集成电路设计本科毕业论文指导工作的探索与实践

1

作者 卜丹 邱成军 +1 位作者 窦雁巍 王超 《黑龙江教育（理论与实践）》 2015年第11期62-63,共2页

本科毕业论文是高校本科教学计划中最重要的一个实践性环节,是对学生理论知识与实践操作能力的检验和衡量。本文结合集成电路设计本科毕业论文指导工作的实践情况,提出指导教师在毕业论文各环节中担任的重要作用,以及对提高本科生论文... 本科毕业论文是高校本科教学计划中最重要的一个实践性环节,是对学生理论知识与实践操作能力的检验和衡量。本文结合集成电路设计本科毕业论文指导工作的实践情况,提出指导教师在毕业论文各环节中担任的重要作用,以及对提高本科生论文质量的探讨与思考。 展开更多

关键词 集成电路 毕业论文指导 实践教学

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基于扫描D触发器的可逆电路测试综合方法 被引量：3

2

作者 胡靖 温殿忠 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第3期420-426,共7页

为了实现可逆逻辑电路的可测性设计,充分利用可逆逻辑电路中存在的输出引脚,提出一种可逆逻辑电路测试综合方法.通过定义可逆逻辑门的可观性值和可控性值的计算方法,对可逆逻辑电路的可测性进行建模;通过插入观察点,制定了可逆组合逻辑... 为了实现可逆逻辑电路的可测性设计,充分利用可逆逻辑电路中存在的输出引脚,提出一种可逆逻辑电路测试综合方法.通过定义可逆逻辑门的可观性值和可控性值的计算方法,对可逆逻辑电路的可测性进行建模;通过插入观察点,制定了可逆组合逻辑电路可测性实现方案;通过对现有的D触发器进行改造并构建全新的扫描D触发器,制定了可逆时序电路的可测性逻辑实现方案;最后分析了扫描D触发器的工作特点,规范了测试步骤,建立一种可逆逻辑电路的测试综合方法.实验结果表明,与现有方法相比,文中方法插入观察点代价平均增加不到1%,但电路的可观性平均能得到24%的改善. 展开更多

关键词 测试综合 可测性设计 可逆电路

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MEMS集成应用的纳米结构PZT厚膜形成工艺研究 被引量：1

3

作者 刘红梅 邱成军 +2 位作者 张德庆 张辉军 曹茂盛 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期606-609,共4页

提出了制备PZT厚膜的一种新的旋转涂覆方法。采用0-3复合法将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料，并与PZT溶胶交替涂覆在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上，使PZT厚度达2μm，并且使PZT表面质量得到了改善。利用XRD和SEM对PzT厚膜的组织和结构进行... 提出了制备PZT厚膜的一种新的旋转涂覆方法。采用0-3复合法将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料，并与PZT溶胶交替涂覆在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上，使PZT厚度达2μm，并且使PZT表面质量得到了改善。利用XRD和SEM对PzT厚膜的组织和结构进行了表征。得到的薄膜无裂纹，结晶和表面平整度良好，可用于MEMS中微型传感器和微型驱动器的制作。 展开更多

关键词 nano-PZT 厚膜 MEMS

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高温电感测控电路的研制

4

作者 邱成军 吴大军 +1 位作者 孟庆旭 卜丹 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期401-402,共2页

利用电感随井管材料介质变化的特点,研制了适合于井下高温环境的电感测控电路。该电路把生成的电压三角波转换成电流三角波,由电感作用形成方波,经绝对值电路实现随材料介质变化的直流信号。该电路具有高温下使用可靠性强、控制精确、... 利用电感随井管材料介质变化的特点,研制了适合于井下高温环境的电感测控电路。该电路把生成的电压三角波转换成电流三角波,由电感作用形成方波,经绝对值电路实现随材料介质变化的直流信号。该电路具有高温下使用可靠性强、控制精确、便于操作的优点。 展开更多

关键词 电感 传感器 磁场测量

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溶胶-凝胶法制备纳米PZT粉体及结构表征 被引量：9

5

作者 刘红梅 张德庆 +4 位作者 林海波 张亮 刘海涛 邱成军 曹茂盛 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期52-54,59,共4页

采用改进的溶胶-凝胶法，以乙二醇为溶剂，硝酸锆为锆源，制备了纳米Pb（Zr0.52Ti0.48）O3粉体。通过溶胶的红外光谱分析给出了溶胶、凝胶形成的机理。通过IR，TG-DTA，XRD，SEM，TEM分析对PZT纳米晶的生长过程及性能进行了表征。实验... 采用改进的溶胶-凝胶法，以乙二醇为溶剂，硝酸锆为锆源，制备了纳米Pb（Zr0.52Ti0.48）O3粉体。通过溶胶的红外光谱分析给出了溶胶、凝胶形成的机理。通过IR，TG-DTA，XRD，SEM，TEM分析对PZT纳米晶的生长过程及性能进行了表征。实验证明：在650℃热处理2h，获得较完整钙钛矿型PZT，粒径约为50～100nm。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶 乙二醇 锆钛酸铅 纳米粉体

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磁控溅射制备掺银TiO_2薄膜的光催化特性研究 被引量：5

6

作者 邱成军 曹茂盛 +3 位作者 张辉军 刘红梅 田风军 刘鑫 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期35-37,46,共4页

利用交流磁控溅射设备采用金属Ti靶在石英和硅衬底制备掺银TiO2薄膜,并利用SEM,XRD及吸收光谱等方法分析测试TiO2薄膜的性质,探讨了掺银对TiO2薄膜吸收光谱的影响。并通过对甲基橙溶液浓度变化研究了掺银TiO2薄膜光催化特性,分析了掺银... 利用交流磁控溅射设备采用金属Ti靶在石英和硅衬底制备掺银TiO2薄膜,并利用SEM,XRD及吸收光谱等方法分析测试TiO2薄膜的性质,探讨了掺银对TiO2薄膜吸收光谱的影响。并通过对甲基橙溶液浓度变化研究了掺银TiO2薄膜光催化特性,分析了掺银对TiO2薄膜增强光催化作用的工作机理,研究结果表明掺银有利于TiO2薄膜对有机物的降解作用。 展开更多

关键词 薄膜 锐钛矿相 射频磁控溅射 光催化活性

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基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究 被引量：9

7

作者 赵晓锋 温殿忠 高来勖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期461-465,共5页

采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不... 采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和I-V特性影响。实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强。 展开更多

关键词 直流磁控溅射 ZNO薄膜 晶粒 晶粒间界

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多项式回归在智能传感器线性化中的应用 被引量：15

8

作者 杜西亮 孙慧明 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期212-214,共3页

利用最小二乘回归分析介绍多项式回归在智能传感器非线性补偿中的应用 ,提出了以传感器输入量作拟合多项式自变量和传感器输出量作拟合多项式自变量的两种补偿方法 ,并通过实例对这两种方法进行了分析和对比。

关键词 传感器 多项式回归 线性化 标定

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光栅分振幅光偏振测量系统的研制 被引量：16

9

作者 杜西亮 戴景民 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期57-62,共6页

使用一个既能产生反射光衍射又能产生透射光衍射的特殊金属光栅作为分光器,研制一种新颖的高速光波偏振态测量系统。它没有使用转动光学部件或调制器,而是将金属光栅产生的四条1级衍射光的光强线性地转换为电信号,通过定标方法得到系统... 使用一个既能产生反射光衍射又能产生透射光衍射的特殊金属光栅作为分光器,研制一种新颖的高速光波偏振态测量系统。它没有使用转动光学部件或调制器,而是将金属光栅产生的四条1级衍射光的光强线性地转换为电信号,通过定标方法得到系统的非奇异的仪器矩阵,然后通过线性运算得到入射光的待测Stokes矢量。该系统结构紧凑、安装方便,可用作实时偏振测量术和椭偏测量术中的偏振态探测器。 展开更多

关键词 振幅分割 光偏振仪 Stokes参数 金属光栅

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薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响 被引量：4

10

作者 赵晓锋 温殿忠 +1 位作者 王天琦 丁玉洁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1753-1756,共4页

以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM... 以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响。结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强。 展开更多

关键词 纳米多晶硅薄膜 结构特性 LPCVD 退火

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MEMS结构氧传感器的研究 被引量：4

11

作者 邱成军 刘鑫 +1 位作者 曲伟 张辉军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期531-533,共3页

采用微加工技术研制了一种以硅为基底材料,具有MEMS结构的氧传感器。阐述了该传感器的工作原理、结构设计、工艺流程以及特性分析。给出了溅射制备TiO2薄膜的方法及锐钛矿型晶体结构能谱,讨论了二氧化钛的氧敏机理。研究表明与传统的气... 采用微加工技术研制了一种以硅为基底材料,具有MEMS结构的氧传感器。阐述了该传感器的工作原理、结构设计、工艺流程以及特性分析。给出了溅射制备TiO2薄膜的方法及锐钛矿型晶体结构能谱,讨论了二氧化钛的氧敏机理。研究表明与传统的气体传感器相比,此种传感器具有体积小、低功耗、可集成的特点。 展开更多

关键词 MEMS 氧传感器 磁控溅射

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利用MEMS技术研制硅脉象传感器 被引量：3

12

作者 王璐 温殿忠 +2 位作者 刘红梅 田丽 莫兵 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1226-1231,共6页

利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs,并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥... 利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs,并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥结构,从而实现对微小脉象信号的准确检测。实验结果表明,该硅脉象传感器在恒压源-3.0V供电条件下,灵敏度为1.623mV/kPa,准确度为2.029%F.S。 展开更多

关键词 MEMS 硅脉象传感器 MOSFET 纳米硅/单晶硅异质结

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溶胶-凝胶法制作PZT微驱动器的研究 被引量：2

13

作者 邱成军 刘红梅 +3 位作者 张辉军 赵全亮 孟丽娜 曹茂盛 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期24-27,共4页

采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了PZT压电薄膜,利用PZT的压电效应制作以PZT薄膜为驱动的V型阀微驱动器。针对微驱动器的关键结构驱动膜,探索了Si/SiO2/Ti/Au/PZT/Cr/Au多层驱动膜结构制备方法,解决了在硅基底上制备PZT薄膜的问题,同时详... 采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了PZT压电薄膜,利用PZT的压电效应制作以PZT薄膜为驱动的V型阀微驱动器。针对微驱动器的关键结构驱动膜,探索了Si/SiO2/Ti/Au/PZT/Cr/Au多层驱动膜结构制备方法,解决了在硅基底上制备PZT薄膜的问题,同时详细探讨了硅各向异性刻蚀微驱动器的关键部件驱动腔、单向阀的工艺,解决了集成制作的V型阀微驱动器的关键工艺问题,并通过SEM照片对V型阀和多层驱动膜进行了表征。研究结果表明,采用MEMS与IC技术结合的方法成功地完成了微驱动器的研制,得到的驱动腔硅杯平坦均匀。在V型阀微驱动器整体设计中需要的硅片数目少,降低了器件的复杂性,可以满足低功耗、小型化和批量生产的要求。 展开更多

关键词 PZT薄膜 溶胶-凝胶法 各向异性刻蚀 微驱动器 MEMS

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NTC热敏电阻器分段多项式拟合非线性补偿 被引量：10

14

作者 杜西亮 孙慧明 聂义祥 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第8期13-15,共3页

NTC热敏电阻器的非线性影响到它的测温准确度和测温范围,介绍了利用分段多项式拟合法对其非线性进行补偿来减小非线性误差,提高测量准确度和量程,并通过实例对该方法进行分析和对比.实验表明:在-30～110℃温度范围内,应用该方法补偿后... NTC热敏电阻器的非线性影响到它的测温准确度和测温范围,介绍了利用分段多项式拟合法对其非线性进行补偿来减小非线性误差,提高测量准确度和量程,并通过实例对该方法进行分析和对比.实验表明:在-30～110℃温度范围内,应用该方法补偿后的测量误差小于±0.4℃. 展开更多

关键词 热敏电阻器 分段多项式 非线性补偿

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用于压电悬臂梁的PZT厚膜的溶胶-凝胶制备及表征 被引量：2

15

作者 刘红梅 赵全亮 +2 位作者 段中夏 邱成军 曹茂盛 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1499-1502,共4页

研究了一种用于制备硅基压电悬臂梁的PZT厚膜溶胶-凝胶工艺.该工艺通过采用交替旋涂法,将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料,再和澄清PZT溶胶交替涂覆在Au/Cr/SiO2/Si的硅基悬臂梁结构上,当达到所需的厚度后再进行热处理.实验证明,热处理... 研究了一种用于制备硅基压电悬臂梁的PZT厚膜溶胶-凝胶工艺.该工艺通过采用交替旋涂法,将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料,再和澄清PZT溶胶交替涂覆在Au/Cr/SiO2/Si的硅基悬臂梁结构上,当达到所需的厚度后再进行热处理.实验证明,热处理温度在650℃,处理时间15 min时,XRD结构表征显示PZT厚膜获得钙钛矿相结构,SEM中厚膜断面清晰,表面紧密、均匀、平整.铁电性能测试表明矫顽场为50kV/cm,饱和极化强度为54μC/cm2,剩余极化强度为30μC/cm2.同时,硅基悬臂梁结构采用典型的半导体光刻工艺,利用BHF/HCl溶液成功地刻蚀了PZT厚膜,并运用微机械加工技术刻蚀出硅悬臂梁结构. 展开更多

关键词 锆钛酸铅 厚膜 溶胶-凝胶 悬臂梁

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左手材料复合双棱镜内部界面的古斯-汉森位移 被引量：3

16

作者 王成 王政平 张振辉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2321-2326,共6页

设计了一种左手材料复合双棱镜,由两块各向同性左手材料棱镜与夹在其间的、其界面与光轴成一定的角度的单轴各向异性左手材料平板构成.研究了发生在其内部界面上的古斯-汉森位移.分析了发生折射的条件和古斯-汉森位移的符号.研究发现,... 设计了一种左手材料复合双棱镜,由两块各向同性左手材料棱镜与夹在其间的、其界面与光轴成一定的角度的单轴各向异性左手材料平板构成.研究了发生在其内部界面上的古斯-汉森位移.分析了发生折射的条件和古斯-汉森位移的符号.研究发现,反射波与透射波有相同的古斯-汉森位移,透射波的古斯-汉森位移随着薄层厚度的增加而振荡,整体上呈增加趋势;在透射共振点,透射波的古斯-汉森位移达到极大值,且极大值可达入射波波长的数十倍;发现入射角和光轴与界面的角度对透射波的古斯-汉森位移有很大影响.最后简单地探讨了这种双棱镜的潜在应用. 展开更多

关键词 左手材料 单轴各向异性 古斯-汉森位移 折射

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酞菁铅薄膜气体传感器的研制及其特性研究 被引量：2

17

作者 邱成军 左霞 +1 位作者 孙艳美 孔姗姗 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z2期1608-1609,1624,共3页

采用MEMS技术研制了一种以材料硅为基底,具有立体结构的酞菁铅(PbPc)薄膜气体传感器。阐述了该传感器的工作原理、结构设计及工艺流程,给出了酞菁铅薄膜的制备方法,并对PbPc薄膜气体传感器进行了敏感特性研究。

关键词 酞菁铅 薄膜 气体传感器

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硅PN结基底TiO_2氧传感器的特性研究 被引量：2

18

作者 张辉军 穆长生 王璐 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z2期1625-1626,共2页

采用薄膜工艺及MEMS工艺研制了一种以硅PN结为基底材料的TiO2氧传感器,阐述了该传感器的工作原理、工艺流程及射频磁控溅射制备银电极及TiO2薄膜的方法。利用XRD、SEM分析了薄膜的表面形貌及晶粒结构。基于该结构的氧传感器具有良好的... 采用薄膜工艺及MEMS工艺研制了一种以硅PN结为基底材料的TiO2氧传感器,阐述了该传感器的工作原理、工艺流程及射频磁控溅射制备银电极及TiO2薄膜的方法。利用XRD、SEM分析了薄膜的表面形貌及晶粒结构。基于该结构的氧传感器具有良好的感特性及响应特性,具有响应时间短、信号线性度好、灵敏度高等优点。 展开更多

关键词 薄膜 PN结 射频磁控溅射 氧传感器 金红石相

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定向井轨迹的磁控测量系统 被引量：6

19

作者 邱成军 卜丹 《传感技术学报》 CAS CSCD 2004年第4期569-571,共3页

为了实现油田钻井过程中井轨迹定向的测量 ,利用磁感应强度随井管材料介质变化的特点 ,开发了定向井轨迹的磁控测量系统。该系统具有体积小 ,功耗低 ,可靠性强等优点 ,实现了在井下 85℃环境中对预测点自动照相及数据采集功能。

关键词 磁控 单片机 井轨迹

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SiO_2层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性 被引量：2

20

作者 赵晓锋 温殿忠 +1 位作者 王天琦 丁玉洁 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2011年第3期256-259,共4页

采用低压化学气相沉积(LPCVD)系统以高纯SiH4为气源,在p型10.16 cm<100>晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶硅薄膜,薄膜沉积温度为620℃,沉积薄膜厚度分别为30 nm、63 nm和98 nm.对不同薄膜厚度的纳米多晶硅薄膜分别在700℃、80... 采用低压化学气相沉积(LPCVD)系统以高纯SiH4为气源,在p型10.16 cm<100>晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶硅薄膜,薄膜沉积温度为620℃,沉积薄膜厚度分别为30 nm、63 nm和98 nm.对不同薄膜厚度的纳米多晶硅薄膜分别在700℃、800℃和900℃下进行高温真空退火.通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜进行特性测试和表征,随着薄膜厚度的增加,沉积态薄膜结晶显著增强,择优取向为<111>晶向.通过HP4145B型半导体参数分析仪对沉积态掺硼纳米多晶硅薄膜电阻I-V特性测试发现,随着薄膜厚度的增加,薄膜电阻率减小,载流子迁移率增大. 展开更多

关键词 纳米多晶硅薄膜 低压化学气相沉积(LPCVD) 迁移率

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