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微重力条件下的InxGa1-xSb晶体生长研究 被引量:1
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作者 方婧红 夏朝阳 +10 位作者 王慧 张阳 汪超越 贺欢 倪津崎 李勤 KUMAR VeluNirmal INATOMI Yuko HAYAKAWA Yasuhiro OKANO Yasunori 余建定 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2020年第4期51-61,共11页
InxGa1-xSb晶体是吸收波长可以在1.7–6.8μm范围内调控的三元半导体晶体,在红外探测、热光伏电池领域具有重要的应用前景,但由于其固液相线相距很远,容易形成成分偏析和结晶缺陷,且重力对流会增加晶体生长界面处物质输送的不均匀性,使... InxGa1-xSb晶体是吸收波长可以在1.7–6.8μm范围内调控的三元半导体晶体,在红外探测、热光伏电池领域具有重要的应用前景,但由于其固液相线相距很远,容易形成成分偏析和结晶缺陷,且重力对流会增加晶体生长界面处物质输送的不均匀性,使得地面环境下难于生长高质量的InxGa1-xSb晶体.微重力环境由于抑制了自然对流,为晶体生长提供了良好条件,本文综述了微重力环境对InxGa1-xSb半导体晶体成分偏析和晶体缺陷的影响,并介绍了中国返回式微重力科学卫星实践十号上的InxGa1-xSb三元晶体的空间生长实验成果. 展开更多
关键词 InxGa1-xSb 微重力 晶体生长
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