文章采用有机分子焊接方法,将苝-3,4,9,10-四羧酸二酐(PTCDA)分子通过酰胺键焊接于Ti_(3)CN层间,制备了PTCDA分子焊接插层的Ti_(3)CN(Ti_(3)CN-PTCDA)。PTCDA分子焊接不仅扩大了Ti_(3)CN层状结构的层间距,而且提升了其层结构稳定性,从...文章采用有机分子焊接方法,将苝-3,4,9,10-四羧酸二酐(PTCDA)分子通过酰胺键焊接于Ti_(3)CN层间,制备了PTCDA分子焊接插层的Ti_(3)CN(Ti_(3)CN-PTCDA)。PTCDA分子焊接不仅扩大了Ti_(3)CN层状结构的层间距,而且提升了其层结构稳定性,从而显著提高了储钠倍率性能和循环稳定性。在0.1Ag^(-1)电流密度下,Ti_(3)CN-PTCDA材料的比容量经过895次循环后可达127.9 mAh g^(-1),当电流密度提升至5.0Ag^(-1)时仍可保持51.8 mAh g^(-1)。本研究证明,二维储钠材料的层结构对其储钠倍率和循环稳定性有重要影响,该结论为设计高倍率二维储钠材料提供了新思路。展开更多
文摘文章采用有机分子焊接方法,将苝-3,4,9,10-四羧酸二酐(PTCDA)分子通过酰胺键焊接于Ti_(3)CN层间,制备了PTCDA分子焊接插层的Ti_(3)CN(Ti_(3)CN-PTCDA)。PTCDA分子焊接不仅扩大了Ti_(3)CN层状结构的层间距,而且提升了其层结构稳定性,从而显著提高了储钠倍率性能和循环稳定性。在0.1Ag^(-1)电流密度下,Ti_(3)CN-PTCDA材料的比容量经过895次循环后可达127.9 mAh g^(-1),当电流密度提升至5.0Ag^(-1)时仍可保持51.8 mAh g^(-1)。本研究证明,二维储钠材料的层结构对其储钠倍率和循环稳定性有重要影响,该结论为设计高倍率二维储钠材料提供了新思路。
