纳米SiO_(2)填料与环氧树脂基体界面效应差,限制了复合材料电气性能提升。为此采用CF_(2)/N;等离子体协同偶联剂改性纳米SiO_(2)填料,改变其在基体中界面特性,制备了不同质量分数的纳米SiO_(2)/环氧树脂复合材料。对复合材料的化学组分...纳米SiO_(2)填料与环氧树脂基体界面效应差,限制了复合材料电气性能提升。为此采用CF_(2)/N;等离子体协同偶联剂改性纳米SiO_(2)填料,改变其在基体中界面特性,制备了不同质量分数的纳米SiO_(2)/环氧树脂复合材料。对复合材料的化学组分、表面形貌、闪络电压和击穿场强等进行测试。测试表明:氟元素以CF_(2)为主要形式存在改性SiO_(2)表面;纳米SiO_(2)平均粒径降低27.9%,团聚现象得到有效抑制。SiO_(2)质量分数3%的复合材料闪络电压比纯环氧树脂增高了10.58%;击穿场强达到33.7 k V/mm,体积电阻率达到2.5×10^(15)Ω·cm,分别比未改性试样提高11.6%和34.61%。等离子体氟化可有效在颗粒表面接枝氟元素,阻碍材料内部载流子迁移,改善复合材料电气性能。展开更多
文摘纳米SiO_(2)填料与环氧树脂基体界面效应差,限制了复合材料电气性能提升。为此采用CF_(2)/N;等离子体协同偶联剂改性纳米SiO_(2)填料,改变其在基体中界面特性,制备了不同质量分数的纳米SiO_(2)/环氧树脂复合材料。对复合材料的化学组分、表面形貌、闪络电压和击穿场强等进行测试。测试表明:氟元素以CF_(2)为主要形式存在改性SiO_(2)表面;纳米SiO_(2)平均粒径降低27.9%,团聚现象得到有效抑制。SiO_(2)质量分数3%的复合材料闪络电压比纯环氧树脂增高了10.58%;击穿场强达到33.7 k V/mm,体积电阻率达到2.5×10^(15)Ω·cm,分别比未改性试样提高11.6%和34.61%。等离子体氟化可有效在颗粒表面接枝氟元素,阻碍材料内部载流子迁移,改善复合材料电气性能。
