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超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用
1
作者
曹文彧
张雅婷
+5 位作者
魏彦锋
朱丽娟
徐可
颜家圣
周书星
胡晓东
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第7期292-299,共8页
在InGaN/GaN异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究InGaN/GaN超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型InG...
在InGaN/GaN异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究InGaN/GaN超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型InGaN/GaN超晶格插入层的外延结构及其对照样品.变温光致发光谱测试表明引入n型InGaN/GaN超晶格插入层的样品发光波长更短且内量子效率提升,相应的电致发光谱积分强度也显著增加且半宽减小,说明引入超晶格应变插入层可以在一定程度上抑制影响发光效率的量子限制Stark效应.理论计算结果表明:在生长有源区量子阱前引入超晶格应变层,可以削弱有源区量子阱内极化内建电场,减弱有源区量子阱能带倾斜,增加电子空穴波函数交叠,提高发射几率,缩短辐射复合寿命,有利于辐射复合与非辐射复合的竞争,实现更高的复合效率,从而提高发光强度.本文从实验和理论两方面验证了超晶格应变调制插入层可以有效改善器件性能,为器件的结构设计优化指明方向.
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关键词
GAN
多量子阱
超晶格
应变调制
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职称材料
多芯片IGBT并联模块耦合特性研究
2
作者
张桥
颜家圣
+3 位作者
李新安
段彬彬
王维
朱玉德
《电子制作》
2024年第7期116-119,共4页
本文根据模块部件的布局、DBC覆铜板、铝键合线的过流能力、杂散电感方面,结合布局结构进行边界条件仿真,在高电流密度下DBC覆铜板、键合线的电流密度、铝键合线电热场分布、形变量、拱形顶部和键合线根部等效应力,验证芯片排布的均匀...
本文根据模块部件的布局、DBC覆铜板、铝键合线的过流能力、杂散电感方面,结合布局结构进行边界条件仿真,在高电流密度下DBC覆铜板、键合线的电流密度、铝键合线电热场分布、形变量、拱形顶部和键合线根部等效应力,验证芯片排布的均匀性及模块热特性,仿真验证了MGC600A模块的设计。通过多IGBT芯片并联排布的考虑电磁-热场等多场耦合应用仿真,有效解决大电流IGBT模块的均流和热均匀分布。
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关键词
IGBT
结构场仿真
键合铝线过流能力
杂散电感
电流密度
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职称材料
高压双向晶闸管及换向特性研究
3
作者
张桥
肖彦
+1 位作者
颜家圣
周书星
《电力电子技术》
北大核心
2023年第10期137-140,共4页
高压软启动、电气驱动和静态无功功率补偿等高压装置应用中,常需采用多只普通晶闸管反并联结构和多组串联,为减小体积和降低重量可采用高压双向晶闸管替代普通晶闸管的反并联,但集成于同一芯片的反并联晶闸管器件换向特性受载流子的影...
高压软启动、电气驱动和静态无功功率补偿等高压装置应用中,常需采用多只普通晶闸管反并联结构和多组串联,为减小体积和降低重量可采用高压双向晶闸管替代普通晶闸管的反并联,但集成于同一芯片的反并联晶闸管器件换向特性受载流子的影响较大。针对高压双向晶闸管的反并联应用需求,对双向晶闸管芯片结构开展分析,通过提高短基区浓度、采用pnp横向隔离结构、局部控制载流子少子寿命,提升了芯片抗干扰能力,成功研制出全压接式高压四端双向晶闸管,简化了反并联组件结构,降低了组件的体积、重量和成本。
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关键词
高压双向晶闸管
换向特性
抗干扰
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职称材料
超高速脉冲晶闸管特性研究
4
作者
张桥
肖彦
+1 位作者
黄智
任丽
《电子制作》
2023年第8期90-93,共4页
近年脉冲功率技术发展迅速,功率半导体脉冲晶闸管因其特有的大功率优势得到了越来越广泛的应用。在脉冲功率领域的超高速半导体开关器件要求超高开通速度、高通流能力、寿命长等特点。常规的功率半导体开关受开通速度限制,在某结场合无...
近年脉冲功率技术发展迅速,功率半导体脉冲晶闸管因其特有的大功率优势得到了越来越广泛的应用。在脉冲功率领域的超高速半导体开关器件要求超高开通速度、高通流能力、寿命长等特点。常规的功率半导体开关受开通速度限制,在某结场合无法做到综合参数满足要求。本文介绍一种超高速脉冲晶闸管,电压可达到5000V,di/dt可达到20KA/以上,脉冲峰值电流可达到150KA以上。该器件采用多元胞集成,采用缓冲层与透明阳极相结合,使其在导通压降和开通扩展等方面相对于传统快开通晶闸管具有更强的优势。可广泛应用于环保处理、电磁弹射等脉冲功率领域。
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关键词
透明阳极
超高速
多元胞
缓冲层
脉冲晶闸管
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职称材料
反向开关晶体管结构优化与特性测试
被引量:
4
5
作者
梁琳
余亮
+1 位作者
吴拥军
余岳辉
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期876-880,共5页
对半导体脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)的结构进行了优化,在RSD中引入缓冲层,建立器件数值模型并作仿真分析,结果表明:缓冲层结构起到了截止电场的作用,使得器件基区得以减薄,较传统结构RSD阻断电压升高而开通电压降低。针对RSD的特...
对半导体脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)的结构进行了优化,在RSD中引入缓冲层,建立器件数值模型并作仿真分析,结果表明:缓冲层结构起到了截止电场的作用,使得器件基区得以减薄,较传统结构RSD阻断电压升高而开通电压降低。针对RSD的特殊工作方式,提出了RSD开通电压、关断时间等关键参数的测试方案并进行了实验测量。进行了RSD大电流开通试验,直径7.6cm的堆体在12kV主电压下成功通过峰值电流173kA,传输电荷32C。
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关键词
反向开关晶体管
脉冲功率开关
缓冲层
开通电压
关断时间
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职称材料
RSD重复频率脉冲功率电路的研制
被引量:
3
6
作者
彭亚斌
梁琳
+1 位作者
张桥
余岳辉
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2011年第2期69-71,共3页
研制了一种基于高速大功率半导体脉冲开关反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD)的重复频率脉冲功率电路,电路主要包括放电电容充电回路、主回路及RSD预充回路等部分。分析了脉冲功率电路及磁开关工作原理。设计了工作...
研制了一种基于高速大功率半导体脉冲开关反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD)的重复频率脉冲功率电路,电路主要包括放电电容充电回路、主回路及RSD预充回路等部分。分析了脉冲功率电路及磁开关工作原理。设计了工作电压为2.4 kV时的电路及磁开关参数。试验结果表明,当重复频率为10 Hz时,RSD输出电流峰值为2.44 kA,脉宽为9μs,工作频率从10 Hz增加至60 Hz时,输出电流从2.44 kA下降至2.21 kA,变化率为4.5%。
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关键词
反向开关晶体管
脉冲功率开关
脉冲功率电路
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职称材料
超高速脉冲晶闸管设计及特性
被引量:
3
7
作者
朱玉德
刘小俐
+3 位作者
肖彦
张桥
吴拥军
颜家圣
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期73-76,共4页
介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000V,电流上升率可以达到20kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构,采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术,使其在压降和开...
介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000V,电流上升率可以达到20kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构,采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术,使其在压降和开通等方面相对于传统的晶闸管原理开关有更强的优势。并且,该超高速脉冲器件在工艺设计及实现上进行了优化,使生产条件易满足。
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关键词
脉冲功率技术
晶闸管
穿通型
缓冲层
多元胞集成结构
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职称材料
基于RBF神经网络的汽车危驾限制系统研究
8
作者
蔡兵
金鑫
+2 位作者
吉向东
宗振华
曹阳
《通化师范学院学报》
2016年第10期1-3,共3页
针对汽车的危驾问题,给出了危驾检测限制系统.此危驾检测限制系统包括人脸摄像电路、红外检测器和系统控制电路等,算法上采用RBF神经网络算法.MATLAB仿真表明,其识别率可达95%以上.相比较其他人脸检测方法,本系统具有结构简单、成本低...
针对汽车的危驾问题,给出了危驾检测限制系统.此危驾检测限制系统包括人脸摄像电路、红外检测器和系统控制电路等,算法上采用RBF神经网络算法.MATLAB仿真表明,其识别率可达95%以上.相比较其他人脸检测方法,本系统具有结构简单、成本低的特点.
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关键词
RBF神经网络
汽车危驾限制系统
红外检测器
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职称材料
IGBT封装中几种局部过热问题的预防
被引量:
1
9
作者
周霖
颜家圣
李新安
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2018年第8期67-69,共3页
为提高绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件在封装中的可靠性,研究了IGBT封装中容易引起局部过热的几种常见现象,提出了优化设计方法和研究分析。结果表明,适当的热设计对IGBT封装中可靠性有较大帮助。
关键词
绝缘栅双极型晶体管
局部过热
封装
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职称材料
如何加强农经会计档案管理
被引量:
1
10
作者
刘志凌
《农村经济与科技》
2011年第11期92-92,共1页
在大力发展我国农业经济的今天,加强农经会计档案管理可以促进财务管理水平的提高,充分发挥会计档案在农业经济建设中的重要作用。从农经会计档案管理现状入手,分析了存在的问题并提出了改进措施。
关键词
会计档案管理
现状
对策
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职称材料
生产制造企业财务管理问题及应对思考
11
作者
姜敏
《市场周刊·理论版》
2022年第11期17-20,共4页
随着我国经济社会出现巨大变革,经济发展进入新时期,生产制造企业迎来了全新的挑战。 如今的生产制造企业所面临的市场环境空前复杂,不仅蕴含着大量的新机遇,而且还有许多难以预测的新变化。 在这种背景下,企业想要获得健康发展的机会...
随着我国经济社会出现巨大变革,经济发展进入新时期,生产制造企业迎来了全新的挑战。 如今的生产制造企业所面临的市场环境空前复杂,不仅蕴含着大量的新机遇,而且还有许多难以预测的新变化。 在这种背景下,企业想要获得健康发展的机会和更大的生存空间,就需要加强管理水平,以获得更强的适应能力和风险抵御能力,实现可持续发展。 文章基于具有代表性的生产制造企业发展的现状,阐明财务管理在现阶段企业发展中的重要性,并提出生产制造企业在当今社会应当做出怎样的更改措施来提高财务管理水平。
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关键词
生产制造企业
财务管理
问题
应对思考
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职称材料
题名
超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用
1
作者
曹文彧
张雅婷
魏彦锋
朱丽娟
徐可
颜家圣
周书星
胡晓东
机构
湖北
文理学院物理与电子工程学院
湖北台基半导体股份有限公司
武汉大学
北京大学物理学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第7期292-299,共8页
基金
湖北省教育厅科研计划(批准号:Q20222607)
襄阳市基础研究科技计划(批准号:2022ABH006045)
+2 种基金
电子制造与封装集成湖北省重点实验室(武汉大学)开放基金(批准号:EMPI2023009)
湖北文理学院教学研究项目(批准号:JY2023017)
湖北文理学院博士科研启动基金(批准号:2020170367)资助的课题。
文摘
在InGaN/GaN异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究InGaN/GaN超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型InGaN/GaN超晶格插入层的外延结构及其对照样品.变温光致发光谱测试表明引入n型InGaN/GaN超晶格插入层的样品发光波长更短且内量子效率提升,相应的电致发光谱积分强度也显著增加且半宽减小,说明引入超晶格应变插入层可以在一定程度上抑制影响发光效率的量子限制Stark效应.理论计算结果表明:在生长有源区量子阱前引入超晶格应变层,可以削弱有源区量子阱内极化内建电场,减弱有源区量子阱能带倾斜,增加电子空穴波函数交叠,提高发射几率,缩短辐射复合寿命,有利于辐射复合与非辐射复合的竞争,实现更高的复合效率,从而提高发光强度.本文从实验和理论两方面验证了超晶格应变调制插入层可以有效改善器件性能,为器件的结构设计优化指明方向.
关键词
GAN
多量子阱
超晶格
应变调制
Keywords
GaN
multiple quantum well
superlattice
strain modulation
分类号
O413 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
多芯片IGBT并联模块耦合特性研究
2
作者
张桥
颜家圣
李新安
段彬彬
王维
朱玉德
机构
湖北台基半导体股份有限公司
大功率
半导体
技术
湖北
省重点实验室
出处
《电子制作》
2024年第7期116-119,共4页
文摘
本文根据模块部件的布局、DBC覆铜板、铝键合线的过流能力、杂散电感方面,结合布局结构进行边界条件仿真,在高电流密度下DBC覆铜板、键合线的电流密度、铝键合线电热场分布、形变量、拱形顶部和键合线根部等效应力,验证芯片排布的均匀性及模块热特性,仿真验证了MGC600A模块的设计。通过多IGBT芯片并联排布的考虑电磁-热场等多场耦合应用仿真,有效解决大电流IGBT模块的均流和热均匀分布。
关键词
IGBT
结构场仿真
键合铝线过流能力
杂散电感
电流密度
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高压双向晶闸管及换向特性研究
3
作者
张桥
肖彦
颜家圣
周书星
机构
湖北台基半导体股份有限公司
湖北
文理学院
出处
《电力电子技术》
北大核心
2023年第10期137-140,共4页
基金
湖北省自然科学基金(2022CFD105)
襄阳市研究与开发项目(2022AAH005689)。
文摘
高压软启动、电气驱动和静态无功功率补偿等高压装置应用中,常需采用多只普通晶闸管反并联结构和多组串联,为减小体积和降低重量可采用高压双向晶闸管替代普通晶闸管的反并联,但集成于同一芯片的反并联晶闸管器件换向特性受载流子的影响较大。针对高压双向晶闸管的反并联应用需求,对双向晶闸管芯片结构开展分析,通过提高短基区浓度、采用pnp横向隔离结构、局部控制载流子少子寿命,提升了芯片抗干扰能力,成功研制出全压接式高压四端双向晶闸管,简化了反并联组件结构,降低了组件的体积、重量和成本。
关键词
高压双向晶闸管
换向特性
抗干扰
Keywords
high voltage bidirectional thyristor
commutation characteristics
anti-interference
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
超高速脉冲晶闸管特性研究
4
作者
张桥
肖彦
黄智
任丽
机构
湖北台基半导体股份有限公司
出处
《电子制作》
2023年第8期90-93,共4页
文摘
近年脉冲功率技术发展迅速,功率半导体脉冲晶闸管因其特有的大功率优势得到了越来越广泛的应用。在脉冲功率领域的超高速半导体开关器件要求超高开通速度、高通流能力、寿命长等特点。常规的功率半导体开关受开通速度限制,在某结场合无法做到综合参数满足要求。本文介绍一种超高速脉冲晶闸管,电压可达到5000V,di/dt可达到20KA/以上,脉冲峰值电流可达到150KA以上。该器件采用多元胞集成,采用缓冲层与透明阳极相结合,使其在导通压降和开通扩展等方面相对于传统快开通晶闸管具有更强的优势。可广泛应用于环保处理、电磁弹射等脉冲功率领域。
关键词
透明阳极
超高速
多元胞
缓冲层
脉冲晶闸管
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
反向开关晶体管结构优化与特性测试
被引量:
4
5
作者
梁琳
余亮
吴拥军
余岳辉
机构
华中科技大学电子科学与技术系
湖北台基半导体股份有限公司
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期876-880,共5页
基金
国家自然科学基金项目(50907025)
文摘
对半导体脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)的结构进行了优化,在RSD中引入缓冲层,建立器件数值模型并作仿真分析,结果表明:缓冲层结构起到了截止电场的作用,使得器件基区得以减薄,较传统结构RSD阻断电压升高而开通电压降低。针对RSD的特殊工作方式,提出了RSD开通电压、关断时间等关键参数的测试方案并进行了实验测量。进行了RSD大电流开通试验,直径7.6cm的堆体在12kV主电压下成功通过峰值电流173kA,传输电荷32C。
关键词
反向开关晶体管
脉冲功率开关
缓冲层
开通电压
关断时间
Keywords
reversely switched dynistor
pulsed power switch
buffer layer
turn-on voltage
turn-off time
分类号
TN313 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
RSD重复频率脉冲功率电路的研制
被引量:
3
6
作者
彭亚斌
梁琳
张桥
余岳辉
机构
华中科技大学
湖北台基半导体股份有限公司
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2011年第2期69-71,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(50907025)~~
文摘
研制了一种基于高速大功率半导体脉冲开关反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD)的重复频率脉冲功率电路,电路主要包括放电电容充电回路、主回路及RSD预充回路等部分。分析了脉冲功率电路及磁开关工作原理。设计了工作电压为2.4 kV时的电路及磁开关参数。试验结果表明,当重复频率为10 Hz时,RSD输出电流峰值为2.44 kA,脉宽为9μs,工作频率从10 Hz增加至60 Hz时,输出电流从2.44 kA下降至2.21 kA,变化率为4.5%。
关键词
反向开关晶体管
脉冲功率开关
脉冲功率电路
Keywords
reversely switched dynistor
pulse power switch
pulse power circuit
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
超高速脉冲晶闸管设计及特性
被引量:
3
7
作者
朱玉德
刘小俐
肖彦
张桥
吴拥军
颜家圣
机构
湖北台基半导体股份有限公司
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期73-76,共4页
文摘
介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000V,电流上升率可以达到20kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构,采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术,使其在压降和开通等方面相对于传统的晶闸管原理开关有更强的优势。并且,该超高速脉冲器件在工艺设计及实现上进行了优化,使生产条件易满足。
关键词
脉冲功率技术
晶闸管
穿通型
缓冲层
多元胞集成结构
Keywords
pulsed power technology
thyristor
punch-through
buffer layer
multiple-round-cell integrated structure
分类号
TN78 [电子电信—电路与系统]
TM836 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
基于RBF神经网络的汽车危驾限制系统研究
8
作者
蔡兵
金鑫
吉向东
宗振华
曹阳
机构
湖北
文理学院物理与电子工程学院
湖北
文理学院机械与电子工程学院
湖北台基半导体股份有限公司
出处
《通化师范学院学报》
2016年第10期1-3,共3页
基金
汽车零部件制造装备数字化湖北省协同创新中心项目(hbuas201501)
文摘
针对汽车的危驾问题,给出了危驾检测限制系统.此危驾检测限制系统包括人脸摄像电路、红外检测器和系统控制电路等,算法上采用RBF神经网络算法.MATLAB仿真表明,其识别率可达95%以上.相比较其他人脸检测方法,本系统具有结构简单、成本低的特点.
关键词
RBF神经网络
汽车危驾限制系统
红外检测器
Keywords
RBF NN
Limited System of Illegally Driving Car
Infrared Detector
分类号
TP393.2 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
IGBT封装中几种局部过热问题的预防
被引量:
1
9
作者
周霖
颜家圣
李新安
机构
湖北台基半导体股份有限公司
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2018年第8期67-69,共3页
文摘
为提高绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件在封装中的可靠性,研究了IGBT封装中容易引起局部过热的几种常见现象,提出了优化设计方法和研究分析。结果表明,适当的热设计对IGBT封装中可靠性有较大帮助。
关键词
绝缘栅双极型晶体管
局部过热
封装
Keywords
insulated gated bipolar transistor
local overheating
packaging
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
如何加强农经会计档案管理
被引量:
1
10
作者
刘志凌
机构
湖北台基半导体股份有限公司
出处
《农村经济与科技》
2011年第11期92-92,共1页
文摘
在大力发展我国农业经济的今天,加强农经会计档案管理可以促进财务管理水平的提高,充分发挥会计档案在农业经济建设中的重要作用。从农经会计档案管理现状入手,分析了存在的问题并提出了改进措施。
关键词
会计档案管理
现状
对策
分类号
G275.9 [文化科学—档案学]
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职称材料
题名
生产制造企业财务管理问题及应对思考
11
作者
姜敏
机构
湖北台基半导体股份有限公司
出处
《市场周刊·理论版》
2022年第11期17-20,共4页
文摘
随着我国经济社会出现巨大变革,经济发展进入新时期,生产制造企业迎来了全新的挑战。 如今的生产制造企业所面临的市场环境空前复杂,不仅蕴含着大量的新机遇,而且还有许多难以预测的新变化。 在这种背景下,企业想要获得健康发展的机会和更大的生存空间,就需要加强管理水平,以获得更强的适应能力和风险抵御能力,实现可持续发展。 文章基于具有代表性的生产制造企业发展的现状,阐明财务管理在现阶段企业发展中的重要性,并提出生产制造企业在当今社会应当做出怎样的更改措施来提高财务管理水平。
关键词
生产制造企业
财务管理
问题
应对思考
分类号
F275 [经济管理—企业管理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用
曹文彧
张雅婷
魏彦锋
朱丽娟
徐可
颜家圣
周书星
胡晓东
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
多芯片IGBT并联模块耦合特性研究
张桥
颜家圣
李新安
段彬彬
王维
朱玉德
《电子制作》
2024
0
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职称材料
3
高压双向晶闸管及换向特性研究
张桥
肖彦
颜家圣
周书星
《电力电子技术》
北大核心
2023
0
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职称材料
4
超高速脉冲晶闸管特性研究
张桥
肖彦
黄智
任丽
《电子制作》
2023
0
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职称材料
5
反向开关晶体管结构优化与特性测试
梁琳
余亮
吴拥军
余岳辉
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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职称材料
6
RSD重复频率脉冲功率电路的研制
彭亚斌
梁琳
张桥
余岳辉
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2011
3
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职称材料
7
超高速脉冲晶闸管设计及特性
朱玉德
刘小俐
肖彦
张桥
吴拥军
颜家圣
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
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职称材料
8
基于RBF神经网络的汽车危驾限制系统研究
蔡兵
金鑫
吉向东
宗振华
曹阳
《通化师范学院学报》
2016
0
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职称材料
9
IGBT封装中几种局部过热问题的预防
周霖
颜家圣
李新安
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2018
1
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职称材料
10
如何加强农经会计档案管理
刘志凌
《农村经济与科技》
2011
1
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职称材料
11
生产制造企业财务管理问题及应对思考
姜敏
《市场周刊·理论版》
2022
0
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职称材料
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