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外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响 被引量：4
1
作者 席晓文 柴常春 +2 位作者 刘阳 杨银堂 樊庆扬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期389-395,共7页
结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时... 结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时间:信号幅度通过改变器件的吸收能量速度来影响器件的损伤效应,其与器件损伤时间成反比;信号上升时间的改变能够提前或延迟器件的击穿点,其与器件损伤时间成正比.器件外接电阻能够减弱器件的电流沟道,进而延缓器件的损伤进程,且源极外接电阻的影响更加明显. 展开更多
关键词 GaAs赝高电子迁移率晶体管 电磁脉冲 外界条件 损伤过程
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