出多种新的物理现象,如伊辛超导体、拓扑超导等,可以为探索丰富多彩的物理效应和新奇物理现象提供一个非常广阔的研究平台.本文从二维范德瓦耳斯材料的超导特性入手,着重论述了二维范德瓦耳斯材料的分类、合成方法、表征和调控手段等方面.最后指出了一些当前需要解决的问题,并对二维范德瓦耳斯材料在超导领域的未来前景进行了展望. 展开更多
关键词 超导 二维范德瓦耳斯晶体 制备表征 性能调控
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双层石墨烯中的偶数分母分数量子霍尔态
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作者 李庆鑫 黄焱 +13 位作者 陈以威 朱雨剑 朱旺 宋珺威 安冬冬 甘祺康 王开元 王浩林 †麦志洪 Andy Shen 郗传英 张警蕾 于葛亮 王雷 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第18期73-78,共6页
在半填充的朗道能级,复合费米子手征p波配对的Moore-Read态具有e/4的分数激发,其中部分这种准粒子服从非阿贝尔统计,有望用于实现拓扑量子计算.双层石墨烯由于其电子的SU(4)对称性和电场对其性质的方便调控性,成为研究多分量量子霍尔态... 在半填充的朗道能级,复合费米子手征p波配对的Moore-Read态具有e/4的分数激发,其中部分这种准粒子服从非阿贝尔统计,有望用于实现拓扑量子计算.双层石墨烯由于其电子的SU(4)对称性和电场对其性质的方便调控性,成为研究多分量量子霍尔态的理想平台,是实现非阿贝尔统计的候选者.本文利用干法转移技术制备了双层石墨烯/氮化硼异质结,通过电学输运测量展示了双层石墨烯在调节外电场和磁场下的量子霍尔态行为.在强磁场下,观测到了朗道能级填充因子为–5/2,–1/2,3/2的伴随着量子化霍尔电导的不可压缩态.随着磁场继续增强,这些偶数分母量子霍尔态特征先增强再减弱,对应朗道能级波函数的极化.实验结果暗示观察到的这些偶数分母分数量子霍尔态属于由Pffafian波函数描述的拓扑态. 展开更多
关键词 石墨烯 分数量子霍尔效应 拓扑相
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新型多级沟槽结势垒肖特基二极管
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作者 袁俊 陈伟 +5 位作者 郭飞 成志杰 王宽 吴阳阳 辛国庆 王智强 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期87-91,86,共6页
提出了一种新型多级沟槽结势垒肖特基(MTJBS)二极管结构,并利用Silvaco TCAD软件对其进行仿真优化.结果表明:在相同的结构参数下,当反向偏压等于1200 V时,JBS二极管的肖特基接触处的峰值电场比MTJBS二极管高50.0%;在1200 V反向偏压下,... 提出了一种新型多级沟槽结势垒肖特基(MTJBS)二极管结构,并利用Silvaco TCAD软件对其进行仿真优化.结果表明:在相同的结构参数下,当反向偏压等于1200 V时,JBS二极管的肖特基接触处的峰值电场比MTJBS二极管高50.0%;在1200 V反向偏压下,当器件表面峰值电场等于1 MV/cm时,JBS二极管肖特基接触面宽度为1.6μm,MTJBS二极管肖特基接触面宽度为3.0μm.采用相同器件参数制备JBS与MTJBS二极管并进行电学性能测试对比,MTJBS二极管的正向导通特性未显示出明显的退化,但击穿电压提高了约200 V,同时反向漏电降低了2个数量级. 展开更多
关键词 碳化硅 结势垒肖特基二极管 多级沟槽 漏电流 高温特性 工艺流程
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