基于MEMS技术的集成压力-湿度传感器

1

作者 陈果 刘正波 +1 位作者 王韬 张万里 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期21-28,共8页

设计了一种高灵敏度的集成压力和湿度传感单元的芯片。压力传感单元基于SOI和蛇形电阻结构。室温下,传感器在载压范围为3~129 kPa内灵敏度为0.026 mV/kPa,与有限元仿真基本吻合。传感器在25~120℃范围内的热灵敏度漂移为0.004‰FS/℃,... 设计了一种高灵敏度的集成压力和湿度传感单元的芯片。压力传感单元基于SOI和蛇形电阻结构。室温下,传感器在载压范围为3~129 kPa内灵敏度为0.026 mV/kPa,与有限元仿真基本吻合。传感器在25~120℃范围内的热灵敏度漂移为0.004‰FS/℃,热零点漂移为0.25%FS/℃。湿度传感单元采用的叉指电极和电容式结构,引入含氟PI作湿度敏感膜。设计Mo电阻加热结构加快传感器降湿过程,缩短降湿时间近32%。在10%~90%RH的湿度范围,含氟PI湿度传感器的灵敏度为0.121 pF/%RH,略低于无氟PI器件。含氟基团的引入,使得传感器的湿滞较无氟PI降低16%。“电容-湿度”曲线呈指数分布,相关系数R^(2)=0.996。测试结果发现,湿度传感单元和压力传感单元拥有良好的独立工作性能。 展开更多

关键词 电容式湿度传感器 惠斯通电桥 MEMS工艺 聚酰亚胺(PI) 压力传感器

下载PDF 职称材料

基于磁性传感器的低失调温度补偿接口电路设计

2

作者 樊华 常伟鹏 +5 位作者 王策 李国 刘建明 李宗霖 魏琦 冯全源 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1521-1528,共8页

面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益... 面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益放大器(PGA)的增益有效地降低了霍尔传感器的温度系数(TC)。在此基础上,通过在信号主通路中使用相关双采样(CDS)技术,极大程度上消除了霍尔传感器的失调电压。仿真结果表明,在–40°C~125°C温度范围内,霍尔传感器的TC从966.4 ppm/°C减小到了58.1 ppm/°C。信号主通路的流片结果表明,霍尔传感器的失调电压从25 mV左右减小到了4 mV左右,霍尔传感器的非线性误差为0.50%。芯片的总面积为0.69 mm^(2)。 展开更多

关键词 霍尔传感器 接口电路 温度补偿 低失调电压

下载PDF 职称材料

射频异构集成微系统多层级协同仿真建模与PDK技术综述

3

作者 刘军 高爽 +2 位作者 汪曾达 王大伟 陈展飞 《微电子学与计算机》 2024年第1期11-25,共15页

作为后摩尔技术的可选路径之一,基于异构集成工艺实现的集成微系统具有高集成度、低成本、高性能等优点,引起学术界和工业界的广泛关注。异构集成微系统设计是以系统为中心的多层级协同设计,对传统以晶体管为中心的设计方法和设计流程... 作为后摩尔技术的可选路径之一,基于异构集成工艺实现的集成微系统具有高集成度、低成本、高性能等优点,引起学术界和工业界的广泛关注。异构集成微系统设计是以系统为中心的多层级协同设计,对传统以晶体管为中心的设计方法和设计流程带来新的挑战,同时对设计环境的开发带来新的要求。本文对射频集成微系统设计中所需的基础器件/结构建模方法、多工艺混合工艺设计套件(Process Design Kit,PDK)技术、以及电路-模块-系统多层级协同仿真等技术最新进展进行综述。 展开更多

关键词 异构集成射频微系统 多层级协同仿真 建模方法 多工艺混合 工艺设计套件(PDK)

下载PDF 职称材料

JFET构成的运算放大器输入过压保护电路设计

4

作者 熊凌霄 王靖 +1 位作者 胡程源 李威 《微处理机》 2024年第1期1-4,共4页

为弥补传统运算放大器输入过压保护电路中电阻加钳位二极管结构的缺陷,设计一种新型输入过压保护电路。电路采用中科渝芯4μm双极工艺完成设计,主要由结型场效应管器件JFET以及钳位二极管构成,利用JFET沟道夹断原理使过压电流最终趋于饱... 为弥补传统运算放大器输入过压保护电路中电阻加钳位二极管结构的缺陷,设计一种新型输入过压保护电路。电路采用中科渝芯4μm双极工艺完成设计,主要由结型场效应管器件JFET以及钳位二极管构成,利用JFET沟道夹断原理使过压电流最终趋于饱和,实现过压保护功能。采用对称性设计,使正负过压下饱和过压电流相等。经仿真实验,结果表明此款运算放大器的输入过压保护电路相较传统结构噪声更小,对过压电流具有更强的限制作用,具有一定的应用价值。 展开更多

关键词 结型场效应管 运算放大器 过压保护

下载PDF 职称材料

一种高PSRR低压差线性稳压器电路

5

作者 黄立朝 丁宁 +4 位作者 沈泊言 余文中 樊华 曾泳钦 冯全源 《电子与封装》 2024年第4期56-62,共7页

通过对低压差线性稳压器(LDO)的电源抑制比(PSRR)进行理论分析得出,功率管栅极电压与LDO输入电压的小信号比值越接近1,PSRR就越高。基于此理论,在传统LDO的基础上增加了1种新结构,将二极管连接形式的MOS管与共源共栅结构串联,使功率管... 通过对低压差线性稳压器(LDO)的电源抑制比(PSRR)进行理论分析得出,功率管栅极电压与LDO输入电压的小信号比值越接近1,PSRR就越高。基于此理论,在传统LDO的基础上增加了1种新结构,将二极管连接形式的MOS管与共源共栅结构串联,使功率管栅极电压与LDO输入电压的小信号比值接近1。随后,对该结构进行了理论分析,分析结果表明相比其他的PSRR提升技术,具有该结构的LDO其PSRR不会随着负载电流的增加而发生较大变化。LDO改进前和改进后PSRR的绝对值分别为65 dB和76 dB;改进后的结构在不同的负载电流下均具有较高的PSRR。相比体驱动前馈以及增加电荷泵将电源回路与LDO主体电路隔离等PSRR提升技术,该方法仅在传统LDO上增加了3个MOS管,减小了电路的功耗和面积。 展开更多

关键词 模拟集成电路 电源管理 模拟LDO 电源抑制比

下载PDF 职称材料

立德树人视角下“微电子器件”课程思政建设研究

6

作者 钟志亲 李小红 《教育教学论坛》 2023年第27期1-4,共4页

为落实立德树人的根本任务,电子科技大学示范性微电子学院专业核心课程“微电子器件”的教师结合课程内容,解决了传统教学中单纯重视知识传授、缺乏与价值塑造与能力培养的有机融合等问题,在传授专业知识过程中,引入时事新闻、介绍业界... 为落实立德树人的根本任务,电子科技大学示范性微电子学院专业核心课程“微电子器件”的教师结合课程内容,解决了传统教学中单纯重视知识传授、缺乏与价值塑造与能力培养的有机融合等问题,在传授专业知识过程中,引入时事新闻、介绍业界老一辈科学家励志故事、解析专业知识点的象征隐喻意义,通过教师的言传身教、改革考核方式和产教交融等,从多角度融入课程思政,激发学生理想信念,树立学生科技报国的决心。课程问卷调查显示,绝大多数学生对专业课中融入思政元素的形式表示认同,认为可以给理论抽象、较难理解的专业课注入新鲜血液,帮助他们增强对知识点的记忆和理解,并且有效引领他们进行价值塑造。 展开更多

关键词 微电子器件 课程思政 立德树人 价值塑造

下载PDF 职称材料

芯粒功能划分方法与互连体系综述

7

作者 陈龙 黄乐天 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第2期41-49,共9页

目前,芯片设计面临“面积墙”的挑战,这为芯片制造带来了高昂的流片成本。芯粒技术可以通过成熟的工艺制程制造较小面积的芯片,然后通过先进封装方式打破面积墙的限制,实现芯片的敏捷设计,降低设计成本。而设置多大的芯粒颗粒度可以满... 目前,芯片设计面临“面积墙”的挑战,这为芯片制造带来了高昂的流片成本。芯粒技术可以通过成熟的工艺制程制造较小面积的芯片,然后通过先进封装方式打破面积墙的限制,实现芯片的敏捷设计,降低设计成本。而设置多大的芯粒颗粒度可以满足芯片设计的灵活需求,是利用芯粒技术的一个核心问题。芯粒功能的划分也影响着芯粒间的互连结构,如何实现各功能芯粒间互连是最终实现芯片功能的关键。因此,本文综述国内外近年来对芯粒功能划分上的研究、在芯粒设计空间上的探索以及芯粒功能划分对芯粒间互连网络影响,并指出芯粒的设计方法学是未来芯粒技术发展的重要研究方向。 展开更多

关键词 芯粒 芯粒功能颗粒度 芯粒间互连 AMD SIP

下载PDF 职称材料

低频小型化兰姆波谐振器的研究

8

作者 叶昶裕 肖强 +3 位作者 陈正林 董加和 米佳 鲍景富 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期174-178,183,共6页

针对低频声学器件的小型化、大带宽问题,该文基于Y切-铌酸锂压电薄膜激发了反对称A0兰姆波模式,并采用有限元法对A0模式进行了结构设计与理论分析。研究了铌酸锂切型、电极材料、金属化比及膜层厚度变化对声速和机电耦合系数等性能的影... 针对低频声学器件的小型化、大带宽问题,该文基于Y切-铌酸锂压电薄膜激发了反对称A0兰姆波模式,并采用有限元法对A0模式进行了结构设计与理论分析。研究了铌酸锂切型、电极材料、金属化比及膜层厚度变化对声速和机电耦合系数等性能的影响。结果表明,特定结构下,与常规声表面波相比,A0模式兰姆波声速较小,机电耦合系数较大,有利于低频声学滤波器小型化设计。通过研究不同结构对谐振器A0模式兰姆波的横向模态的影响,实现了杂波抑制。 展开更多

关键词 低频小型化 谐振器 兰姆波 铌酸锂 横向模态抑制

下载PDF 职称材料

基于声表面波传感器的转子叶片应变无线测量研究

9

作者 杨正兵 肖潇 +1 位作者 彭斌 吴亚锋 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2024年第1期6-9,共4页

声表面波传感器可以实现无线无源工作,该特性使其在高速旋转部件测试中有重要的应用前景。利用硅酸镓镧压电晶体设计并制备了谐振型SAW传感器,研究了其应变敏感特性,并成功应用于转子叶片应变的无线测试试验。结果表明,所制备的SAW传感... 声表面波传感器可以实现无线无源工作,该特性使其在高速旋转部件测试中有重要的应用前景。利用硅酸镓镧压电晶体设计并制备了谐振型SAW传感器,研究了其应变敏感特性,并成功应用于转子叶片应变的无线测试试验。结果表明,所制备的SAW传感器的谐振频率为217.794 MHz,品质因子达到5807,应变灵敏度为-317 Hz/με。在3000~15000 r/min转速下,无线测试了转子叶片应变,测试结果与电阻应变计测量结果及有限元仿真计算结果基本一致。研究结果可以为SAW传感器在高速旋转设备的无线测试工程应用提供参考。 展开更多

关键词 声表面波 谐振频率 无线测量 转子叶片 应变

下载PDF 职称材料

可变流水级SM4加解密算法硬件设计及FPGA实现

10

作者 朱麒瑾 陈小文 鲁建壮 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2024年第4期606-614,共9页

SM4加解密算法作为我国第一个商用密码算法,凭借其算法结构简单易实现、加解密速度快和安全性高等优点,被广泛应用在数据加密存储和信息加密通信等领域中。以可变流水级SM4加解密算法硬件设计以及FPGA实现为研究课题,重点研究了不同流... SM4加解密算法作为我国第一个商用密码算法,凭借其算法结构简单易实现、加解密速度快和安全性高等优点,被广泛应用在数据加密存储和信息加密通信等领域中。以可变流水级SM4加解密算法硬件设计以及FPGA实现为研究课题,重点研究了不同流水线级数设计的性能差异,设计了一种可控制流水线级数的SM4加解密电路,并将其封装为带有AXI接口和APB接口的IP核。基于XILINX ZYNQ器件,在XILINX ZYNQ-7020开发板上搭建小型SoC,将设计的SM4 IP核挂载到AXI总线上,模拟实际工作情景并进行性能测试。通过软件加解密数据与仿真测试得到的数据来验证设计功能的正确性;测试不同流水线级数的性能,以此选出最适合的流水线级数。 展开更多

关键词 SM4 流水线设计 ZYNQ AXI APB

下载PDF 职称材料

对MIS结构热弛豫时间的分析计算

11

作者 程骏骥 朱麒瑾 +2 位作者 徐子逸 王俊凯 杨洪强 《电气电子教学学报》 2024年第1期137-140,共4页

对MIS(金属-绝缘层-半导体)结构从深耗尽过渡至强反型状态所需的热弛豫时间进行了研究。通过建立较教科书更精确的模型,对热弛豫时间τth与深耗尽时耗尽区宽度x d0、强反型时耗尽区最大宽度x dm、耗尽区内少子净产生率G和掺杂浓度N D等... 对MIS(金属-绝缘层-半导体)结构从深耗尽过渡至强反型状态所需的热弛豫时间进行了研究。通过建立较教科书更精确的模型,对热弛豫时间τth与深耗尽时耗尽区宽度x d0、强反型时耗尽区最大宽度x dm、耗尽区内少子净产生率G和掺杂浓度N D等关键物理量之间的关联进行了推导,并基于MEDICI平台对推导结果完成了仿真验证,从而加强了学生对半导体表面效应的理解,也利于他们未来从事半导体方面的创新研究。 展开更多

关键词 半导体物理 MIS结构 热弛豫时间

下载PDF 职称材料

半导体封装测试与可靠性课程思政改革探索 被引量：1

12

作者 任敏 高巍 +1 位作者 李泽宏 张波 《高教学刊》 2023年第2期178-181,共4页

半导体封装测试与可靠性是面向微电子相关专业博士硕士研究生开设的专业选修课,系统讲授集成电路发展过程中不同历史阶段出现的典型半导体封装测试与可靠性技术,为学生成为微电子领域专业研发人员打下了理论基础。课程思政改革是新时期... 半导体封装测试与可靠性是面向微电子相关专业博士硕士研究生开设的专业选修课,系统讲授集成电路发展过程中不同历史阶段出现的典型半导体封装测试与可靠性技术,为学生成为微电子领域专业研发人员打下了理论基础。课程思政改革是新时期高校教育教学工作的核心内容之一。该课程组基于半导体封装测试与可靠性课程的专业特点,充分发掘课程中的思政元素,优化教学内容和教学方法,提出实施课程思政的具体措施。改革有效地提高课程教学质量和本专业研究生培养质量。 展开更多

关键词 半导体封装测试与可靠性 课程思政 教学改革 研究生培养 微电子

下载PDF 职称材料

一种实现锂均匀沉积的金属-有机框架材料

13

作者 刘洋 李瑶瑶 杨成韬 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第7期812-816,824,共6页

在锂金属电池内部锂负极表面,不均匀的离子分布和锂沉积会导致自由无序状锂枝晶生长,枝晶尖端刺穿隔膜,电池的性能快速降低,最终导致电池短路失效。为了解决枝晶生长问题,实现均匀锂沉积和电池长循环性能,本工作引入了一种具有吸附阴离... 在锂金属电池内部锂负极表面,不均匀的离子分布和锂沉积会导致自由无序状锂枝晶生长,枝晶尖端刺穿隔膜,电池的性能快速降低,最终导致电池短路失效。为了解决枝晶生长问题,实现均匀锂沉积和电池长循环性能,本工作引入了一种具有吸附阴离子能力的金属-有机框架结构材料,即ZIF-8(沸石咪唑框架8号),作为电解液的添加剂,对锂金属电池内部锂负极表面离子传输进行调控。最终实现了在3 mA·cm^(-2)电流密度和3 mAh·cm^(-2)面内容量测试条件下,长于400 h的锂对称电池长循环性能,该性能远远超过同样测试条件下的未改性锂对称电池性能(150 h),证明了金属有机框架材料ZIF-8具有调控负极表面离子分布和实现锂金属电池锂均匀沉积的特性。 展开更多

关键词 锂金属负极 金属-有机框架 锂对称电池 ZIF-8 离子传输

下载PDF 职称材料

基于MEDICI软件的高维持电流SCR器件的仿真优化

14

作者 刘继芝 彭钰航 刘志伟 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2023年第12期99-106,共8页

为了设计满足不同静电放电(ESD)设计窗口需求的可控硅整流器(SCR)器件,提出一种提高ESD用SCR器件维持电流的方法。该方法基于器件仿真软件MEDICI,通过仿真分析SCR器件在ESD工作条件下的内部电流流向、载流子分布和电导调制过程,从器件... 为了设计满足不同静电放电(ESD)设计窗口需求的可控硅整流器(SCR)器件,提出一种提高ESD用SCR器件维持电流的方法。该方法基于器件仿真软件MEDICI,通过仿真分析SCR器件在ESD工作条件下的内部电流流向、载流子分布和电导调制过程,从器件尺寸、掺杂浓度和电流路径三个方面对SCR器件的维持电流进行了仿真优化。仿真结果表明,优化后的SCR器件的维持电流增大了10倍。该仿真优化方法可以提高学生的器件仿真能力,同时使他们对微电子器件的优化设计过程有更加直观和全面的认识。 展开更多

关键词 静电放电 可控硅整流器 维持电流

下载PDF 职称材料

SiO_(2)/W反射叠层的分布电容对体波谐振器的影响

15

作者 吴兆辉 唐盘良 +2 位作者 李桦林 米佳 鲍景富 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第3期346-349,354,共5页

该文使用SiO_(2)和金属材料钨(W)构造布喇格反射叠层,将其应用于由横向电场激励体声波谐振器(XBAR),并分析了金属层对谐振器性能的影响。所设计的谐振器以128°YX-切铌酸锂为压电层,Al为电极,SiO_(2)和W为周期层叠结构,单晶硅作为... 该文使用SiO_(2)和金属材料钨(W)构造布喇格反射叠层,将其应用于由横向电场激励体声波谐振器(XBAR),并分析了金属层对谐振器性能的影响。所设计的谐振器以128°YX-切铌酸锂为压电层,Al为电极,SiO_(2)和W为周期层叠结构,单晶硅作为衬底的固态装配型谐振器(SMR),利用叉指电极换能器(IDT)激发出A1模式。首先计算声阻抗层厚度对SiO_(2)/W叠层传输系数的影响,得到中心频率为3.7 GHz的布喇格阻带。横波(主模)在经过叠层时被反射,纵波(杂模)则部分地泄露到衬底。由于钨具有电导性,致使IDT与钨之间形成并联分布电容,改变了原有的电场分布,导致谐振器的耦合系数下降。通过实验测试谐振器的实际性能,获得耦合系数为12%。虽然W具有高声阻抗,但分布电容的影响恶化了电气参数。 展开更多

关键词 SiO_(2)/W叠层反射器 铌酸锂 A1模式谐振器 传输系数

下载PDF 职称材料

含ZnO的TiO_(2)压敏器件的失效分析

16

作者 陈赟 周军连 +1 位作者 贾豪 胡永达 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第11期1320-1323,共4页

氧化锌掺杂的氧化钛压敏陶瓷器件经烧结后,观察到器件表面发生氧化锌析出和氧化锌晶须的形成,导致器件功能失效。经过深入分析,这一问题的根本原因在于烧结炉壁表面沉积的碳颗粒脱落并附着在陶瓷器件表面,形成了一处还原性气氛。这一还... 氧化锌掺杂的氧化钛压敏陶瓷器件经烧结后,观察到器件表面发生氧化锌析出和氧化锌晶须的形成,导致器件功能失效。经过深入分析,这一问题的根本原因在于烧结炉壁表面沉积的碳颗粒脱落并附着在陶瓷器件表面,形成了一处还原性气氛。这一还原性气氛对氧化锌产生了影响,将其还原为液态锌,随后液态锌上浮到陶瓷器件表面,再次氧化,形成氧化锌的暗斑。随着液态锌的蒸发,它重新氧化,并在氧化锌晶核上有序生长,最终形成了氧化锌晶须。这一结果有助于深化对含氧化锌压敏陶瓷器件的失效行为理解。 展开更多

关键词 氧化锌 还原性气氛 暗斑 晶须

下载PDF 职称材料

非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展

17

作者 肖演 杨斯铄 +2 位作者 程凌云 周游 钱凌轩 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1-20,共20页

日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。... 日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。相较于单晶和外延氧化镓材料,非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))的制备温度更低,工艺相对简单,且衬底的适用范围更广,因此近些年成为Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测领域新的研究热点。本文旨在对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器的研究进展与现状进行介绍。首先介绍了a-Ga_(2)O_(3)的基本特性以及几种常见的制备方法,进而介绍了各种适用的器件类型、结构及性能。目前,a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器主要分为MSM型、结型、TFT型和阵列型等几大类,通过器件结构优化,进一步提升探测性能。其中,MSM型器件结构简单,响应度高,应用最为广泛;结型器件通过构建肖特基结和异质结等,具有响应速度快、暗电流低和自供电的特点;TFT型器件能够在抑制暗电流的同时放大增益,且可以通过施加栅压脉冲来提升响应速度;阵列型器件主要用于大面积成像。最后,本文对a-Ga_(2)O_(3)日盲紫外探测器未来的发展趋势进行了总结和展望。 展开更多

关键词 非晶氧化镓 光电探测器 光电晶体管 薄膜晶体管探测 日盲紫外 超宽禁带半导体

下载PDF 职称材料

新型微波介质陶瓷HoVO4

18

作者 张忠泉 陈丽 李波 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期12219-12224,共6页

采用固相法制备了新型微波介质陶瓷HoVO_(4)。研究了微波性能与微观形貌、致密度和拉曼半高宽之间的关系,并分析了拉曼光谱中化学键的振动模。HoVO_(4)在1150℃烧结得到最优微波介电性能:ε_(r)=11.52,Q×f=27271 GHz,τ_(f)=-22.39... 采用固相法制备了新型微波介质陶瓷HoVO_(4)。研究了微波性能与微观形貌、致密度和拉曼半高宽之间的关系,并分析了拉曼光谱中化学键的振动模。HoVO_(4)在1150℃烧结得到最优微波介电性能:ε_(r)=11.52,Q×f=27271 GHz,τ_(f)=-22.39×10^(-6)/℃。选取正τf值的TiO_(2)与负τf值的HoVO_(4)进行复合,得到谐振频率温度系数近零的微波陶瓷,当TiO_(2)掺杂量为6%、烧结温度为1200℃时获得最佳微波介电性能为:ε_(r)=14.14,Q×f=18978 GHz,τ_(f)=2.4324×10^(-6)/℃。 展开更多

关键词 稀土 HoVO_(4) TiO_(2)

下载PDF 职称材料

一种基于匹配网络结构的高效率X波段高功率放大器设计

19

作者 汪曾达 刘军 +1 位作者 李圣麒 苏国东 《现代应用物理》 2023年第4期120-125,共6页

基于0.25μm氮化镓工艺,设计了一款30 W X波段单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit, MMIC)高功率放大器。基于两级级联拓扑结构电路,提出了宽带低损耗的输出、级间、输入匹配网络及栅极/漏极偏置网络,实现了放大... 基于0.25μm氮化镓工艺,设计了一款30 W X波段单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit, MMIC)高功率放大器。基于两级级联拓扑结构电路,提出了宽带低损耗的输出、级间、输入匹配网络及栅极/漏极偏置网络,实现了放大器全频段绝对稳定的高输出功率和高效率。后仿真结果表明:在工作频率为8~12 GHz时,带内输入、输出驻波系数分别小于2.5,2.2,饱和输出功率为44.1 dBm,功率附加效率为38%~42%,平坦度为±0.3 dBm,转换功率增益大于17.9 dB。功率放大器的功率容量为40 W,芯片版图面积为16.9 mm2,可广泛应用于X波段卫星通信等无线通信领域。 展开更多

关键词 氮化镓 X波段 MMIC 射频功率放大器 稳定性 宽带匹配网络

下载PDF 职称材料

PVDF@AgNWs复合压电发电机的制备与性能研究

20

作者 陈伟 王燕 +1 位作者 胡永达 陈金菊 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第12期1424-1431,共8页

采用静电纺丝法和退火后处理工艺制备高β相含量的聚偏氟乙烯(PVDF)纤维膜,并通过复合银纳米线(AgNWs)形成导电网络来获得高性能PVDF@AgNWs压电发电机。研究了制备工艺(静电纺丝、退火)及AgNWs添加量对器件压电输出性能的影响,结果表明... 采用静电纺丝法和退火后处理工艺制备高β相含量的聚偏氟乙烯(PVDF)纤维膜,并通过复合银纳米线(AgNWs)形成导电网络来获得高性能PVDF@AgNWs压电发电机。研究了制备工艺(静电纺丝、退火)及AgNWs添加量对器件压电输出性能的影响,结果表明,电纺PVDF纤维膜经退火并控制AgNWs质量分数0.10%条件下,PVDF@AgNWs压电发电机在5 MPa压力下,可输出约114 V压电电压及约1.3×10-7 A电流。该压电发电机具有良好的能量采集性能,可直接为电容器充电,并可驱动LCD显示模组,在自供电柔性可穿戴电子领域具有应用潜力。 展开更多

关键词 聚偏氟乙烯 银纳米线 静电纺丝 退火 压电发电机

下载PDF 职称材料