WO_3是一种带隙约为2.7 e V的过渡金属半导体,可见光就能激发其光催化活性,这极大地提高了太阳光的利用率,但纯WO_3纳米材料催化活性偏低,针对这一难题,本文选取了三维网格结构的WO_3纳米材料为载体,利用化学搅拌法制备了不同摩尔比的Ag...WO_3是一种带隙约为2.7 e V的过渡金属半导体,可见光就能激发其光催化活性,这极大地提高了太阳光的利用率,但纯WO_3纳米材料催化活性偏低,针对这一难题,本文选取了三维网格结构的WO_3纳米材料为载体,利用化学搅拌法制备了不同摩尔比的Ag_2O/WO_3复合光催化剂。选择亚甲基蓝为研究对象,测定了不同摩尔比的Ag_2O/WO_3复合催化剂的光催化性能。实验表明,当Ag_2O和WO_3的摩尔配比为1∶2时,该复合催化剂的光催性能最好。过量的Ag_2O纳米颗粒会增加Ag_2O/WO_3内部电子空穴的复合几率,反而导致光催化剂反应活性的降低。展开更多
文摘WO_3是一种带隙约为2.7 e V的过渡金属半导体,可见光就能激发其光催化活性,这极大地提高了太阳光的利用率,但纯WO_3纳米材料催化活性偏低,针对这一难题,本文选取了三维网格结构的WO_3纳米材料为载体,利用化学搅拌法制备了不同摩尔比的Ag_2O/WO_3复合光催化剂。选择亚甲基蓝为研究对象,测定了不同摩尔比的Ag_2O/WO_3复合催化剂的光催化性能。实验表明,当Ag_2O和WO_3的摩尔配比为1∶2时,该复合催化剂的光催性能最好。过量的Ag_2O纳米颗粒会增加Ag_2O/WO_3内部电子空穴的复合几率,反而导致光催化剂反应活性的降低。
