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题名一种无片外电容高瞬态响应LDO设计
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作者
陈俊杰
袁磊
陈子杰
王少昊
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机构
福州大学-晋江微电子研究院
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出处
《中国集成电路》
2023年第3期26-30,64,共6页
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基金
国家重点研发计划(2018YFB0407603)。
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文摘
针对SoC中电源管理模块对高功能-面积比和高瞬态响应的需求,本文提出一种基于翻转电压跟随器(FVF)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO),采用电压峰值检测技术实现动态电流偏置,进而提升系统瞬态响应。基于SMIC 40nm工艺的仿真结果表明,在典型负载切换状态下,提出方案的下冲和上冲恢复时间相比传统的FVF结构LDO电路分别缩短了75%和29%。
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关键词
翻转电压跟随器
线性稳压器
无片外电容LDO
高瞬态响应
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Keywords
flipped voltage follower
linear regulator
output-capacitorless LDO
high transient response
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分类号
TM44
[电气工程—电器]
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题名一种低静态电流瞬态增强型无片外电容LDO
被引量：1
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作者
罗伟淞
朱梓杰
卢杨
王少昊
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机构
福州大学-晋江微电子研究院
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出处
《中国集成电路》
2023年第4期66-72,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(12345678)
上海市自然科学基金(xxxxxxx)。
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文摘
低压差线性稳压器(LDO)具有低功耗、瞬态响应性能好、电源噪声抑制比高、结构简单等优势,被广泛地应用在物联网、生物医疗、便携式设备等领域。无片外负载电容型LDO无需外接大容量负载电容,易于片上集成,是当前LDO技术发展的主要方向之一。但是,随着等效电容的减小,无片外电容型LDO在设计上难以同时满足低静态电流和高瞬态响应的要求。本文基于低静态电流优先的设计思路,采用SMIC 180 nm CMOS工艺设计了一种具有双向动态偏置推挽级误差放大器的瞬态增强型无片外电容LDO,仅需微安级的静态电流即可实现高压摆率并足以驱动调整管。在此基础上,该LDO采用基于衬底偏置效应的瞬态增强电路,在无需消耗额外功率和引入旁路电容的同时,进一步降低了输出端过冲电压幅度,在实现低功耗的同时提升了整体瞬态响应性能。仿真结果表明,设计的LDO在1.2 V电源电压下可以获得稳定的1 V输出,在1 kHz下,其电源抑制比达到了-72 dB;当负载电流在50μA~100 mA区间时可实现1.69μA的静态电流、0.019 mA/mV的负载调整率、2.5μs的恢复时间和小于200 mV的过冲电压。
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关键词
低静态电流
瞬态增强
无电容型LDO
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Keywords
Low-quiescent current
Transient response enhancement
Capless LDO
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名ISSCC 2024论文技术热点分析
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作者
杨业成
王少昊
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机构
福州大学-晋江微电子研究院
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出处
《微纳电子与智能制造》
2024年第2期1-31,共31页
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基金
国家自然科学基金项目(62474044)资助
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文摘
随着新一轮科技革命和产业变革的加速演进,特别是5G、人工智能、物联网、虚拟现实/增强现实和高性能计算等技术的快速发展,集成电路产业已成为全球技术竞争的焦点。作为集成电路设计领域的顶级国际会议,国际固态电路会议(ISSCC)汇聚了全球最前沿的技术成果。本文对近5年ISSCC中国内地和港澳地区论文接收情况进行梳理,并对2024年研究成果进行深入分析,涵盖作者背景、研究机构、基金支持、合作情况以及研究趋势等。此外,对这些论文的核心内容进行了翻译和整理,旨在为国内集成电路领域的研究人员提供最新的技术洞察,进而激发创新思维,推动产业进步。
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关键词
ISSCC
集成电路
研究趋势
技术洞察
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Keywords
ISSCC
integrated circuit
research trend
technology insight
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
G255.51
[文化科学—图书馆学]
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