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基于巨磁电阻的电子罗盘研制
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作者 陶豪鸣 柳微微 +1 位作者 邓祁 赵晓锋 《传感器技术与应用》 2018年第3期112-119,共8页
本文通过分析巨磁阻效应,采用自主研制的多层膜结构的GMR磁传感器研制二维电子罗盘,该电子罗盘包括二只GMR磁传感器和信号处理电路。通过对传感器进行静态特性标定,给出了电子罗盘的整体设计方案。采用了AD620仪表放大器、arduino uno... 本文通过分析巨磁阻效应,采用自主研制的多层膜结构的GMR磁传感器研制二维电子罗盘,该电子罗盘包括二只GMR磁传感器和信号处理电路。通过对传感器进行静态特性标定,给出了电子罗盘的整体设计方案。采用了AD620仪表放大器、arduino uno微处理器和12864LCD液晶显示屏分别实现了差分放大、信号处理以及液晶显示,并在IDE编程软件中采用C语言对电子罗盘信号处理模块进行软件编程,在二维磁场中实现了当前方位测量的功能。通过对研制的电子罗盘特性进行测试与分析,实验结果表明,本文设计的巨磁阻电子罗盘实现了基本的功能。 展开更多
关键词 二维电子罗盘 GMR传感器 磁敏特性
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基于强度调制的光纤激光折射率传感器
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作者 张洪超 杨九如 +1 位作者 戴文 张金文 《黑龙江大学自然科学学报》 2023年第5期588-595,共8页
提出了一种基于光纤布喇格光栅与多模凹锥光纤级联结构的低探测极限光纤激光折射率传感器。采用光纤环形激光器内腔调制技术,获得了稳定、高边模抑制比和窄半峰全宽的激光信号,量化研究了有源结构下凹锥直径与液体折射率变化间响应关系... 提出了一种基于光纤布喇格光栅与多模凹锥光纤级联结构的低探测极限光纤激光折射率传感器。采用光纤环形激光器内腔调制技术,获得了稳定、高边模抑制比和窄半峰全宽的激光信号,量化研究了有源结构下凹锥直径与液体折射率变化间响应关系。当凹锥直径为30.53μm时,最大折射率灵敏度可达-128.636 dB/RIU。考虑3σ噪声条件,实际探测极限可达8.49×10-4RIU。该传感器具有输出稳定和低温度串扰的优点,在生化传感和环境监测等方面具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 光纤激光传感器 折射率 探测极限 强度调制
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基于FPGA实现的SMS4算法研究 被引量:16
3
作者 程海 丁群 +1 位作者 杜辉 黄春光 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2845-2850,共6页
无线局域网产品使用的SMS4密码算法是国内官方公布的第一个商用加密算法。针对用FPGA硬件实现的SMS4分组密码算法电路,分别提出了SMS4商用密码算法的2种实现方案,基于FPGA实现了该加解密算法,并通过仿真验证了算法的正确性。通过对2种... 无线局域网产品使用的SMS4密码算法是国内官方公布的第一个商用加密算法。针对用FPGA硬件实现的SMS4分组密码算法电路,分别提出了SMS4商用密码算法的2种实现方案,基于FPGA实现了该加解密算法,并通过仿真验证了算法的正确性。通过对2种实现方案比较,对运行速度和芯片逻辑资源进行了分析,可知由于采用内部流水线的实现方式,采用2级流水线方式生成Xi+4信号,相对全循环实现方法性能优越,具有较高的运行速度和较小的实现面积。 展开更多
关键词 SMS4算法 全循环 内部流水线 轮密钥
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基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究 被引量:9
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作者 赵晓锋 温殿忠 高来勖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期461-465,共5页
采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不... 采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和I-V特性影响。实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 ZNO薄膜 晶粒 晶粒间界
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机械臂鲁棒自适应运动控制 被引量:21
5
作者 于志刚 沈永良 宋中民 《控制理论与应用》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1021-1024,共4页
针对具有不确定性的机械臂系统,文中阐述了一种基于势函数和Lyapunov稳定性理论的鲁棒自适应控制方法.它是通过合理选择与控制目标相关的势函数,并根据模型中不确定性的实时变化,在控制器中引入可在线可调参数,使得控制器机械臂能够跟... 针对具有不确定性的机械臂系统,文中阐述了一种基于势函数和Lyapunov稳定性理论的鲁棒自适应控制方法.它是通过合理选择与控制目标相关的势函数,并根据模型中不确定性的实时变化,在控制器中引入可在线可调参数,使得控制器机械臂能够跟踪给定的有界参考信号,跟踪误差收敛到包含零点的很小的邻域内.同时该闭环系统的所有状态半全局最终一致有界(SGUUB).仿真研究表明该方法的有效性. 展开更多
关键词 机械臂控制 LYAPUNOV稳定性 鲁棒控制 势函数
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薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响 被引量:4
6
作者 赵晓锋 温殿忠 +1 位作者 王天琦 丁玉洁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1753-1756,共4页
以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM... 以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响。结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强。 展开更多
关键词 纳米多晶硅薄膜 结构特性 LPCVD 退火
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利用MEMS技术研制硅脉象传感器 被引量:3
7
作者 王璐 温殿忠 +2 位作者 刘红梅 田丽 莫兵 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1226-1231,共6页
利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs,并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥... 利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs,并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥结构,从而实现对微小脉象信号的准确检测。实验结果表明,该硅脉象传感器在恒压源-3.0V供电条件下,灵敏度为1.623mV/kPa,准确度为2.029%F.S。 展开更多
关键词 MEMS 硅脉象传感器 MOSFET 纳米硅/单晶硅异质结
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基于粒子群算法优化的T-S型模糊神经网络控制器 被引量:6
8
作者 李秀英 韩志刚 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 北大核心 2010年第2期272-276,共5页
粒子群优化(PSO)算法是一种新颖的演化算法,该算法通过粒子间的相互作用在复杂搜索空间中发现最优区域,其优势在于简单而功能强大。提出一种T-S型模糊神经网络控制器,采用PSO算法对模糊神经网络的前件参数和后件参数进行寻优,从而实现... 粒子群优化(PSO)算法是一种新颖的演化算法,该算法通过粒子间的相互作用在复杂搜索空间中发现最优区域,其优势在于简单而功能强大。提出一种T-S型模糊神经网络控制器,采用PSO算法对模糊神经网络的前件参数和后件参数进行寻优,从而实现了模糊规则的自动调整、修改和完善。通过对非线性和时变被控对象的仿真研究,结果表明采用粒子群优化算法可以实现参数的全局快速寻优,而且优化后的T-S型模糊神经网络控制器能获得良好的控制性能。 展开更多
关键词 粒子群优化算法 T—s模糊模型 神经网络 功能组合
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左手材料复合双棱镜内部界面的古斯-汉森位移 被引量:3
9
作者 王成 王政平 张振辉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2321-2326,共6页
设计了一种左手材料复合双棱镜,由两块各向同性左手材料棱镜与夹在其间的、其界面与光轴成一定的角度的单轴各向异性左手材料平板构成.研究了发生在其内部界面上的古斯-汉森位移.分析了发生折射的条件和古斯-汉森位移的符号.研究发现,... 设计了一种左手材料复合双棱镜,由两块各向同性左手材料棱镜与夹在其间的、其界面与光轴成一定的角度的单轴各向异性左手材料平板构成.研究了发生在其内部界面上的古斯-汉森位移.分析了发生折射的条件和古斯-汉森位移的符号.研究发现,反射波与透射波有相同的古斯-汉森位移,透射波的古斯-汉森位移随着薄层厚度的增加而振荡,整体上呈增加趋势;在透射共振点,透射波的古斯-汉森位移达到极大值,且极大值可达入射波波长的数十倍;发现入射角和光轴与界面的角度对透射波的古斯-汉森位移有很大影响.最后简单地探讨了这种双棱镜的潜在应用. 展开更多
关键词 左手材料 单轴各向异性 古斯-汉森位移 折射
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SiO_2层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性 被引量:2
10
作者 赵晓锋 温殿忠 +1 位作者 王天琦 丁玉洁 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2011年第3期256-259,共4页
采用低压化学气相沉积(LPCVD)系统以高纯SiH4为气源,在p型10.16 cm<100>晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶硅薄膜,薄膜沉积温度为620℃,沉积薄膜厚度分别为30 nm、63 nm和98 nm.对不同薄膜厚度的纳米多晶硅薄膜分别在700℃、80... 采用低压化学气相沉积(LPCVD)系统以高纯SiH4为气源,在p型10.16 cm<100>晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶硅薄膜,薄膜沉积温度为620℃,沉积薄膜厚度分别为30 nm、63 nm和98 nm.对不同薄膜厚度的纳米多晶硅薄膜分别在700℃、800℃和900℃下进行高温真空退火.通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜进行特性测试和表征,随着薄膜厚度的增加,沉积态薄膜结晶显著增强,择优取向为<111>晶向.通过HP4145B型半导体参数分析仪对沉积态掺硼纳米多晶硅薄膜电阻I-V特性测试发现,随着薄膜厚度的增加,薄膜电阻率减小,载流子迁移率增大. 展开更多
关键词 纳米多晶硅薄膜 低压化学气相沉积(LPCVD) 迁移率
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基于空间上下文单类分类器的目标检测算法 被引量:1
11
作者 王晓飞 王霄衣 +2 位作者 史翔宇 阎秋静 陈向南 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第B12期236-240,共5页
为了实现对高光谱图像中的目标自动检测,提出了一种基于空间上下文单类分类器的目标检测算法。对所采用的空间与光谱结合的特征、SVDD分类器原理、算法流程等进行研究。首先分析了支持向量数据描述(SVDD,support vector data descripti... 为了实现对高光谱图像中的目标自动检测,提出了一种基于空间上下文单类分类器的目标检测算法。对所采用的空间与光谱结合的特征、SVDD分类器原理、算法流程等进行研究。首先分析了支持向量数据描述(SVDD,support vector data description)的单类分类原理。接着,结合高光谱图像特点,介绍了如何利用空间上下文信息和光谱特征作为SVDD分类器输入特征。然后,在分析比较空间光谱结合单类分类器性能的基础上,说明了采用该算法的原理。最后,给出了该算法的具体实现方法。实验结果表明:该方法优于常规的直接利用光谱信息的CEM等算法,在AVIRIS成像的某国外海军基地数据中,检测飞机目标的精度达到了90%以上。基本满足目标检测的稳定可靠、低虚警率、高识别率等要求。 展开更多
关键词 高光谱图像 目标检测 单类分类 支持向量数据描述
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含左手材料的单、双层结构微波吸波材料设计 被引量:1
12
作者 王政平 张振辉 王丽会 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期102-106,共5页
提出了含左手材料的单层微波吸波结构及具有不同结构形式的双层微波吸波材料的设计方案。建立了用于描述其吸波性质的物理模型,利用转移矩阵方法逐一推导出了他们的吸波原理,提出了针对每种微波吸波材料结构的、在设计过程中必须遵从的... 提出了含左手材料的单层微波吸波结构及具有不同结构形式的双层微波吸波材料的设计方案。建立了用于描述其吸波性质的物理模型,利用转移矩阵方法逐一推导出了他们的吸波原理,提出了针对每种微波吸波材料结构的、在设计过程中必须遵从的设计原则。介绍了上述吸波结构的一般设计方法,并给出了经理论推导得出的、在设计过程中可能用到的计算公式。 展开更多
关键词 微波 吸波材料 设计 左手材料
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左手损耗介质电磁参量的表示方法 被引量:1
13
作者 张振辉 王政平 张凤婷 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 北大核心 2008年第5期577-583,588,共8页
作为研究损耗性左手材料的电磁特性的第一步是要解决其电磁参量的表达方式的问题。为此,分别利用复有效介电常数与复有效磁导率来表示左手介质的损耗特性,利用介质的电导率来表示左手介质的损耗特性这两种方法,推导出有损耗的左手介质... 作为研究损耗性左手材料的电磁特性的第一步是要解决其电磁参量的表达方式的问题。为此,分别利用复有效介电常数与复有效磁导率来表示左手介质的损耗特性,利用介质的电导率来表示左手介质的损耗特性这两种方法,推导出有损耗的左手介质的复波数、复波阻抗和复折射率的表达式,并将其与右手介质的表达式进行了比较。研究结果发现,损耗性左手介质的各电磁参量表达式均为复数形式;除了复波阻抗外,其它电磁参量的虚部均为正值,实部均为负值。最后推导出了两种表达方式之间的关系表达式。希望该研究结果可为左手损耗材料及相关问题如含有左手损耗材料的微波吸波体研究等提供有益的参考。 展开更多
关键词 左手材料 损耗性介质 微波吸波材料 电磁隐身
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纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势补偿研究 被引量:1
14
作者 赵晓锋 温殿忠 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期363-366,共4页
采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势VHO,不等位电势VHO随工作电压VDS绝对值增加而增大。通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压VGS,调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿。实验结果表明,... 采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势VHO,不等位电势VHO随工作电压VDS绝对值增加而增大。通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压VGS,调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿。实验结果表明,当外加磁场B=0时,工作电压VDS恒定时,随栅极偏置电压VGS绝对值增加,纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势VHO逐渐接近零位输出;采用栅极偏置电压进行不等位电势补偿较外加补偿电阻方法可以使磁传感器灵敏度得到提高,在工作电压VDS为-1.0 V时磁灵敏度约提高18%。 展开更多
关键词 纳米硅/单晶硅异质结MAGFET 磁传感器 不等位电势 磁灵敏度
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基于流量门限的提前预留竞争解决机制(英文)
15
作者 杨九如 王晓飞 +1 位作者 柳春郁 丁群 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期127-132,共6页
基于小尺寸缓存的提前预留机制是有效的竞争解决方案.为支持区分服务,本文研究了两优先级提前预留机制的阻塞模型,分析了变化缓存尺寸与载荷比率条件下光突发交换网络核心节点的阻塞性能.为降低两优先级提前预留机制的突发丢弃率,提出... 基于小尺寸缓存的提前预留机制是有效的竞争解决方案.为支持区分服务,本文研究了两优先级提前预留机制的阻塞模型,分析了变化缓存尺寸与载荷比率条件下光突发交换网络核心节点的阻塞性能.为降低两优先级提前预留机制的突发丢弃率,提出一种基于流量门限的提前预留机制.数值分析确定了合理的缓存尺寸与流量门限,实现了高、低优先级间的缓存使用平衡.仿真结果表明:与原有提前预留机制相比,基于流量门限的提前预留机制保持了全流量状态范围内的阻塞性能,并明显降低了中、低流量状态内的突发丢弃率. 展开更多
关键词 光突发交换 竞争解决 提前预留 流量门限 缓存
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基于ATLAS新型硅磁敏三极管特性仿真研究
16
作者 赵晓锋 温殿忠 +2 位作者 潘东阳 王志强 修德军 《黑龙江大学工程学报》 2011年第4期84-89,共6页
通过分析矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管基本结构、工作原理和特性,采用Silvaco的ATLAS软件建立新型硅磁敏三极管仿真结构模型,研究基区宽度、复合基区长度等几何结构参数对新型硅磁敏三极管I-V特性、磁电特性和温度特性的影响。仿... 通过分析矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管基本结构、工作原理和特性,采用Silvaco的ATLAS软件建立新型硅磁敏三极管仿真结构模型,研究基区宽度、复合基区长度等几何结构参数对新型硅磁敏三极管I-V特性、磁电特性和温度特性的影响。仿真结果表明,新型硅磁敏三极管仿真结构模型具有正反向磁灵敏度、集电极电流具有负温度系数,与新型硅磁敏三极管实验特性比较,分析给出几何结构参数对新型硅磁敏三极管特性的影响。 展开更多
关键词 新型硅磁敏三极管 仿真结构模型 磁灵敏度 ATLAS
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温度/湿度/光强多参数测量仪研制 被引量:2
17
作者 张颖 蓝德高 赵晓锋 《传感器技术与应用》 2018年第4期121-129,共9页
本文针对室内家居环境的监测,设计了基于ATmega328p单片机的温度/湿度/光强多参数测量仪。通过WZP-035型铂热电阻式温度传感器进行温度监测,HS1101型电容式湿度传感器进行湿度监测以及GL5537型光敏传感器进行光照监测,其中温度的监测范... 本文针对室内家居环境的监测,设计了基于ATmega328p单片机的温度/湿度/光强多参数测量仪。通过WZP-035型铂热电阻式温度传感器进行温度监测,HS1101型电容式湿度传感器进行湿度监测以及GL5537型光敏传感器进行光照监测,其中温度的监测范围?10℃~40℃,湿度为10%~60% RH,光强为10~1000 lx。通过分析温度、湿度和光强等传感器的基本结构和工作原理,进行了三种传感器的静态特性标定,在此基础上设计、制作信号处理电路,采用单片机进行数据处理,并通过LCD12864液晶显示屏显示信号。结果表明该系统能完成室内温度、湿度和光强的监测,可以稳定的显示数值。 展开更多
关键词 温度传感器 湿度传感器 光强传感器 环境参数 舒适度
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基于光敏三极管的指端动态血压监测仪
18
作者 袁安怡 李学磊 赵晓锋 《传感器技术与应用》 2019年第3期75-85,共11页
本文基于光敏三极管设计、制作了指端动态血压监测仪,该监测仪包括光信号发射/采集单元、信号处理电路和指尖固定装置。光信号发射/采集单元包括一个红色LED和两个光敏三极管,根据指端流动的血液对光吸收情况不同,该光敏三极管用于采集... 本文基于光敏三极管设计、制作了指端动态血压监测仪,该监测仪包括光信号发射/采集单元、信号处理电路和指尖固定装置。光信号发射/采集单元包括一个红色LED和两个光敏三极管,根据指端流动的血液对光吸收情况不同,该光敏三极管用于采集流经指端血液吸收后的光信号。基于光电效应,当接收到不同的光信号时,光敏三极管的基极电流将发生相应变化,引起电路输出电压变化,实现对脉搏信号的监测。信号处理电路部分完成两个光敏三极管构成的差分结构输出信号放大、滤波、A/D转换等,根据血压与脉搏波的关系,利用单片机对数据进行处理,分析给出血压动态变化情况并进行显示。结果表明该测试系统可实现血压测量,具有实时性和便携性的特点。 展开更多
关键词 光敏三极管 实时血压测量 脉搏信号处理电路
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基于纳米多晶硅薄膜压力传感器胎压监测系统
19
作者 赵小松 于洋 +1 位作者 陈静 赵晓锋 《传感器技术与应用》 2015年第3期54-61,共8页
本文给出纳米多晶硅薄膜压力传感器,由方形硅膜和四个纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构组成,采用MEMS技术在硅片实现传感器芯片制作。当工作电压VDD = 5.0 V时,传感器灵敏度为0.15 mV/kPa,准确度为0.39 %F.S.,可实现轮胎胎压测量... 本文给出纳米多晶硅薄膜压力传感器,由方形硅膜和四个纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构组成,采用MEMS技术在硅片实现传感器芯片制作。当工作电压VDD = 5.0 V时,传感器灵敏度为0.15 mV/kPa,准确度为0.39 %F.S.,可实现轮胎胎压测量。根据胎压传感器特性和NRF24L01无线通信技术,实现胎压监测系统设计。通过无线模块实现实时数据传输,该系统可实现对轮胎胎压的实时监测,保证车辆安全。 展开更多
关键词 纳米多晶硅薄膜压力传感器 胎压监测 MEMS技术 TPMS
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矢量偏振光束产生新方法 被引量:15
20
作者 黄妍 叶红安 +2 位作者 高来勖 张敏 刘书钢 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期17-20,共4页
为了解决现有矢量偏振光束(VPB)产生装置结构复杂、成本高等问题,提出了利用一种由多个线型偏振器件构成的同心圆环装置即显偏器(PAF)产生矢量偏振光束的新方法。基于显偏器的特殊结构特点,由LED光源输出的自然光束经显偏器,可产生角向... 为了解决现有矢量偏振光束(VPB)产生装置结构复杂、成本高等问题,提出了利用一种由多个线型偏振器件构成的同心圆环装置即显偏器(PAF)产生矢量偏振光束的新方法。基于显偏器的特殊结构特点,由LED光源输出的自然光束经显偏器,可产生角向偏振光束(APB),再经两个快轴成45°角的半波片可将角向偏振光束转换成径向偏振光束(RPB)。采用此方法获得的矢量偏振光束经线偏振片验证其光强分布情况,研究发现所得结果与已发表的实验结果相符,验证了该方法的有效性和实用性。 展开更多
关键词 物理光学 矢量偏振光束 显偏器 角向偏振光束 径向偏振光束
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